所有的技术都有一个发展过程，尤其对于电网来说，它要求的高电压大电流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。国家电网全球能源互联网研究院功率半导体研究所副总工程师杨霏介绍了碳化硅材料和电力器件在电网当中的应用。其中对电网整体对材料的要求，材料部分的需求和装备的国内国际进展进行了细致介绍。他表示，预期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模块应当是可以达到应用水平，这样的话就是直流输电的话，灵活直流输电可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的应该可以达到应用水平，这样来说对电网的预期是整

德国爱思强股份有限公司电力电子器件副总裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生产率的碳化硅同质外延的程序在大容量生产反应器当中的表现主题报告。他表示，用于高产量生产的高增长率SiC同质外延工艺生长的大容量生产反应器，它是在于每小时二十五微米，更好地，更快速地长外延材料，那么也是在生产领域对于生产厂家来说是一个好事，那么同时它这个结果在之间出的效果，尤其是在一千二百伏元器件体现出来。预计2018年这种全面的自动化技术的使用，会使得我们整个产业会有大量的一个客户量的增长。

该视频为：日本大阪大学助理教授CHEN Chuantong主讲的《SiC功率芯片贴片模组低应力连接技术》报告。为SiC芯片的键合，研究了一种烧结微孔和钨(W)薄膜的夹层结构。芯片粘连层被设计为微孔Ag/钨/微孔Ag以便增加粘连层厚度，从而实现低应力的SiC功率模块。Ag膏的厚度为0.1mm，而钨的厚度分别为0.1mm和0.5mm。粘连层剪切强度高达60Mpa，1000次热循环（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此烧结技术最有希望应用于高温工作的低应力的SiC功率模块。 第三代半导体材料主要包

　　济南力冠电子科技有限公司于2013年投资成立，是山东省一家集开发、生产、销售为一体的专业厂家，产品广泛应用于大规模集成电路、电力电子器件、分立器件、光电子器件、MEMS、IGBT和太阳能电池、LED芯片生产设备, 新材料设备，晶体生长设备等领域。公司主要产品有：半导体技术专用工艺设备，电子元器件专用工艺设备，集成电路工艺设备，太阳能电池片专用工艺设备，LED芯片工艺设备，砷化镓工艺设备，纳米材料工艺设备，磁性材料工艺设备，航空航天及国家军工单位专用的工艺设备，产品种类多达两百多个。产品大多应用到许多科

泰科天润半导体科技（北京）有限公司（以下简称“泰科天润”）是中国碳化硅（SiC）功率器件产业化的倡导者之一，致力于中国半导体功率器件制造产业的发展，并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。 作为国内唯一一家碳化硅研发生产和平台服务型公司，泰科天润目前在北京已建成国内第一条完整的4～6寸碳化硅器件量产线，可在SiC外延上实现半导体功率器件的制造工艺。 泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。公司基础核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表，其中6

荷兰代尔夫特理工大学教授、IEEE电力电子协会主席Braham FERREIRA在“未来宽禁带电力电子技术的发展”报告时表示，开幕式上曹部长说到2030年巨大的战略和规划，同时我们有非常卓越的一些技术性的演讲，但这些演讲都是关于技术方面的，我们能做什么？如

美国Wolfspeed 电力设备研究科学家Jon ZHANG教授带来“碳化硅功率器件的现状与展望”主题报告。Jon ZHANG教授表示，功率半导体器件是电力电子系统的重要组成部分，其决定了能量调节系统的效率、尺寸和成本。功率器件的进步革新了电力电子系统。针对不同的应用，如今的商业市场提供了广泛的电子器件。在所有类型的电力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模块中最常用的组件。尽管有这些优势，Si 功率器件正在接近他们的性能极限。

软通动力信息技术（集团）有限公司副总裁、边缘计算产业联盟副秘书长曹晓兵做了题为“智慧路灯，智慧城市的新入口”的报告，介绍了当前中国智慧城市的发展现状、发展阶段，并分享了对智慧路灯发展应用的思考。 智慧城市建设是转变经济增长模式，拉动内需等的重要手段，目前，中国几乎所有副省级以上的城市以及近一半的县级城市纳入智慧城市建设的范围。预计“十三五”期间，将有80%的城市开展智慧城市建设，总投资将突破万亿元，具有非常大的市场空间。