Mini/Micro-LED微显示技术分析与应用刘海坤博士TCL科技集团工业研究院

SiC功率MOSFET技术及应用进展柏松中国电子科技集团首席专家、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任BAI SongChief Scientist of China Electronics Technology Group Corporation, Director of National Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices

多波段光谱组合在临床医学的应用Clinical Applications of Multi - spectrum Combination Light Therapy.蓝卫河北奥特维力医疗器械有限公司董事长LAN WeiHEBEI?ULTRAVE?MEDICAL?INSTRUMENT?CO.,LTD

光在慢病干预中的应用研究崔锦江苏州国科盈睿医疗科技有限公司总经理、中国科学院苏州生物医学工程技术研究所研究员CUI JinjiangGeneral Manager of INGRAY, Professor of Suzhou Institute of Biomedical Engineering and Technology, CAS

GaN/SiC功率器件在航天电源的应用前景Application prospect of GaN/SiC power devices in aerospace power supply万成安北京卫星制造厂有限公司领域总师WAN Chengan Field Chief Engineer of Beijing Satellite Manufacturing Factory Co., Ltd

SiC功率器件在光伏逆变器中的应用进展Application progress of SiC power devices in photovoltaic inverters刘保颂锦浪科技技术研究中心总监LIU Baosong Technical director of Ginlong Technologies co.,ltd

基于宽禁带器件的高频大功率模组应用Application of high frequency and high power module based on wide band gap device刘正阳上海沛塬电子有限公司市场产品总监Zhengyang LIUShanghai MetaPWR Electronics Co., LTD

碳化硅及氮化镓功率器件在数据中心AC-DC电源上的应用及展望The application and prospect of wide band gap devices in AC-DC power supply in data center董慨台达电子高阶客制电源事业部中国区总监Dong KaiRD Director of CDBU, Delta Electronics

用于高效能量转换应用的GaN HEMT的深能级效应和可靠性Deep level effects and reliability of GaN HEMTs for high efficiency energy conversion applicationsEnrico Zanoni意大利帕多瓦大学信息工程系教授Enrico ZanoniProfessor of Dipartimento di Ingegneria dellInformazioneUniversit di Padova

定量阴极发光CL技术在氮化物半导体中的应用Application of Quantitative Cathodoluminescence Technology in Nitride Semiconductors刘兵武北京正通远恒科技有限公司总经理Stephen LiUGeneral Manager of Beijing HONOPROF Sci.Tech. Ltd

新型MO源及在第三代半导体中的应用Novel MO Sources and Their Applications in Wide Bandgap Semiconductors杨敏江苏南大光电材料股份有限公司首席科学家

应用于垂直器件的高电导率GaN单晶衬底制HVPE Growth of Bulk GaN with High Conductivity for Vertical Devices王建峰苏州纳维科技有限公司总经理WANG JianfengGeneral Manager of Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd

常见的氮化镓器件为在异质衬底上长氮化镓外延层制作成半导体器件。但由于使用的是异质衬底，材料之间存在着晶格失配与热失配导致外延材料位错密度比较高，阻碍了相关器件性能的提升及其稳定性。采用氮化镓单晶衬底实现同质外延是提高氮化镓外延层晶体质量进而提高氮化镓器件的主要途径。刘宗亮博士在报告中结合GaN材料生长制备的主要方法及挑战，GaN单晶制备的主要方法与特点以及国际上GaN单晶生长研究进展等，分享了GaN单晶衬底生

主题对话环节，北京大学沈波教授主持下，中科院半导体所研究员赵德刚，中微半导体公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平，清华大学长聘副教授汪莱，中科院苏州纳米所研究员孙钱，南京大学教授陈鹏，中科院长春光机所研究员孙晓娟，南京大学教授陆海，江南大学教授敖金平，中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵，浙江大学研究员、电力电子技术研究所副所长杨树，中科院微电子研究所研究员黄森等学界、业界中青代骨干

基于金属有机化学气相沉积的-Ga2O3薄膜异质外延及其在场效应晶体管中的应用王钢*，陈伟驱，罗浩勋，陈梓敏，卢星，裴艳丽中山大学

从应用端看GaN功率电子器件面临的关键可靠性难题及器件性能提升方案周峰，徐尉宗，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海*南京大学

宽禁带氧化物半导体日盲紫外探测器及其在大气臭氧检测中的应用研究刘可为*，陈星，杨佳霖，韩冬阳，侯其超，申德振中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

单片集成发光探测的深紫外micro-LED阵列光通信应用单心怡，田朋飞*，朱世杰，仇鹏江，钱泽渊，林润泽，汪舟，崔旭高复旦大学

面向可见光通信与传感应用的微小尺寸LED器件研究刘斌*，许非凡，王彬，陶涛，田朋飞，王国斌，徐科，黄凯，张荣南京大学

先进封装大板扇出研发及功率器件封装应用The Research on Panel Level Fan Out Package and its Application on Power Electronics林挺宇广东佛智芯微电子技术研究有限公司副总经理，广东省半导体智能装备与系统集成创新中心首席科学家Tingyu LINDeputy General Manager of Guangdong FZX Microelectronics Technology Co. Ltd, Principal Scientist of CNC Equipment Cooperative Innovation Institute