• 京大学理学部副主任
    基于大失配外延的氮化物第三代半导体材料与器件Nitride Semiconductor Materials and Devices Based on Large Mismatch Epitaxy沈波北京大学理学部副主任、特聘教授SHEN Bo Deputy Deanand Distinguished Professorof Facultyof Science, Peking University
    324000
    IFWS2025-01-09 15:42
  • 方华创张轶铭:面向
    面向SiC功率器件的装备与工艺解决方案NAURA Solutions for SiC Power Devices张轶铭北京北方华创微电子装备有限公司Zhang YimingBeijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,Ltd
    55600
    IFWS2025-01-09 15:05
  • 京大学第三医院妇科
    LED光疗在女性生殖健康中的临床应用Clinical Applications of LED Phototherapy in Women's Reproductive Health吴章鑫北京大学第三医院妇科主治医师WU ZhangxinGynecologist of Peking University Third Hospital
    55600
    SSLCHINA2025-01-09 14:49
  • 中国科学院京纳米能
    AlGaN/GaN HEMT能带工程和界面调制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡卫国中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences
    103200
    guansheng2023-05-22 15:02
  • 京理工大学教授钟海
    蓝光量子点电致发光的若干基础问题研究Recent Progress on the Fundemental Research of Blue QD-LEDs钟海政北京理工大学教授ZHONG Haizheng Professor of Beijing Institute of Technology
    97700
    guansheng2023-05-22 14:12
  • 京大学教授、大东
    蓝宝石衬底InGaN基红色LED及MicroLEDInGaN based red LEDs and MicroLEDs on sapphire substrate王新强北京大学教授、北大东莞光电研究院院长WANG XinqiangDean of Dongguan Institute of Opto-electronics, Peking University
    104300
    guansheng2023-05-22 13:59
  • 方华创第一刻蚀事业
    等离子刻蚀技术在第三代化合物半导体领域的应用Application of Plasma Etching Technology in the Third-generation Compound Semiconductor Field谢秋实北京北方华创微电子装备有限公司 第一刻蚀事业部副总经理XIE QiushiDeputy General Manager of NAURA Technology Group Co., Ltd.
    109900
    guansheng2023-05-22 13:49
  • 工业大学教授张紫
    GaN半导体垂直腔面激光器的仿真设计与分析Simulation Design and Analysis of GaN Semiconductor Vertical Cavity Surface Laser张紫辉河北工业大学教授ZHANG ZihuiProfessor of Hebei University of Technology
    81600
    guansheng2023-05-22 13:32
  • 京大学聂靖昕:Addi
    Additional Light Components Decrease the Light Damage on Rats Retina聂靖昕北京大学NIE JingxiPeking University
    44600
    guansheng2023-05-22 11:51
  • 大学材料科学与工
    基于HfZrO2与b-Ga2O3异质结的高性能自驱动日盲紫外光探测器P-Type SnO2 Fabrication and Construction of SnO2 Homojunction UV Photodetector黎明锴湖北大学材料科学与工程学院教授LIMingkaiProfessor of Hubei University
    81200
    guansheng2023-05-19 15:03
  • 大学何云斌教授:
    MgO(100)上生长柱状纳米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高灵敏度日盲探测器研究Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity何云斌湖北大学教授HE YunbinProfessor of Hubei University
    113500
    guansheng2023-05-19 14:23
  • 京大学工学院特聘研
    超高热导率立方砷化硼和氮化硼晶体Cubic boron arsenide and boron nitride crystals with ultrahigh thermal conductivity 宋柏北京大学工学院特聘研究员SONG BaiProfessor of Peking University
    131900
    guansheng2023-05-19 14:21
  • 控水务集团技术管理
    污水处理厂深紫外消毒设计及应用进展Design and application progress of DUV disinfection in sewage treatment plants杜军北控水务集团技术管理部水务经理Jon DUBeijing enterprise water group Limited
    83700
    guansheng2023-05-19 12:03
  • 京大学第六医院党卫
    光照治疗提高抑郁发作患者的脑功能light therapy improves brain functioning of patients with depression党卫民北京大学第六医院(北京大学精神卫生研究所)精神科医生、心理治疗师DANG WeiminPsychiatristPsychotherapist Peking University Sixth Hospital (Peking University Institute of Mental Health)
    81900
    guansheng2023-05-19 09:23
  • 京卫星制造厂有限公
    GaN/SiC功率器件在航天电源的应用前景Application prospect of GaN/SiC power devices in aerospace power supply万成安北京卫星制造厂有限公司领域总师WAN Chengan Field Chief Engineer of Beijing Satellite Manufacturing Factory Co., Ltd
    63400
    guansheng2023-05-19 09:08
  • 京大学副教授许福军
    AlGaN基低维量子结构外延和电导率调控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures许福军北京大学物理学院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University
    121900
    guansheng2023-05-19 08:51
  • 中国科学院京纳米能
    宽禁带材料具有非中心对称的晶体结构,因而表现出显著的压电特性,长期以来这些材料中压电极化电荷和半导体特性的耦合过程被忽略。近年来对于压电电子学和压电光电子学的基础及应用研究取得了快速地发展。多种功能材料中的压电电子学和压电光电子学的基本效应得到了系统深入地研究,相关的理论体系得以建立,诸多压电电子学和压电光电子学器件也被设计研发。会上,王中林院士带来了压电学理论与研究成果的分享,报告结合具体的数据
    201000
    guansheng2022-09-10 15:42
  • 京大学沈波教授:氮
    以氮化镓、氮化铝为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈,影响了材料和器件性能的提升。沈波教授在报告中,结合氮化物半导体面临的大失配外延生长问题、详细分
    180800
    guansheng2022-09-09 15:47
  • 大学陈兴驰:基于
    基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN异质结与pn结耦合增强型自驱动紫外探测器研究陈兴驰,陈剑,樊启贤,毛佳兴,张忠辉,许雅俊,卢寅梅,何云斌*湖北大学
    75100
    guansheng2022-09-01 16:22
  • 大学何云斌:Ga2O
    Ga2O3三元合金设计及其日盲紫外光电探测器研究王其乐,瞿秋琳,陈剑,黎明锴,卢寅梅,何云斌*湖北大学
    97500
    guansheng2022-09-01 16:16
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