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蔡端俊：氢元素对深紫
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蔡端俊：氢元素对深紫
《氢元素对深紫外材料和器件的害处》作者：蔡端俊，卢诗强，钟志白，郭斌，陈小红，黄生荣，李书平，June Key Lee，康俊勇单位：厦门大学物理科学与技术学院
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limit2022-01-06 11:45
闫建昌：AlGaN基紫外L
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闫建昌：AlGaN基紫外L
《AlGaN基紫外LED材料和量子结构设计研究进展》作者：闫建昌，郭亚楠，刘志彬，王军喜，李晋闽单位：中国科学院半导体研究所，中国科学院大学
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limit2022-01-06 11:41
张纪才：半极性AlN材
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张纪才：半极性AlN材
《半极性AlN材料的HVPE生长研究》作者：张纪才，孙茂松，李旭，刘婷单位：北京化工大学数理学院，广西大学物理科学与工程技术学院
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limit2022-01-06 11:04
王新强：二维材料上氮
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王新强：二维材料上氮
《二维材料上氮化物半导体准范德华外延界面调控研究》作者：刘放，王涛，张智宏，申彤，杨怀远，盛博文，荣新，陈兆营，刘开辉，李新征，沈波，王新强单位：北京大学
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limit2022-01-06 10:48
王希玮：金刚石材料制
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王希玮：金刚石材料制
《金刚石材料制备加工和应用研究》作者：王希玮，彭燕，徐明升，胡小波，徐现刚单位：山东大学新一代半导体材料研究院
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limit2022-01-06 10:23
王蓉：半导体碳化硅材
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王蓉：半导体碳化硅材
《半导体碳化硅材料中位错的基本性质研究》作者王蓉，李佳君，罗昊，杨德仁，皮孝东单位：浙江大学杭州国际科创中心，浙江大学硅材料国家重点实验室和材料科学与工程学院
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limit2022-01-06 10:21
李万俊：超宽带隙氧化
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李万俊：超宽带隙氧化
《超宽带隙氧化镓材料及其日盲深紫外探测器研究》作者：李万俊，刘浩文，周树仁，黄利娟，胡郑蕊，张红，熊元强，李泓霖，叶利娟单位：重庆师范大学物理与电子工程学院，光电功能材料重庆市重点实验室
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limit2022-01-06 10:08
欧欣：异质集成氧化镓
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欧欣：异质集成氧化镓
《异质集成氧化镓材料与器件》作者：徐文慧，王轶博，游天桂，胡浩东，韩根全，欧欣单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，西安电子科技大学
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limit2022-01-05 17:43
方志来：P型氮掺杂β-
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方志来：P型氮掺杂β-
《P型氮掺杂-氧化镓材料与器件初探》作者：方志来单位：复旦大学信息科学与工程学院，复旦大学光电研究院，工程与应用技术研究院
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limit2022-01-05 17:41
马骋：硅基氮化镓外延
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马骋：硅基氮化镓外延
《硅基氮化镓外延材料射频损耗产生机理及其抑制方法》作者：马骋，杨学林，刘丹烁，蔡子东，陈正昊，沈波单位：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
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limit2022-01-05 16:53
刘建勋：大尺寸硅基Ga
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刘建勋：大尺寸硅基Ga
《大尺寸硅基GaN射频器件材料外延生长研究》作者：刘建勋，詹晓宁，孙秀建，黄应南，高宏伟，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
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limit2022-01-05 16:49
赵德刚：GaN材料碳杂
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赵德刚：GaN材料碳杂
《GaN材料碳杂质行为与激光器研究进展》作者：赵德刚单位：中国科学院半导体研究所，中国科学院大学
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limit2022-01-05 15:33
黄丰：宽禁带半导体材
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黄丰：宽禁带半导体材
《宽禁带半导体材料中载流子调控的普适性原理探讨》作者：黄丰单位：中山大学材料学院
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limit2022-01-05 11:13
许福军：AlGaN基深紫
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许福军：AlGaN基深紫
《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：许福军，沈波，单位：北京大学物理学院
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limit2022-01-05 09:53
【视频报告 2018】Kaz
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【视频报告 2018】Kaz
特阿卜杜拉国王科技大学的Kazuhiro OHKAWA教授介绍了《AlGaN 材料MOCVD生长优化和反应器设计》研究报告。报告中，在较宽的压力、Al /（Ga + Al）比例和温度范围内成功仿真AlGaN生长。考虑到适量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生长速率和组分与实验中的非常一致。这一技术使我们有可能优化氮化物MOCVD并设计升级反应器。
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limit2021-04-29 12:24
【视频报告 2018】星
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【视频报告 2018】星
常州星宇车灯股份有限公司工程师李茹分享了热界面材料的特性及其对LED车灯散热和可靠性影响的研究成果，结合具体的研究实践，她
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limit2021-04-29 12:11
【视频报告 2018】北
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【视频报告 2018】北
垂直氮化镓器件，尤其是硅衬底上，因其低成本衬底而引起了人们对大功率应用的广泛关注。但其性能仍低于氮化镓衬底上的垂直氮化镓器件。关键问题是在硅衬底上实现低位错密度和连续厚氮化镓层具有挑战性。会上，北京大学冯玉霞博士结合具体的研究实践，分享了Si衬底上GaN基外延材料生长及杂质缺陷研究的成果，首次提供了在C掺杂半绝缘氮化镓中取代C原子占据N位点的明确证据。
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limit2021-04-29 12:05
【视频专访 2019】南
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【视频专访 2019】南
江苏南大光电材料股份有限公司陈化冰副总裁受邀出席第十六届中国国际半导体照明论坛暨2019国际第三代半导体论坛期间，接受极智头
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limit2021-04-29 10:56
【视频报告 2019】Ult
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【视频报告 2019】Ult
上海大学教授，Ultratrend Technologies Inc总裁吴亮分享了大批量工艺制备的高质量氮化铝模板材料表征分析。报告中介绍了使用Ult
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limit2021-04-29 10:41
【视频报告 2019】中
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【视频报告 2019】中
报告嘉宾：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员黄勇主题报告：《锑化物半导体材料及器件》
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limit2021-04-29 10:24