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  • 【视频报告 2018】西

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    【视频报告 2018】西
    西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主题报告。他介绍说，在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件，其阈值电压达到0.6V，饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨导达到412mS/mm，电流截止频率达到61GHz，最大
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    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】台

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    【视频报告 2018】台
    【极智报告】台湾长庚大学邱显钦教授：适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案
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  • 【视频报告 2018】厦

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    【视频报告 2018】厦
    厦门大学副教授林岳分享了聚合物薄膜中MAPbBr3量子点降解的研究成果，合成了聚合物包覆MAPbBr3量子点（平均直径3nm），通过研究
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  • 【视频报告 2018】西

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    【视频报告 2018】西
    GaN基的LED在大功率照明方面的巨大潜力吸引了很多研究者的注意。西安交通大学田震寰博士带来了激光打孔和双衬底转移技术制备金字
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  • 【视频报告 2018】南

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    【视频报告 2018】南
    黄光的突破拉开了没有荧光粉LED照明技术的序幕产业的序幕，无荧光粉固态照明技术为半导体照明产业注入新的活力，有望在智能照明
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  • 【视频报告 2018】西

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    【视频报告 2018】西
    【极智报告】西安交通大学张盛楠：Preparation of carbon dots by microwave synthesis for white LED devices
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  • 【视频报告 2018】华

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    【视频报告 2018】华
    华中科技大学博士谢斌，做了题为量子点LED封装与热管理的报告，从封装层面提出量子点白光LED的热管理方案，从而在保证光学性能的
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  • 【视频报告 2018】荷

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    【视频报告 2018】荷
    荷兰代尔夫特理工大学高压能量系统的性能部门教授Rob ROSS做了关于基于浴盆曲线类型和相似性的半导体批量性能的报告，带来了其在
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  • 【视频报告 2018】香

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    【视频报告 2018】香
    封装可靠性的评估是非常重要的环节，会上香港科技大学陶勉做了题为用于封装可靠性评估的热机测试芯片的设计与制备的报告。
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  • 【视频报告 2018】南

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    【视频报告 2018】南
    南昌大学方文卿教授带来了《基于光的非视觉效应重新梳理光与人类的关系》学术报告。报告中重新组织光与人之间的关系，并指出照明
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  • 【视频报告 2018】浙

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    【视频报告 2018】浙
    浙江大学教授、国际照明委员会副主席罗明分享了《LED照明对不同年龄群体人们工作绩效的影响》主题报告。从照度的角度来看呢，我
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  • 【视频报告 2018】温

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    【视频报告 2018】温
    温州医科大学附属眼视光医院周佳玮教授分享了《健康视觉的光需求:机遇与挑战》报告。他表示，目前很多实验都是基于细胞和动物做
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  • 【视频报告 2018】福

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    【视频报告 2018】福
    福州大学的林维明教授带来了《基于APWM-PFM控制的降压Cuk/LLC单级LED驱动电路》主题报告。
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  • 【视频报告 2018】复

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    【视频报告 2018】复
    田朋飞教授在报告中提出，并实验实现了红，绿和蓝激光二极管(RGB-LD)混合的白光系统，来同时用于基于波分复用(WDM)的高速水下无
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  • 【视频报告 2018】华

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    【视频报告 2018】华
    人工光培育植物，植物营养品质的保证是人们非常关注的方向。华南农业大学教授刘厚诚分享采用UV-A和蓝光处理对樱桃番茄果实营养品
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  • 【视频报告 2018】中

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    【视频报告 2018】中
    对于植物工厂中植物的培养，合适的光环境非常重要。中国农业大学教授贺冬仙做了植物工厂水培生菜育苗的LED光环境调控的报告。
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  • 【视频报告 2018】英

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    【视频报告 2018】英
    世界农业正在向可持续性和资源利用效率创新驱动的新技术范式过渡。通过持续的智能、绿色和增长革命以及市场的新需求，这种新模式
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  • 【视频报告 2018】日

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    【视频报告 2018】日
    日本名城大学副教授Motoaki IWAYA 带来了关于基于AlGaN 激光的发展现状的报告。
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  • 【视频报告 2018】港

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    【视频报告 2018】港
    集成功率器件与智能控制单元、基于片上系统解决方案的智能功率芯片技术成为未来功率系统的最佳选择。然而，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成所需的功率模块和各种控制单元模块。
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  • 【视频报告 2018】加

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    【视频报告 2018】加
    与功率MOS场效应晶体管相比，驱动氮化镓功率晶体管存在诸多困难，这些困难包括阈值电压低、最大栅极电压和额定栅极电压之间的公差狭小、高转换速率带来的电流变化率和电压变化率问题。现有的氮化镓驱动集成电路需要外部电阻器设定上拉速度和下拉速度，这将导致印刷电路板空间和额外寄生效应的增加。现有的氮化镓驱动集成电路的其他缺陷诸如固定的输出电压、无精确定时控制能力等也限制了其应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了
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    limit2021-04-29 12:05

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