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  • 西安电子科技大学微电

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    西安电子科技大学微电
    SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 张艺蒙西安电子科技大学微电子学院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University
    67200
    limit2022-05-01 17:18

  • 中电科四十八所半导体

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    中电科四十八所半导体
    SiC功率器件制造工艺特点与核心装备创新进展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices巩小亮中国电子科技集团公司第四十八研究所 半导体装备研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation
    65900
    limit2022-05-01 09:57

  • 林科闯：大功率 GaN

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    林科闯：大功率 GaN
    大功率 GaN 蓝绿激光器芯片设计、生长和制作 林科闯 总经理 三安光电股份有限公司
    41400
    limit2022-01-10 13:09

  • 陈鹏：GaN基肖特基功

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    陈鹏：GaN基肖特基功
    《GaN基肖特基功率器件研究新进展》作者：陈鹏单位：南京大学电子科学与工程学院
    31300
    limit2022-01-07 13:31

  • 徐尉宗：具有高可靠感

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    徐尉宗：具有高可靠感
    《具有高可靠感生能量泄放能力的AlGaN/GaN基功率器件研制》作者：徐尉宗，周峰，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海单位：南京大学电子科学与工程学院
    15600
    limit2022-01-07 11:50

  • 叶建东：氧化镓基双极

    3300

    叶建东：氧化镓基双极
    《氧化镓基双极型异质结功率器件研究》作者：叶建东，巩贺贺，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顾书林，陆海，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院
    33000
    limit2022-01-07 11:41

  • 龙世兵：超宽禁带氧化

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    龙世兵：超宽禁带氧化
    《超宽禁带氧化镓半导体功率电子器件和光电探测器》作者：龙世兵，徐光伟，赵晓龙，孙海定单位：中国科学技术大学
    34300
    limit2022-01-05 17:12

  • 陆海：面向复杂电气应

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    陆海：面向复杂电气应
    《面向复杂电气应用环境的高可靠性GaN功率电子器件研究》作者：陆海，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院
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    limit2022-01-05 16:58

  • 冯志红：氮化镓高功率

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    冯志红：氮化镓高功率
    《氮化镓高功率太赫兹源》作者：冯志红单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
    37200
    limit2022-01-05 16:38

  • 梁锋：GaN基大功率蓝

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    梁锋：GaN基大功率蓝
    《GaN基大功率蓝光激光器》作者：梁锋，赵德刚单位：中国科学院半导体研究所
    11700
    limit2022-01-05 16:06

  • 刘建平：大功率氮化镓

    3910

    刘建平：大功率氮化镓
    《大功率氮化镓激光器研究进展》作者：刘建平单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
    39100
    limit2022-01-05 15:57

  • 视频报告 2017---功率

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    视频报告 2017---功率
    美国国家工程院院士、美国加利福尼亚大学杰出教授、Transphorm 的联合创始人Umesh K. MISHRA的高足吴毅锋博士，分享了功率器件之争：宽禁带vs硅的发展动态。 吴毅锋表示宽禁带技术对于电力、能源节约具有非常重要的意义。我们需要继续发展功率元件，该领域的市场潜力非常大，对于功率器件而言，可靠性至关重要。结合目前的发展情况，对于硅、碳化硅和硅基氮化镓来说，硅基氮化镓能力性可能更强。硅是目前功率元件中最成功的，已经
    99600
    limit2021-04-29 12:39

  • 【视频报告 2018】株

    15680

    【视频报告 2018】株
    株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部副总经理研发中心主任戴小平介绍了《多电飞机平面封装型碳化硅功率模块》技术报告；
    156800
    limit2021-04-29 12:27

  • 【视频报告 2018】周

    25700

    【视频报告 2018】周
    美国伦斯勒理工学院的周达成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和稳健性》；
    257000
    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2018】苏

    8650

    【视频报告 2018】苏
    苏州能讯高能半导体有限公司李元分享了《以系统方法实现氮化镓射频功率器件的高可靠性：我们的成就及新进展》主题报告。氮化镓射频功率器件因其优良的性能而在基础工业领域（如5G通讯基站）具有广泛的应用前景。基础工业应用要求的超长连续工作寿命及可能的外部恶劣工作环境，对器件的可靠性提出了更高的要求。能讯高能半导体通过一个系统工程，从产品设计，工艺开发，器件生产，到最终筛选测试，每一个环节都按严格的程序进行，确
    86500
    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】港

    9010

    【视频报告 2018】港
    集成功率器件与智能控制单元、基于片上系统解决方案的智能功率芯片技术成为未来功率系统的最佳选择。然而，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成所需的功率模块和各种控制单元模块。
    90100
    limit2021-04-29 12:06

  • 【视频报告 2018】加

    8660

    【视频报告 2018】加
    与功率MOS场效应晶体管相比，驱动氮化镓功率晶体管存在诸多困难，这些困难包括阈值电压低、最大栅极电压和额定栅极电压之间的公差狭小、高转换速率带来的电流变化率和电压变化率问题。现有的氮化镓驱动集成电路需要外部电阻器设定上拉速度和下拉速度，这将导致印刷电路板空间和额外寄生效应的增加。现有的氮化镓驱动集成电路的其他缺陷诸如固定的输出电压、无精确定时控制能力等也限制了其应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了
    86600
    limit2021-04-29 12:05

  • 【视频报告 2018】电

    9770

    【视频报告 2018】电
    电子科技大学教授明鑫带来了功率GaN器件驱动技术的报告，分享了该技术领域的最新进展。
    97700
    limit2021-04-29 12:04

  • 【视频报告 2019】奥

    8600

    【视频报告 2019】奥
    奥趋光电技术（杭州）有限公司首席执行官吴亮分享《高功率UVC-LED用AlN单晶衬底生长最新进展及其未来挑战》。
    86000
    limit2021-04-29 11:04

  • 【视频报告 2019】苏

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    【视频报告 2019】苏
    报告嘉宾：苏州晶湛半导体有限公司市场总监朱丹丹博士 报告主题：《针对大功率应用的硅基氮化镓技术》
    300
    limit2021-04-29 10:26

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