中科院半导体研究所的研究员总工程师伊晓燕分享了“氮化物纳米线可控生长与器件应用展望”主题报告。 她表示，目前从芯片发展趋势技术上来看，一个是性能的提升，可以用纳米线的新的结构形式去考虑，从器件的结构上怎么样提高性能。第二个芯片发展到这个阶段，将来的天花板是显示屏等等，我们面临非常广泛的应用空间，从应用的角度可以提出来对芯片的要求，我们可以根据应用设计出来全新结构的芯片结构形式，现在提的比较多的农业、可穿戴、定位和通讯、显示，论坛上MicroLED显示还是大家非常关注的，还有智能光源、智慧城市跟光电的集成

山东大学教授陶绪堂做了晶体生长和β-Ga2O3表征的最新进展的报告，分享了在氧化镓晶体生长方面的研究实践及成果。

山东大学/济南中乌新材料有限公司王希玮做了高温高压单晶实验室生长金刚石技术的介绍，分享了单晶金刚石生产技术方面的工作及成果。

日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶体块体和外延生长的报告，分享了其最新研究成果。

郑州大学物理工程学院院长、教授单崇新介绍了高质量金刚石的CVD生长。金刚石是自然界产生的最坚硬的一种材料，因为它极高的硬度，一直被当做是打磨的工具，切割的工具等，在不同的方面都有应用，日常生活以及工业生产中都能用到金刚石。除了高硬度以外，金刚石还有很多其他独特的特点，很适合当做半导体材料，比如非常高的带隙、电压、非常高的热传导性等，这些特点使得金刚石一直被认为是重要的，也是非常有潜力的下一代半导体器件的原料。把金刚石材料转变成金刚石器件还有很长的路要走，也需要很多高品质的材料，这是非常基本的一步。

北京农业智能装备技术研究中心陈晓丽分享了“LED红蓝交替光对生菜生长及品质的影响”研究报告。

中国科学院半导体研究所固态照明研发中心张连分享“选择区域生长AlGaN/GaN异质结双极晶体管的n-AlGaN发射器”研究报告。 张连表示，GaN基异质结双极晶体管（HBT）具有本征优点，例如更高线性度，常关工作模式和更高的电流密度。然而，其发展进度缓慢。一个主要问题是由低自由空穴浓度引起的基极层的低导电性，以及外部基极区域的等离子体干蚀刻损伤。虽然一些研究人员使用选择性区域再生来减轻基层的损害，但工作后没有显着的进步。最常见的因素之一是难以获得高质量的选择性区域再生长基底层和发射极层。通过使用选择

中国农业科学院北京畜牧兽医研究所孙研研介绍了LED光谱对蛋鸡生长发育和繁殖性能的影响主题报告。

北京大学教授陈志忠介绍了基于纳米图案蓝宝石衬底通过MOCVD生长蓝绿色LED。陈志忠表示，GaN基青光LED通过低压金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长得到。首先在成核层上进行两步法高温生长GaN模板，接着在模板上生长青光LED，波长为490nm。通......请您在WIFI条件下观看！或下载极智APP收藏反复观看！

中微半导体设备(上海)有限公司主任研究员胡建正分享了介绍了基于高产率MOCVD平台 - AMEC Prismo A7TM的氮镓LED生长研究。胡建正主要研究基于GaN材料的LED器件设计、性能及可靠性分析。主要参与进行了中微第一代及第二代MOCVD的设计、工艺开发及...请您在WIFI条件下观看！或下载极智APP收藏反复观看！