Mini/Micro-LED微显示技术分析与应用刘海坤博士TCL科技集团工业研究院

加拿大滑铁卢大学William WONG教授分享了《通过薄膜晶体管和III-V光电器件的异质集成实现Micro-LED》研究报告。他介绍到，基于氮化镓(GaN)基微光发射二极管(microleds)的新型显示技术有望使下一代发射显示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，与现有的基于有机光发射二极管(OLEDs)的显示技术相比。除了在OLED显示器上的这些改进之外，Micro-LED与薄膜晶体管(TFT)设备的集成为高亮度和高分辨率柔性显示器提供了新的途径。

德国爱思强产品管理总监Jens VOIGT介绍了《用于RGB Micro-LED大批量制造的MOCVD解决方案》主题报告。他介绍说，爱思强的行星式反应器平台是生产具有最高一致性、重复性和缺陷控制标准的化合物半导体器件的已建立的平台，例如用VCSEL激光器证明的3D传感器技术，这是当前高容量需求的关键驱动因素之一。同样的要求组合也适用于Micro-LED技术：在低的缺陷水平下，结合外延层的高通量结构具有非常高的精度。行星式反应器平台技术已经被

香港科技大学首席刘纪美教授在《Micro-LED显示屏：单片方法的优点和问题》报告中指出，大面积的LED显示器和普通照明应用中的成熟的LED技术很常见。近年来，LED在微显示器上的应用越来越受到人们的关注。与其他现有的微显示技术相比，led在效率、亮度、寿命、温度稳定性和鲁棒性等方面具有优势。最重要的是在明亮的日光下的能见度。

南方科技大学副教授刘召军在《多功能化氮化镓基高分辨率Micro-LED显示器》研究报告。

复旦大学副教授田朋飞分享了《智能GaN基micro-LED阵列》研究报告。GaN基micro-LED (霯ED)阵列可用于高亮度微显示、高效率固态照明和高速可见光通信的高带宽发光芯片。通过结合以上功能，可以实现用于大数据和物联网的智能霯ED系统。至今为止，还未有将霯ED阵列用于高带宽探测器(PD)的报道。

美国维易科精密仪器有限公司市场营销总监Mark MCKEE分享了《Micro-LED显示屏：关键制造挑战和MOCVD技术》报告。他介绍到，微型LED显示屏比其他显示技术，如背光LED显示屏、OLED显示屏和等离子显示屏，具有更高的亮度、更高的功率效率，而且更加坚固柔韧。然而，微型LED显示屏的缺点之一是制作复杂，这导致了较高的显示成本。在严格坚持目标成本的同时，微型LED显示屏优秀性能和良率为其制造带来了许多挑战。报告中提出，从外延和LE