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  • 日本理化研究所平山量

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    日本理化研究所平山量
    用于病毒灭活的蓝宝石生长230nm远紫外光功率模组的开发研究Development of 230 nm Far-UVC LED Power Module Grown on c-Sapphire for Human Harmless Virus Inactivation平山秀樹日本理化研究所平山量子光素子研究室主任Hideki HIRAYAMAProfessor ofRIkagaku KENkyusho Institute of Physical and Chemical Research(RIKEN),Japan
    222800
    SSLCHINA2025-01-09 15:40

  • 韩国东义大学教授Won-

    5550

    韩国东义大学教授Won-
    SiC单晶的坩埚结构及PVT生长工艺条件的改进SiC Single Crystals with Modification of Crucible Structure and Process Condition for PVT GrowthWon-Jae LEE韩国东义大学教授、釜山电力半导体研究所所长Won-JaeLEEProfessor of Dong-Eui University,Director of Busan Power Semiconductor Lab.
    55500
    IFWS2025-01-09 14:55

  • 中科院苏州纳米所研究

    5600

    中科院苏州纳米所研究
    硅衬底GaN基光电材料外延生长Epitaxial Growth of GaN Based Photoelectric Materials on Silicon Substrate孙钱中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员SUN QianProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences
    56000
    IFWS2025-01-09 14:41

  • 南京大学刘欢：等离子

    3450

    南京大学刘欢：等离子
    等离子体辅助分子束外延生长AlN薄膜AlN epilayers grown by plasma assisted molecular beam epitaxy刘欢南京大学LIU HuanNanjing University
    34500
    IFWS2025-01-09 14:40

  • 中电科第十三所高级工

    3240

    中电科第十三所高级工
    6英寸复合衬底上厚GaN外延生长研究Growth of Thick GaN Epilayers on 150mm Engineered Substrate韩颖中国电子科技集团第十三所高级工程师HAN YingSenior Engineer of Hebei Semiconductor Research Institute
    32400
    IFWS2025-01-09 14:27

  • 中国科学院苏州纳米所

    4440

    中国科学院苏州纳米所
    氨热法氮化镓单晶生长研究进展及面临的挑战Progress and Challenges in Bulk GaN Crystal Growth by Ammonothermal Method任国强中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、研究员REN GuoqiangProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences
    44400
    IFWS2025-01-09 14:24

  • 镓和半导体李山:氧化

    5540

    镓和半导体李山:氧化
    氧化镓PECVD外延生长及光电信息感知器件研究Research on PECVD Epitaxial Growth of Gallium Oxide and the Photoelectric Information Sensing Devices李山南京邮电大学副教授、苏州镓和半导体研发总监LI ShanAssociate Professor, Nanjing University of Posts and Telecommunications, RD director of Suzhou GAO Semiconductor Co. Ltd.
    55400
    IFWS2025-01-09 13:53

  • 厦门大学副教授卢卫芳

    7460

    厦门大学副教授卢卫芳
    Micro-LED用GaN纳米线上生长的非极性GaInN/GaN多量子壳的系统研究Systematic investigation of nonpolar GaInN/GaN multiple-quantum-shells grown on GaN nanowires for Micro-LEDs卢卫芳厦门大学物理科学与技术学院物理学系，副教授LU WeifangAssociate Professor, School of Physical Science and Technology, Xiamen University
    74600
    guansheng2023-05-22 14:12

  • 中电科十三所基础研究

    13020

    中电科十三所基础研究
    使用MOCVD生长的QCL激光器Epitaxy of mid- infrared quantum cascade lasers fully by MOCVD房玉龙中电科十三所基础研究部主任FANG YulongHebei Semiconductor Institute
    130200
    guansheng2023-05-22 10:25

