电流/功率截止频率为135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鹏山东大学新一代半导体材料研究院研究员CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University

无等离子体损伤GaN HEMT极化隔离的设计与优化Design and optimization of polarization isolation toward plasma-damage-free GaN HEMT戴贻钧中国科学院宁波材料技术与工程研究所DAI YiyunNingbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences

全色显示材料与3D芯片集成技术Integrated technology of panchromatic display materials and 3D chips范谦东南大学下一代半导体材料研究所研究员

基于HfZrO2与b-Ga2O3异质结的高性能自驱动日盲紫外光探测器P-Type SnO2 Fabrication and Construction of SnO2 Homojunction UV Photodetector黎明锴湖北大学材料科学与工程学院教授LIMingkaiProfessor of Hubei University

微米级氧化镓厚膜的载流子定向输运与深紫外光电探测Directional carrier transport in micrometer-thick gallium oxide films for high-performance deep-ultraviolet photodetection张文瑞中科院宁波材料所研究员Zhang WenruiProfessor Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences

新型宽禁带压电半导体材料-Ga2O3及其在射频谐振器中的应用-Ga2O3: an Emerging Wide Bandgap Piezoelectric Semiconductor for Application in Radio Frequency Resonators王钢中山大学佛山研究院院长，中山大学半导体照明材料及器件国家地方联合工程实验室主任、教授WANG GangProfessor and Dean of Foshan Institute of Sun Yat-Sen University; Director of the National-Local Joint Engineering Laboratory of Semiconductor

背光模组中Mini LED对封装材料的要求与挑战Requirements and Challenges for Packaging Materials for Mini LEDs used in Backlight Modules徐建军北京康美特科技股份有限公司首席技术官Jianjun XUCTO of Beijing KMT Technology Co., Ltd.

用于先进SiC功率模块的整体解决（核心设备/材料/工程）方案Overall solution (core equipment/materials/engineering) for advanced SiC power module周鑫苏州博湃半导体技术有限公司市场销售总监ZHOU XinDirector of Sales Marketing, Suzhou Bopai Semiconductor Technology Co., Ltd.

高性能GaN-on-GaN材料与器件的外延生长High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication王国斌江苏第三代半导体研究院研发部负责人WANG GuobinSenior Project ManagerHead of RD Dept of Jiangsu Institute of Advanced Semiconductors

平片蓝宝石衬底上高质量AlN材料MOCVD外延生长High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD赵德刚中国科学院半导体所研究员ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS

中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃教授带来了超宽禁带半导体器件与材料的若干新进展 的主题报告；中科院外籍院士、中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士带来了第三代半导体中的压电电子学与压电光电子学的主题报告；厦门大学校长张荣教授介绍了氮化物半导体基 Micro-LED显示技术新进展；大会主席、中国科学院半导体研究所李晋闽研究员带来了氮化物深紫外LED光源助力公共卫生安全 的主题报告。几大精彩主题报告，从技

一种基于宽禁带半导体材料的微孔阵列同位素电池张佳辰，韩运成*，王晓彧，何厚军，任雷，李桃生中国科学院合肥物质科学研究院中国科学技术大学湖北科技学院

MOCVD生长高质量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龙*，尹甲运，张志荣，王波，李佳，芦伟立，陈宏泰，牛晨亮中国电子科技集团公司第十三研究所

基于极化调控的GaN HEMT隔离特性研究戴贻钧，郭炜*，陈荔，李晓航，叶继春中国科学院宁波材料技术与工程研究所

提升深紫外LED的效率：从材料到器件Improve the Efficiency of Deep Ultraviolet LEDs: from Materials to Devices闫建昌--山西中科潞安紫外光电科技有限公司总经理、中科院半导体研究所研究员YANJianchang--General Manager of Advanced Ultraviolet Optoelectronics, Professor of Institute of Semiconductors, CAS

《氮化镓单晶材料的 HVPE 法与液相法生长研究》徐科 研究员 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

《一维ZnGa2O4纳米线网薄膜材料横向制备及其光电响应研究》作者：吴雨桐，张昆，冯双龙，陆文强单位：中国科学院重庆绿色智能技术研究院

《高温气氛退火对体材料单晶氧化镓晶体质量的研究》作者：武松浩，张逸韵单位：北京理工大学，中国科学院半导体研究所

《10BN中子探测材料生长与器件制备》作者：朱志甫，王少堂，邹继军，甘勇，汤彬单位：郑州工程技术学院，东华理工大学

《新型Al(Ga)N/GaN异质结外延材料研究》作者：李忠辉，彭大青，张东国，李传皓，杨乾坤，罗伟科，董逊，李亮单位：南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成电路国家级重点实验室