半导体材料产业的现状和挑战Status and Challenge of Semiconductor Material Industry杨德仁中国科学院院士、浙大宁波理工学院校长、浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室主任、教授YANG DerenAcademician of Chinese Academy of Sciences,President of NingboTech University, Professor and Director of State Key Laboratory of Silicon and Advanced Semiconductor Materials, Zhejiang University

氨热法氮化镓单晶生长研究进展及面临的挑战Progress and Challenges in Bulk GaN Crystal Growth by Ammonothermal Method任国强中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、研究员REN GuoqiangProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences

AlGaN/GaN HEMT能带工程和界面调制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡卫国中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences

光健康与近视防护黄昌兵中国科学院心理研究所研究员HUANGChangbingProfessor of InstituteofPsychology,CAS

氮化镓基激光器和超辐射管研究进展Progress of GaN based laser diodes and superluminescene diodes刘建平中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件研究部 研究员LIU JianpingProfessor of Nanodevice Research Department of Suzhou Institute of Nanotechnology and Nanobionics, Chinese Academy of Sciences

室温紫外GaN微盘激光器Room-Temperature Ultraviolet GaN Microdisk Lasers司志伟中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所SI ZhiweiSuzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS

超宽禁带六方氮化硼二维原子晶体及其光电器件Growth of ultra-wide band-gap two-dimensional hexagonal boron nitride for optoelectronic devices张兴旺中国科学院半导体所研究员ZHANG XingwangProfessor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

蓝光照射对四种不同人体细胞活性的影响研究Impact of blue light irradiation on the viability of four types of human cells董建飞中国科学院苏州生物医学工程技术研究所研究员DONG JianfeiProfessor of Suzhou Institute of Biomedical Engineering and Technology, CAS

平片蓝宝石衬底上高质量AlN材料MOCVD外延生长High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD赵德刚中国科学院半导体所研究员ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS

当前，人们对于绿色、环保、安全的重视度在不断的提高，随着全球化加速发展，公共卫生风险对人口流动和经济活动造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突发公共卫生风险的重要性不言而喻。基于第三代半导体氮化镓材料的紫外LED光源具有节能环保、寿命长、开启速度快、辐射强度可控、光谱可定制等优势，成为维护公共卫生安全的重要力量。紫外LED是半导体光电产业发展的新蓝海，双碳战略也给包括紫外LED产业在内的绿色环保节能产

宽禁带材料具有非中心对称的晶体结构，因而表现出显著的压电特性，长期以来这些材料中压电极化电荷和半导体特性的耦合过程被忽略。近年来对于压电电子学和压电光电子学的基础及应用研究取得了快速地发展。多种功能材料中的压电电子学和压电光电子学的基本效应得到了系统深入地研究，相关的理论体系得以建立，诸多压电电子学和压电光电子学器件也被设计研发。会上，王中林院士带来了压电学理论与研究成果的分享，报告结合具体的数据

常见的氮化镓器件为在异质衬底上长氮化镓外延层制作成半导体器件。但由于使用的是异质衬底，材料之间存在着晶格失配与热失配导致外延材料位错密度比较高，阻碍了相关器件性能的提升及其稳定性。采用氮化镓单晶衬底实现同质外延是提高氮化镓外延层晶体质量进而提高氮化镓器件的主要途径。刘宗亮博士在报告中结合GaN材料生长制备的主要方法及挑战，GaN单晶制备的主要方法与特点以及国际上GaN单晶生长研究进展等，分享了GaN单晶衬底生

面向全GaN集成的高性能GaN基增强型p-FET器件研究金昊，蒋其梦*，黄森*，王鑫华，王英杰，戴心玥，樊捷，魏珂，刘新宇中国科学院微电子研究所

锑化物超晶格红外探测器的MOCVD生长技术研究吴东海中国科学院半导体研究所

用于片上通信的日盲波段光电集成芯片何瑞，魏同波*，王军喜，李晋闽中国科学院半导体研究所

报告嘉宾：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 研究员 黄勇 主题报告：《锑化物半导体材料及器件》

中国科学院苏州生物医学工程技术研究所助理研究员李伟民分享了《基于LLLT多波长高能量密度LED光疗系统设计》主题报告。报告中介绍了低水平光治疗(LLLT)是一种快速发展的非侵入性治疗技术，可以促进伤口愈合，缓解疼痛，消除炎症。报告中介绍设计了一种体积小、辐照度高的家用多波长LED光疗系统。基于科勒照明方法，我们设计了一种短焦距大视场透镜对，镜头对的参数由Zemax设计。硬件电路采用STM32F104处理器作为控制器，采用恒流驱

中国科学院半导体研究所研究员陈雄斌带来了可见光通信技术及应用场景的思考的精彩主题分享

中国科学院生态环境研究中心副研究员李梦凯带来了紫外反应器设计要点简述-紫外线消毒手册（9章）的精彩主题分享

中国科学院半导体研究所高级工程师宋昌斌分享了《水产养殖业LED光源选择的建议》主题报告。他详细阐述了LED光源对循环水养殖系统的重要性，介绍了养殖车间光照的现状，并根据鱼类对光环境三要素一般的适应需求规律、针对灯具在特定使用环境下的要求进行了分析与建议，对水产养殖车间如何正确选择LED灯具具有指导意义。 　　据了解，我国海淡水产养殖主要是池塘、网箱、湖面养殖等方式，这些室外天然养殖依靠阳光。中国政府明确，到