GaN-based Resonant Cavity Micro-LEDs for AR Application黄锦鹏中南大学HUANG Jinpeng Central South University

高透明度GaN基Micro-LED显示器High Transparency GaN-based Micro-LED Display余俊驰南京大学电子科学与工程学院YU JunchiSchool of Electronic Science and Engineering, Nanjing University

Micro-LED用GaN纳米线上生长的非极性GaInN/GaN多量子壳的系统研究Systematic investigation of nonpolar GaInN/GaN multiple-quantum-shells grown on GaN nanowires for Micro-LEDs卢卫芳厦门大学物理科学与技术学院物理学系，副教授LU WeifangAssociate Professor, School of Physical Science and Technology, Xiamen University

InGaN基红色发光二极管：从传统LED到Micro-LEDInGaN-based red light-emitting diodes: from traditional to micro-LEDs庄喆南京大学苏州校区集成电路学院助理教授ZHUANG ZheAssistant Professor for School of Integrated Circuits in Nanjing University Suzhou Campus

基于InGaN基硅衬底Micro-LED的多色集成转移印刷技术Transfer printing technology based on InGaN-based silicon substrate micro-LEDs for multicolor integration田朋飞复旦大学副教授TIAN Pengfei Associate Professor of Fudan University

蓝宝石衬底InGaN基红色LED及MicroLEDInGaN based red LEDs and MicroLEDs on sapphire substrate王新强北京大学教授、北大东莞光电研究院院长WANG XinqiangDean of Dongguan Institute of Opto-electronics, Peking University

基于超短周期超晶格AlN/GaN的深紫外短波光发射调控Deep-ultraviolet light extraction towards shorter wavelength based on ultrashort-period AlN/GaN suplerlattices高娜厦门大学副教授GAO NaAssociate Professor of Xiamen University

AlGaN基深紫外发光器件设计与仿真研究Design and simulation of AlGaN-based Deep Ultraviolet Emitters刘玉怀郑州大学电气与信息工程学院教授、科技部电子材料与系统国家级国际联合研究中心主任、河南省电子材料与系统国际联合实验室主任LIU YuhuaiProfessor and Director of National Center for International Joint Research of Electronic Materials and Systems, International Joint-Laboratory of Electronic Materials an

室温紫外GaN微盘激光器Room-Temperature Ultraviolet GaN Microdisk Lasers司志伟中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所SI ZhiweiSuzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS

Fabrication of 265 nm AlGaN-LEDs on Face-to-face annealed AlN/sapphire template三宅秀人日本三重大学教授Hideto MIYAKEProfessor of Graduate School of Engineering, Mie University

Ga2O3/GaN异质结构紫外光电探测器Ga2O3/GaN Heterostructure Ultraviolet Photodetectors黄凯厦门大学物理科学与技术学院副院长、教授HUANG KaiProfessor, School of Physical Science and Technology, Xiamen University

提高AlGaN基DUV-LED效率的薄p-GaN上的银基镂空反射电极Ag-based hollow reflective electrode on thin p-GaN layer for improving the light output efficiency of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes周玉刚南京大学电子科学与工程学院教授ZHOU YugangProfesor of School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University

北京大学陈志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》报告中指出，我们制作不同直径微柱LEDs不同波长和不同的基质。测量了电致发光(EL)谱和电流-电压(I-V)曲线。高饱和电流密度达到300 kA / cm2 20m紫外线导致氮化镓衬底。效率为LEDs下垂也大大提高。采用横光软件模拟高注入水平下的输运和重组过程。综合量子漂移-扩散模型考虑了多体效应。并介绍了超高注入机理。

复旦大学副教授田朋飞分享了《智能GaN基micro-LED阵列》研究报告。GaN基micro-LED (霯ED)阵列可用于高亮度微显示、高效率固态照明和高速可见光通信的高带宽发光芯片。通过结合以上功能，可以实现用于大数据和物联网的智能霯ED系统。至今为止，还未有将霯ED阵列用于高带宽探测器(PD)的报道。

特阿卜杜拉国王科技大学的Kazuhiro OHKAWA教授介绍了《AlGaN 材料MOCVD生长优化和反应器设计》研究报告。报告中，在较宽的压力、Al /（Ga + Al）比例和温度范围内成功仿真AlGaN生长。考虑到适量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生长速率和组分与实验中的非常一致。这一技术使我们有可能优化氮化物MOCVD并设计升级反应器。

挪威科学技术大学教授、挪威科学技术院院士、挪威Crayonano AS创始人兼首席技术官Helge WEMAN带来以石墨烯为基底和透明电极的AlG

挪威科学技术大学教授，挪威科学技术院院士Helge WEMAN带来了题为采用石墨烯衬底和透明底部电极的AlGaN纳米线外延 UV LED的主题

厦门大学高娜带来了题为可原子尺度精确调控的AlN/GaN结构分选生长的主题报告，从晶体生长热力学角度出发，采用第一性原理模拟了

蓝宝石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱结构的激光二极管中n-p电极对于p型电导率的影响 The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrateMussaab I. NIASS郑州大学 Mussaab I. NIASSZhengzhou University

随着半导体照明的发展，尤其是室内照明的推进，人们对其效率和显色指数（Color rendering index, CRI）等品质参数等提出了更高的要求。中南大学教授汪炼成做了题为设计制造复合金属等离激元同时提高GaN LED效率和显色指数研究的主题报告。汪炼成科研方向为集成宽禁带半导体器件和系统，在GaN LED 方面有近10年科研经历，近5年以第一/通讯作者发表SCI论文40余篇，引用次数744次，申请专利38项，已授权13项，成功制备性能国内领先、