张荣:基于宽禁带半导
4050
郝跃: 宽禁带与超宽
4080
黄火林:GaN基增强型H
1320
孙瑞泽:全氮化镓集成
930
郭炜:III族氮化物极
1940
汤潇:全溶液法沉积柔
1760
朱志甫:10BN中子探测
940
陈鹏:GaN基肖特基功
3130
徐尉宗:具有高可靠感
1560
叶建东:氧化镓基双极
3300
李天义:SiC紫外单光
1590
汪莱:宽禁带半导体异
1180
楚春双:基于III族氮
1960
周玉刚:基于Ag、Mg金
1580
蔡端俊:氢元素对深紫
3290
吴雅苹:氮化物半导体
590
李强:hBN薄膜的磁控
860
欧欣:异质集成氧化镓
1750
方志来:P型氮掺杂β-
2630
龙世兵:超宽禁带氧化
3430