  • 思体尔软件副总经理付

    8760

    思体尔软件副总经理付
    超宽禁带半导体氧化镓及金刚石的晶体生长模拟研究Modeling of ultrawide Bandgap Semiconductor crystal growth for Gallium oxide and Diamond付昊苏州思体尔软件科技有限公司副总经理Henry FUVice General Manager of SuZhou STR Software Technology Co., Ltd.
    87600
    guansheng2023-05-19 14:47

  • 山东大学副教授穆文祥

    9410

    山东大学副教授穆文祥
    -Ga2O3单晶的体晶生长与性能Bulk crystal growth and properties of?-Ga2O3Single Crystal穆文祥山东大学副教授MU WenxiangAssociate Professor of Shandong University
    94100
    guansheng2023-05-19 14:44

  • 大连理工大学副教授张

    12930

    大连理工大学副教授张
    利用高Al组分-(AlGa)2O3缓冲层在蓝宝石衬底上优化生长高质量-Ga2O3厚膜Growth of high quality - Ga2O3 thick film on sapphire by using high Al content - (AlGa)2O3 buffer layer张赫之大连理工大学副教授ZHANG HezhiAssociate professor of Dalian University of Technology
    129300
    guansheng2023-05-19 14:41

  • 西安电子科技大学张金

    15970

    西安电子科技大学张金
    MPCVD法金刚石同质外延生长及MOS器件技术Homogeneous epitaxial diamond growth by MPCVD and its MOS device technology张金风西安电子科技大学教授ZHANG JinfengProfessor of Xidian University
    159700
    guansheng2023-05-19 14:40

  • 湖北大学何云斌教授：

    11350

    湖北大学何云斌教授：
    MgO（100）上生长柱状纳米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高灵敏度日盲探测器研究Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity何云斌湖北大学教授HE YunbinProfessor of Hubei University
    113500
    guansheng2023-05-19 14:23

  • 芯元基半导体总经理郝

    7880

    芯元基半导体总经理郝
    用于Micro LED芯片规模量产化的化学剥离生长衬底技术Chemical Peel Growth Substrate Technology for Mass Production of Micro LED Chips郝茂盛上海芯元基半导体科技有限公司总经理HAO MaoshengGeneral Manager of Shanghai Chipfoundation Semiconductor Technology Co., Ltd.
    78800
    guansheng2023-05-19 11:48

  • 江苏第三代半导体研究

    12950

    江苏第三代半导体研究
    高性能GaN-on-GaN材料与器件的外延生长High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication王国斌江苏第三代半导体研究院研发部负责人WANG GuobinSenior Project ManagerHead of RD Dept of Jiangsu Institute of Advanced Semiconductors
    129500
    guansheng2023-05-19 08:56

  • 奥趋光电CTO王琦琨：P

    5450

    奥趋光电CTO王琦琨：P
    PVT法同质外延AlN生长和p型掺杂面临的挑战Challenges on homoepitaxial AlN growth and p-type doping by the PVT method王琦琨奥趋光电技术（杭州）有限公司研发总监（CTO）
    54500
    guansheng2023-05-19 08:43

  • 桑立雯：利用AlN传导

    6500

    桑立雯：利用AlN传导
    利用AlN传导层在GaN衬底上外延生长金刚石薄膜及其热传输特性Thermal dissipation from GaN to diamond with AlN conduction layer桑立雯日本国立物质材料研究所独立研究员SANG LiwenIndependent Scientist of National Institute for Materials Science (NIMS), Japan
    65000
    guansheng2023-05-19 08:42

  • 中国科学院半导体所研

    7090

    中国科学院半导体所研
    平片蓝宝石衬底上高质量AlN材料MOCVD外延生长High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD赵德刚中国科学院半导体所研究员ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS
    70900
    guansheng2023-05-18 16:19

  • 木林森执行总经理唐国

    5550

    木林森执行总经理唐国
    浅议万物生长靠灯唐国庆木林森股份有限公司执行总经理TANG GuoqingExecutive General Manager of MLS Co., LTD., Vice President of China Solid State Lighting Alliance(CSA)
    55500
    guansheng2023-05-18 11:48

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