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厦门大学张荣教授:氮
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厦门大学张荣教授:氮
第三代半导体材料在不同领域的应用非常广泛，其中，LED可以说是其第一个较成熟的应用突破口，伴随着元宇宙等新时代的展开，Micro-LED显示应用又迎来了一波新的发展机遇，作为应用的支撑，技术的发展水平非常重要。张荣教授分享了其带领的团队在氮化物半导体基显示技术方面的最新研究及成果。报告结合Micro-LED的优势与挑战，从外延结构设计、芯片制备、全彩化方案、系统集成、纳米LED等方面详细分享了团队最新的多个研究发现和研究
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guansheng2022-09-10 15:43
西安电子科技大学郝跃
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西安电子科技大学郝跃
中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃教授带来了超宽禁带半导体器件与材料的若干新进展的主题报告；中科院外籍院士、中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士带来了第三代半导体中的压电电子学与压电光电子学的主题报告；厦门大学校长张荣教授介绍了氮化物半导体基 Micro-LED显示技术新进展；大会主席、中国科学院半导体研究所李晋闽研究员带来了氮化物深紫外LED光源助力公共卫生安全的主题报告。几大精彩主题报告，从技
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guansheng2022-09-10 15:38
山东大学徐现刚教授：
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山东大学徐现刚教授：
半导体激光器的理论和实践都取得巨大成果。近年来,GaAs基大功率半导体激光器凭其优势，在众多领域得到广泛应用。但是GaAs基大功率半导体激光器仍面临着功率不足、发热量大及光束质量差的问题。光电性能差是限制其应用的关键问题，如何进一步提高激光器的光电性能是半导体激光器面临的挑战。朱振博士在报告中，详细分享了GaAs半导体激光器关键技术及最新研究进展，报告指出基于GaAs衬底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x
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guansheng2022-09-09 15:50
北京大学沈波教授：氮
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北京大学沈波教授：氮
以氮化镓、氮化铝为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底，氮化物半导体主要通过异质外延，特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈，影响了材料和器件性能的提升。沈波教授在报告中，结合氮化物半导体面临的大失配外延生长问题、详细分
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guansheng2022-09-09 15:47
中国科学技术大学谭鹏
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中国科学技术大学谭鹏
零回滞氧化镓光电晶体管从光电导效应到光栅效应谭鹏举，邹燕妮，赵晓龙*，侯小虎，张中方，丁梦璠，于舜杰，马晓兰，徐光伟，胡芹*，龙世兵中国科学技术大学
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guansheng2022-09-02 16:03
南京大学叶建东：氧化
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南京大学叶建东：氧化
氧化镓基双极型异质结功率器件研究叶建东*，巩贺贺，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顾书林，陆海，张荣，郑有炓南京大学
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guansheng2022-09-02 16:02
陕西科技大学马淑芳：
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陕西科技大学马淑芳：
基于单根Ga2O3纳米线的深紫外光电探测性能马淑芳*，刘松，韩斌，尉国栋，董浩琰，牛艳萍，郝晓东，许并社陕西科技大学
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guansheng2022-09-02 16:01
中国科学技术大学龙世
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中国科学技术大学龙世
氧化镓半导体器件龙世兵*，徐光伟，赵晓龙，侯小虎中国科学技术大学
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guansheng2022-09-02 15:59
湖北大学陈兴驰：基于
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湖北大学陈兴驰：基于
基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN异质结与pn结耦合增强型自驱动紫外探测器研究陈兴驰，陈剑，樊启贤，毛佳兴，张忠辉，许雅俊，卢寅梅，何云斌*湖北大学
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guansheng2022-09-01 16:22
吉林大学焦腾：n型Ga2
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吉林大学焦腾：n型Ga2
n型Ga2O3薄膜的MOCVD同质外延焦腾，陈威，李政达，刁肇悌，党新明，陈沛然，董鑫*吉林大学
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guansheng2022-09-01 16:21
南京大学汪正鹏：NiO/
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南京大学汪正鹏：NiO/
NiO/-Ga2O3p+-n异质结二极管深能级缺陷研究汪正鹏，巩贺贺，郁鑫鑫，叶建东*，顾书林，任芳芳，张荣，郑有炓南京大学
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guansheng2022-09-01 16:20
大连理工大学张赫之：
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大连理工大学张赫之：
两步法在蓝宝石衬底上生长高质量-Ga2O3厚膜的研究张赫之，张嵩，董增印，张文辉，程丽媛，梁红伟*大连理工大学中国电子科技集团公司第四十六研究所
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guansheng2022-09-01 16:19
山东大学贾志泰：大尺
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山东大学贾志泰：大尺
大尺寸高质量氧化镓单晶生长及性能研究穆文祥，李阳，贾志泰*，陶绪堂山东大学
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guansheng2022-09-01 16:18
湖北大学何云斌：Ga2O
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湖北大学何云斌：Ga2O
Ga2O3三元合金设计及其日盲紫外光电探测器研究王其乐，瞿秋琳，陈剑，黎明锴，卢寅梅，何云斌*湖北大学
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guansheng2022-09-01 16:16
中山大学王钢：基于金
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中山大学王钢：基于金
基于金属有机化学气相沉积的-Ga2O3薄膜异质外延及其在场效应晶体管中的应用王钢*，陈伟驱，罗浩勋，陈梓敏，卢星，裴艳丽中山大学
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guansheng2022-09-01 16:13
南京大学巩贺贺：氧化
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南京大学巩贺贺：氧化
氧化镓肖特基二极管热管理研究巩贺贺，周峰，叶建东*，陆海，顾书林，张荣，郑有炓南京大学
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guansheng2022-09-01 16:10
厦门大学龙浩：氧空位
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厦门大学龙浩：氧空位
氧空位在异质外延-Ga2O3薄膜MSM型光电探测器中的影响许锐，马晓翠，梅洋，应磊莹，张保平*，龙浩*厦门大学
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guansheng2022-09-01 16:08
浙江大学杨树：基于界
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浙江大学杨树：基于界
基于界面调控的垂直型GaN功率二极管研究杨树浙江大学
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guansheng2022-09-01 14:37
北京大学刘轩：基于结
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北京大学刘轩：基于结
基于结终端扩展的kV级硅基GaN准垂直结构pn二极管刘轩，王茂俊*，魏进，文正，解冰，郝一龙，杨学林，沈波北京大学
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guansheng2022-09-01 13:46
南京大学周峰：从应
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南京大学周峰：从应
从应用端看GaN功率电子器件面临的关键可靠性难题及器件性能提升方案周峰，徐尉宗，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海*南京大学
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guansheng2022-09-01 13:29