随着固体照明技术的发展，可见光通信（VLC）近年来受到了广泛的关注。中国科学院半导体研究所马占红做了题为适用于可见光通信高带宽微发光二极管的可靠性分析的报告，分享了制备带宽高达1GHz的氮化镓基微LED的研究，并研究了其在15kA/cm2 1kHz交流电应力下的可靠性。与传统的射频无线通信相比，VLC具有保密性高，无电磁干扰和无频谱限制等优点。它也被认为是未来无线通信的潜在接入选择。近年来，微发光二极管（Micro-LED）已经可

中国科学院微电子研究所研究员龙世兵分享了基于(100) -Ga2O3 单晶的肖特基二极管和MOS电容的研究成果。基于型氧化镓所生产的一些器件在能源使用中发挥着重要的作用。能源使用的安全性是一个重要问题，在自然能源不断减少，价格不断上升的背景下，我们需要找到一个更加有效的方式来利用能源。当前在高电压应用领域，包括高铁和智能电网等，硅仍然是主导材料，但有一定局限性，比如禁带比较窄等。与宽禁带材料相比，有弱势的地方。

中国科学院半导体研究所梁萌分享了“二位缓冲层氮化物异质外延”研究报告；他介绍说，石墨烯缓冲层氮化物异质外延，初步实现了石墨烯界面氮化物成核，石墨烯边界与Bridge site，将优先成核位置。我们在石墨烯上来进行一个类似纳米柱上的生长，做了一些研究，通过调整晶核生长得到纳米柱的结构，在图形化的衬底上也长出来一些趋向比较一致的石墨烯的纳米柱，但是这根趋向一致性主要是硅的衬底，因为石墨烯是单纯的材料，石墨烯生长会受到衬底的影响，所以硅是单层多层，单层的话趋向是非常一致的，层数变多会有一定的紊乱，加氮受到衬底的

该视频为：中国科学院半导体研究所研究员、中国科学院大学岗位教授赵丽霞，主讲的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》学术报告。