• 汪莱:宽禁带半导体异
    《宽禁带半导体异质嫁接及其器件应用》作者:刘洋,汪莱,郝智彪,罗毅单位:清华大学电子工程系
    11800
    limit2022-01-07 10:12
  • 汪丹浩:基于宽禁带
    《基于宽禁带铝镓氮纳米线的新型紫外光电化学光探测器研究进展》作者:汪丹浩,孙海定,龙世兵单位:中国科学技术大学微电子学院
    12000
    limit2022-01-07 08:55
  • 蒋科:宽禁带氮化物半
    《宽禁带氮化物半导体紫外探测器研究》作者:蒋科,孙晓娟,郭龙,张山丽,陈雨轩,黎大兵单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院大学材料科学与光电工程中心
    5800
    limit2022-01-06 10:45
  • 龙世兵:超宽禁带氧化
    《超宽禁带氧化镓半导体功率电子器件和光电探测器》作者:龙世兵,徐光伟,赵晓龙,孙海定单位:中国科学技术大学
    34300
    limit2022-01-05 17:12
  • 江晓松:宽禁带半导体
    《宽禁带半导体工艺气体纯化》作者:江晓松单位:上海先普气体技术有限公司
    12500
    limit2022-01-05 15:28
  • 黄丰:宽禁带半导体材
    《宽禁带半导体材料中载流子调控的普适性原理探讨》作者:黄丰单位:中山大学材料学院
    36400
    limit2022-01-05 11:13
  • 石芝铭:宽禁带III族
    《宽禁带III族氮化物中点缺陷单光子发射的理论研究》作者:石芝铭,臧行,齐占斌,孙晓娟,黎大兵单位:中科院长春光学精密机械
    15700
    limit2022-01-05 11:09
  • 黎大兵:AlN基宽禁带
    《AlN基宽禁带半导体缺陷调控及p型掺杂研究》作者:黎大兵,孙晓娟,蒋科,贲建伟,张山丽,单位:中国科学院长春光机所、中国科学院大学材料科学与光电工程中心《AlN基宽禁带半导体缺陷调控及p型掺杂研究》作者:黎大兵,孙晓娟,蒋科,贲建伟,张山丽,单位:中国科学院长春光机所、中国科学院大学材料科学与光电工程中心《AlN基宽禁带半导体
    40100
    limit2022-01-05 09:19
  • 视频报告 2017---功率
    美国国家工程院院士、美国加利福尼亚大学杰出教授、Transphorm 的联合创始人Umesh K. MISHRA的高足吴毅锋博士,分享了功率器件之争:宽禁带vs硅的发展动态。 吴毅锋表示宽禁带技术对于电力、能源节约具有非常重要的意义。我们需要继续发展功率元件,该领域的市场潜力非常大,对于功率器件而言,可靠性至关重要。结合目前的发展情况,对于硅、碳化硅和硅基氮化镓来说,硅基氮化镓能力性可能更强。硅是目前功率元件中最成功的,已经
    99600
    limit2021-04-29 12:39
  • 【视频报告 2018】AIX
    一直以来,高功率密度电动汽车电力驱动系统是新一代大功率电动汽车发展的主要挑战,宽禁带功率器件的应用,将对新一代电动汽车的发展产生重要影响。德国亚琛工业大学教授,AIXTRON SE 全球副总裁Michael HEUKEN带来了宽禁带器件在汽车应用中的加速采用的报告,分享了目前的发展现状及AIXTRON的策略。
    134600
    limit2021-04-29 12:05
  • 【视频报告 2019】南
    南京大学教授陆海报告中介绍了宽禁带半导体紫外光电探测器及其应用进展。介绍了基于III族氮化物半导体和SiC的高性能UV光电探测器的材料生长,设计和制造方面的最新工作。
    176300
    limit2021-04-29 10:46
  • 【极智课堂】西安电子
    西安电子科技大学教授张金风做了题为金刚石超宽禁带半导体材料和器件新进展的主题报告。她介绍说,金刚石属于新兴的超宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大,耐击穿,载流子迁移率高,热导率极高,抗辐照等优点。在热沉,大功率、高频器件,光学窗口,量子信息等领域具有极大应用潜力。报告中介绍了大尺寸金刚石单晶的制备方法最成功的是同质外延的克隆拼接生长方法和在Ir衬底上异质外延的生长方法。她表示,实现室温下高电离率的体掺
    146400
    limit2020-02-01 16:23
  • 日本国立佐贺大学电气
    日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新带来了题为超宽禁带氧化半导体的生长和特性的主题报告。郭其新主要从事半导体材料制备与表征,同步辐射光应用研究。报告中主要介绍了Ga2O3等宽禁带氧化半导体薄膜的生长和特性。通过对于In和Al元素的调整我们可以调整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能带宽度。研究制备了Ga2O3:Er/Si LED,其驱动电压稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同时,还研究了Eu掺杂的Ga2O3薄膜的
    121400
    limit2020-02-01 16:22
  • 荷兰代尔夫特理工大学
    荷兰代尔夫特理工大学教授Braham FERREIRA带来了题为宽禁带功率半导体国际技术路线图的精彩报告,介绍了宽禁带功率半导体国际技
    592800
    limit2019-12-31 12:41
  • 加拿大CROSSLIGHT半导
    加拿大CROSSLIGHT半导体软件公司创立人兼总裁李湛明分享了《宽禁带器件的设计和TCAD模拟》研究报告。早年经华人诺奖得主李政道博
    324500
    limit2019-12-30 13:04
  • 极智报告|荷兰代尔夫
    荷兰代尔夫特理工大学教授、IEEE电力电子协会主席Braham FERREIRA在“未来宽禁带电力电子技术的发展”报告时表示,开幕式上曹部长说到2030年巨大的战略和规划,同时我们有非常卓越的一些技术性的演讲,但这些演讲都是关于技术方面的,我们能做什么?如
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    limit2025-04-12 11:07
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