该视频为：日本大阪大学助理教授CHEN Chuantong主讲的《SiC功率芯片贴片模组低应力连接技术》报告。为SiC芯片的键合，研究了一种烧结微孔和钨(W)薄膜的夹层结构。芯片粘连层被设计为微孔Ag/钨/微孔Ag以便增加粘连层厚度，从而实现低应力的SiC功率模块。Ag膏的厚度为0.1mm，而钨的厚度分别为0.1mm和0.5mm。粘连层剪切强度高达60Mpa，1000次热循环（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此烧结技术最有希望应用于高温工作的低应力的SiC功率模块。 第三代半导体材料主要包

泰科天润半导体科技（北京）有限公司（以下简称“泰科天润”）是中国碳化硅（SiC）功率器件产业化的倡导者之一，致力于中国半导体功率器件制造产业的发展，并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。 作为国内唯一一家碳化硅研发生产和平台服务型公司，泰科天润目前在北京已建成国内第一条完整的4～6寸碳化硅器件量产线，可在SiC外延上实现半导体功率器件的制造工艺。 泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。公司基础核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表，其中6

美国Wolfspeed 电力设备研究科学家Jon ZHANG教授带来“碳化硅功率器件的现状与展望”主题报告。Jon ZHANG教授表示，功率半导体器件是电力电子系统的重要组成部分，其决定了能量调节系统的效率、尺寸和成本。功率器件的进步革新了电力电子系统。针对不同的应用，如今的商业市场提供了广泛的电子器件。在所有类型的电力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模块中最常用的组件。尽管有这些优势，Si 功率器件正在接近他们的性能极限。

加拿大多伦多大学教授Wai Tung NG则带来了“GaN功率晶体管的栅极驱动器集成电路”研究报告氮化镓是一种宽能隙材料，它能够提供与碳化硅（SiC）相似的性能优势，但降低成本的可能性却更大。氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通...