德国 ALLOS semiconductors GmbH 总裁Alexander LOESING分享了“用于微LED的具有精确应变控制和优异发射均匀性的200mm硅基镓氮LED外延片”报告。他表示，精准的应变控制对硅基镓氮的晶圆，能够通过结合形成中间层来获得，能够让我们有精确的应变控制，之前产业是没有想象过的，能够让我们实现刚刚说的五大特点。问题是什么？ 副作用是什么？我们看没有幅面的作用，对于我们生产来说是完全可以实现的。

复旦大学的副教授田朋飞则带来了“基于微LED与钙钛矿量子点结合的高带宽白光通信系统”报告。他表示，可见光通信是一种先进的无线通信技术，它可以将固态照明和光通信结合在一起。由大尺寸的蓝光LED和黄色荧光粉组成的白光LED是常用的固态照明光源，但是黄色荧光粉的调制带宽很低，限制了白光LED的最高数据通信速率，因而需要发展新型高带宽白光LED。他介绍了一种新型高带宽白光系统，使用蓝光氮化镓基霯ED来激发具有黄色发光光谱的钙钛矿量子点CsPbBr1.8I1.2来实现高速实时可见光通信。

中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员刘建平在做“镓氮基蓝光与绿光激光二极管的发展”报告时表示，对GaN基蓝色和绿色的激光二极管（LD）的研究已经引起人们的广泛关注，在过去的几年里，为了满足激光显示应用的需求。我们提高了发光均匀性和减少基蓝光LD结构面自支撑GaN衬底上生长GaN的内部损失。同质外延GaN层的形貌是由边角料取向和GaN衬底角度很大的影响。并且通过工程InGaN/GaN量子阱的界面，我们已经实现了绿色激光器结构1.85 kA cm-2低阈值电流密度。在室温连续波作用下，绿光LD的输出功率为

中国科学院微电子研究所研究员黄森分享“基于超薄壁垒AlGaN / GaN 异质结构的常关型GaN MIS-HEMTs制造”报告。 中国科学院微电子研究所研究员黄森表示，超薄势垒（UTB）AlGaN / GaN异质结用于制造常关断型GaN基MIS-HEMT。通过低压化学气相沉积（LPCVD）生长的SiNx钝化膜，有效地减少了超薄势垒（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN异质结构中2维电子气体（2DEG）的薄层电阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表现出

北京大学微电子学院陶明分享“高击穿电压高和低电流崩塌的常关硅基GaN MOSHEMT”新进展报告。她主要介绍了一种无等离子体、自停止的栅刻蚀技术，在 优化的HEMT结构上实现了高性能的增强型GaN MOSHEMT。

北京大学教授陈志忠介绍了基于纳米图案蓝宝石衬底通过MOCVD生长蓝绿色LED。陈志忠表示，GaN基青光LED通过低压金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长得到。首先在成核层上进行两步法高温生长GaN模板，接着在模板上生长青光LED，波长为490nm。通......请您在WIFI条件下观看！或下载极智APP收藏反复观看！

中微半导体设备(上海)有限公司主任研究员胡建正分享了介绍了基于高产率MOCVD平台 - AMEC Prismo A7TM的氮镓LED生长研究。胡建正主要研究基于GaN材料的LED器件设计、性能及可靠性分析。主要参与进行了中微第一代及第二代MOCVD的设计、工艺开发及...请您在WIFI条件下观看！或下载极智APP收藏反复观看！

浙江大学教授/浙江方大智控股份有限公司董事长宋宏伟在作基于物联网平台的智能电杆的进展与挑战报告。报告中，详细介绍了照明管理系统、基于物联网技术的进展和智能交通系统。他表示从PLC到NB-loT，是技术发展的方向，但目前来说NB-IoT的成本还比较高，希望模块成本能降到4-5美元，NB-IoT技术就会广泛应用起来。随后，介绍了一系列智慧照明解决方案，和项目案例中的技术分析。嘉兴4万多盏智慧照明控制项目，为目前业界最大的LED+智能单灯改造项目。沙特利雅得 6.1万盏智能照明项目、柬埔寨智慧照明项目、杭新景高

杭州电子科技大学教授谢小高分享了“基于可变协同电感的LLC的拓扑在宽范围的调光领域里的实现技术”报告。LLC拓扑结构有很多优点，高效率，软开关，结构相对比较简单，是现在大功率的一些LED驱动器的首选拓扑，一般在60万以上的LED驱动器里大部分的结构都是选用LLC，40万以上的也用LLC，主要是用在它里面的一些开关器件可以换成低成本的三极管实现，像前面的电路可以用一些无缘的方式实现。他表示，采用可变电感的LLC的变换器，用在宽范围调光里还是有一定的好处，首先它的结构比较简单，把常规的电感变成一个可变电感，