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  • 南京大学教授修向前：

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    南京大学教授修向前：
    基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN衬底技术The preparation of GaN based on the nitridation of HVPE-Ga2O3 films修向前南京大学教授XIU Xiangqian-Professor of Nanjing university
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    guansheng2023-05-18 16:18

  • 中国科学院半导体研究

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    中国科学院半导体研究
    当前，人们对于绿色、环保、安全的重视度在不断的提高，随着全球化加速发展，公共卫生风险对人口流动和经济活动造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突发公共卫生风险的重要性不言而喻。基于第三代半导体氮化镓材料的紫外LED光源具有节能环保、寿命长、开启速度快、辐射强度可控、光谱可定制等优势，成为维护公共卫生安全的重要力量。紫外LED是半导体光电产业发展的新蓝海，双碳战略也给包括紫外LED产业在内的绿色环保节能产
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    guansheng2022-09-10 15:45

  • 厦门大学张荣 教授:氮

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    厦门大学张荣 教授:氮
    第三代半导体材料在不同领域的应用非常广泛，其中，LED可以说是其第一个较成熟的应用突破口，伴随着元宇宙等新时代的展开，Micro-LED显示应用又迎来了一波新的发展机遇，作为应用的支撑，技术的发展水平非常重要。张荣教授分享了其带领的团队在氮化物半导体基显示技术方面的最新研究及成果。报告结合Micro-LED的优势与挑战，从外延结构设计、芯片制备、全彩化方案、系统集成、纳米LED等方面详细分享了团队最新的多个研究发现和研究
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    guansheng2022-09-10 15:43

  • 中国科学院苏州纳米技

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    中国科学院苏州纳米技
    常见的氮化镓器件为在异质衬底上长氮化镓外延层制作成半导体器件。但由于使用的是异质衬底，材料之间存在着晶格失配与热失配导致外延材料位错密度比较高，阻碍了相关器件性能的提升及其稳定性。采用氮化镓单晶衬底实现同质外延是提高氮化镓外延层晶体质量进而提高氮化镓器件的主要途径。刘宗亮博士在报告中结合GaN材料生长制备的主要方法及挑战，GaN单晶制备的主要方法与特点以及国际上GaN单晶生长研究进展等，分享了GaN单晶衬底生
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    guansheng2022-09-09 15:53

  • 北京大学沈波教授：氮

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    北京大学沈波教授：氮
    以氮化镓、氮化铝为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底，氮化物半导体主要通过异质外延，特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈，影响了材料和器件性能的提升。沈波教授在报告中，结合氮化物半导体面临的大失配外延生长问题、详细分
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    guansheng2022-09-09 15:47

  • 圆桌对话：碳化硅、氮

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    圆桌对话：碳化硅、氮
    主题对话环节，北京大学沈波教授主持下，中科院半导体所研究员赵德刚，中微半导体公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平，清华大学长聘副教授汪莱，中科院苏州纳米所研究员孙钱，南京大学教授陈鹏，中科院长春光机所研究员孙晓娟，南京大学教授陆海，江南大学教授敖金平，中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵，浙江大学研究员、电力电子技术研究所副所长杨树，中科院微电子研究所研究员黄森等学界、业界中青代骨干
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    guansheng2022-09-08 15:57

  • 西安电子科技大学张进

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    西安电子科技大学张进
    势垒可调、位错免疫凹槽阳极氮化镓肖特基二极管研究张进成*，党魁，周弘，张涛，赵胜雷，毛维，郝跃西安电子科技大学
    64600
    guansheng2022-09-01 12:20

  • 深圳大学范泽龙:基于

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    深圳大学范泽龙:基于
    基于带状氮化铝晶体真空紫外探测器研究范泽龙，武红磊，孙振华深圳大学
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    guansheng2022-09-01 12:17

  • 北京大学陈兆营：面向

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    北京大学陈兆营：面向
    面向氮化物全彩显示的InGaN基红光Mini/Micro-LED研究陈兆营，盛博文，刘放，李铎，袁泽兴，葛惟昆，沈波，梁文骥，赵春雷，闫龙，Jason Hoo，郭世平，王新强*北京大学
    87800
    guansheng2022-09-01 11:23

  • 厦门大学张荣教授：Ⅲ

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    厦门大学张荣教授：Ⅲ
    Ⅲ族氮化物半导体光电子器件的几个科学问题张荣--厦门大学校长、教授
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    limit2022-01-31 13:44

  • 徐科：氮化镓单晶材料

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    徐科：氮化镓单晶材料
    《氮化镓单晶材料的 HVPE 法与液相法生长研究》徐科 研究员 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
    36000
    limit2022-01-11 09:59

  • 蒋科：宽禁带氮化物半

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    蒋科：宽禁带氮化物半
    《宽禁带氮化物半导体紫外探测器研究》作者：蒋科，孙晓娟，郭龙，张山丽，陈雨轩，黎大兵单位：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
    10800
    limit2022-01-10 11:08

  • 孙瑞泽：全氮化镓集成

    930

    孙瑞泽：全氮化镓集成
    《全氮化镓集成器件与电路的发展与挑战》作者：孙瑞泽，刘超，陈万军，张波单位：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，电子科技大学四川省功率半导体技术工程研究中心
    9300
    limit2022-01-10 10:39

  • 郭炜：III族氮化物极

    1940

    郭炜：III族氮化物极
    《III族氮化物极性调控在光电子及电力电子器件中的新应用》作者：郭炜，陈荔，徐厚强，戴贻钧，林伟，康俊勇, 叶继春单位：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，厦门大学
    19400
    limit2022-01-10 10:22

  • 唐宁：氮化镓量子阱中

    1710

    唐宁：氮化镓量子阱中
    《氮化镓量子阱中电子自旋弛豫性质研究》作者：张仕雄，唐宁，刘星辰，张晓玥，付雷，张云帆，樊腾，孙真昊，葛惟昆，沈波单位：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
    17100
    limit2022-01-07 14:16

  • 楚春双：基于III族氮

    1960

    楚春双：基于III族氮
    《基于III族氮化物的深紫外光电转换器件的研究》作者：楚春双，张勇辉，高元斌，杭升，黄福平，张紫辉单位：河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室，河北工业大学电子信息工程学院
    19600
    limit2022-01-07 08:50

  • 刘志强：氮化物“异构

    1980

    刘志强：氮化物“异构
    《氮化物异构外延》作者：刘志强，高鹏，伊晓燕，闫建昌，魏同波，王军喜，刘忠范，李晋闽单位：中科院半导体所，北京大学，北京石墨烯研究院
    19800
    limit2022-01-06 10:50

  • 王新强：二维材料上氮

    2670

    王新强：二维材料上氮
    《二维材料上氮化物半导体准范德华外延界面调控研究》作者：刘放，王涛，张智宏，申彤，杨怀远，盛博文，荣新，陈兆营，刘开辉，李新征，沈波，王新强单位：北京大学
    26700
    limit2022-01-06 10:48

  • 胡安琪：高灵敏石墨烯

    700

    胡安琪：高灵敏石墨烯
    《高灵敏石墨烯氮化镓探测器》作者：胡安琪, 郭霞单位：北京邮电大学
    7000
    limit2022-01-06 10:46

  • 蒋科：宽禁带氮化物半

    580

    蒋科：宽禁带氮化物半
    《宽禁带氮化物半导体紫外探测器研究》作者：蒋科，孙晓娟，郭龙，张山丽，陈雨轩，黎大兵单位：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，中国科学院大学材料科学与光电工程中心
    5800
    limit2022-01-06 10:45

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