首页 > 视频 > 搜索

  • 吴雅苹：氮化物半导体

    590

    吴雅苹：氮化物半导体
    《氮化物半导体自旋调控及其器件应用》作者：吴雅苹，宋安柯，吴启鹏，林涤，李煦，吴志明，康俊勇单位：厦门大学物理系
    5900
    limit2022-01-06 10:27

  • 宁静：范德华外延氮化

    2490

    宁静：范德华外延氮化
    《范德华外延氮化物异质结构与光电集成》作者：宁静，张进成，郝跃单位：西安电子科技大学微电子学院
    24900
    limit2022-01-06 10:19

  • 席鑫：BiVO4和WO3异质

    1260

    席鑫：BiVO4和WO3异质
    《BiVO4和WO3异质结增强GaN在光解水中的性能》作者：席鑫，陈志忠单位：北京大学
    12600
    limit2022-01-06 10:10

  • 王浩敏：厚层六角氮化

    1680

    王浩敏：厚层六角氮化
    《厚层六角氮化硼制备、微观测量与应用》作者：王浩敏，吴天如，贺立，卢光远，时志远单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
    16800
    limit2022-01-05 17:18

  • 朱昱豪：基于氮化镓金

    2630

    朱昱豪：基于氮化镓金
    《基于氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管的单片集成DFF-NAND与DFF-NOR电路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文辉清，刘雯单位：西交利物浦大学智能工程学院
    26300
    limit2022-01-05 17:11

  • 马骋：硅基氮化镓外延

    2420

    马骋：硅基氮化镓外延
    《硅基氮化镓外延材料射频损耗产生机理及其抑制方法》作者：马骋，杨学林，刘丹烁，蔡子东，陈正昊，沈波单位：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
    24200
    limit2022-01-05 16:53

  • 冯志红：氮化镓高功率

    3680

    冯志红：氮化镓高功率
    《氮化镓高功率太赫兹源》作者：冯志红单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
    36800
    limit2022-01-05 16:38

  • 梁锋：GaN基大功率蓝

    1170

    梁锋：GaN基大功率蓝
    《GaN基大功率蓝光激光器》作者：梁锋，赵德刚单位：中国科学院半导体研究所
    11700
    limit2022-01-05 16:06

  • 刘建平：大功率氮化镓

    3910

    刘建平：大功率氮化镓
    《大功率氮化镓激光器研究进展》作者：刘建平单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
    39100
    limit2022-01-05 15:57

  • 龚政：氮化镓基Micro-

    3770

    龚政：氮化镓基Micro-
    《氮化镓基Micro-LED巨量转移及红光芯片进展》作者：龚政单位：广东省科学院半导体研究所
    37700
    limit2022-01-05 13:22

  • 刘斌：量子点/氮化物

    1890

    刘斌：量子点/氮化物
    《量子点/氮化物半导体集成结构的Micro-LED器件制备与应用》作者：刘斌，许非凡，余俊驰，陶涛，陆海，陈敦军，张荣单位：南京大
    18900
    limit2022-01-05 11:31

  • 宋文涛：液态铟氮化生

    1490

    宋文涛：液态铟氮化生
    《液态铟氮化生长高质量氮化铟》作者：李凯，黄增立，刘争晖，徐耿钊，韩厦，陈科蓓，张春玉，宋文涛，徐科单位：中国科学院苏州
    14900
    limit2022-01-05 11:20

  • 石芝铭：宽禁带III族

    1570

    石芝铭：宽禁带III族
    《宽禁带III族氮化物中点缺陷单光子发射的理论研究》作者：石芝铭，臧行，齐占斌，孙晓娟，黎大兵单位：中科院长春光学精密机械
    15700
    limit2022-01-05 11:09

  • 【视频报告 2018】南

    18960

    【视频报告 2018】南
    南方科技大学副教授刘召军在《多功能化氮化镓基高分辨率Micro-LED显示器》研究报告。
    189600
    limit2021-04-29 12:28

  • 【视频报告 2018】中

    30

    【视频报告 2018】中
    中微半导体设备（上海）有限公司副总裁MOCVD产品事业部总经理郭世平带来了《氮化物深紫外LED生产型MOCVD机台设计及外延生长的挑
    300
    limit2021-04-29 12:23

  • 【视频报告 2018】西

    13170

    【视频报告 2018】西
    西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主题报告。他介绍说，在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件，其阈值电压达到0.6V，饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨导达到412mS/mm，电流截止频率达到61GHz，最大
    131700
    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】敖

    23130

    【视频报告 2018】敖
    日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平在《用于微波无线电能传输的氮化镓射频肖特基二极管》报告中介绍到：无线电能传输技术是非常有前景的新技术，可以用在各种各样的无线系统，比如无线充电、能量收割、无处不在的电源和建筑物内的电源供应等。在微波无线电能传输系统里，通常采用天线整流电路（rectenna）来完成RF到DC的能量转换。天线整流电路广泛地用到肖特基势垒二极管（SBD）。但是，目前市场上很难找到能在天
    231300
    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】苏

    8650

    【视频报告 2018】苏
    苏州能讯高能半导体有限公司李元分享了《以系统方法实现氮化镓射频功率器件的高可靠性：我们的成就及新进展》主题报告。氮化镓射频功率器件因其优良的性能而在基础工业领域（如5G通讯基站）具有广泛的应用前景。基础工业应用要求的超长连续工作寿命及可能的外部恶劣工作环境，对器件的可靠性提出了更高的要求。能讯高能半导体通过一个系统工程，从产品设计，工艺开发，器件生产，到最终筛选测试，每一个环节都按严格的程序进行，确
    86500
    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】中

    12680

    【视频报告 2018】中
    中科院半导体研究所所长助理、研究员张韵分享了《III族氮化物基射频HEMT、HBT与滤波器》报告，受限于铌酸锂声速较低(3400-4000 m/s)，商用铌酸锂基声表面波（SAW）滤波器工作频率通常低于3 GHz，难以满足通讯系统频率不断提升的需求，因此基于高声速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高频SAW滤波器成为研究热点。分别在铌酸锂衬底和AlN/蓝宝石衬底上制备出叉指宽度为2 靘的SAW滤波器，铌酸锂SAW滤波器的中心频率为426.7 MHz，而AlN基SAW 滤
    126800
    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】台

    9650

    【视频报告 2018】台
    【极智报告】台湾长庚大学邱显钦教授：适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案
    96500
    limit2021-04-29 12:20

相关搜索

联系客服 投诉反馈  顶部