首页 > 视频 > 搜索

  • 【视频报告 2018】株

    15680

    【视频报告 2018】株
    株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部副总经理研发中心主任戴小平介绍了《多电飞机平面封装型碳化硅功率模块》技术报告；
    156800
    limit2021-04-29 12:27

  • 【视频报告 2018】基

    12530

    【视频报告 2018】基
    深圳基本半导体有限公司副总经理张振中介绍了《高性能 3D SiC JBS 二极管》主题报告；张振中对各种类型的碳化硅器件，包括高压PiN二极管、高温JBS二极管、SBD管、平面及沟槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二极管、MESFET都有从版图设计引入到量产工艺开发直到后期失效分析及良率提升等一系列的工艺技术IP和产业化经验。
    125300
    limit2021-04-29 12:26

  • 【视频报告 2018】Vic

    18540

    【视频报告 2018】Vic
    美国电力副执行主任兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授Victor Veliadis带来《10 kV 4H-SiC晶体管基面位错和耐久性的影响》；
    185400
    limit2021-04-29 12:26

  • 【视频报告 2018】Mie

    9880

    【视频报告 2018】Mie
    瑞典皇家工学院工程科学院教授Mietek BAKOWSKI以瑞典视角分享了《WBG电力设备的现状和采用前景》，报告中介绍了由瑞典创新局（Vinnova）和瑞典能源管理局以及碳化硅电力中心资助的选定工业和研究项目的概况和重点。示例展示了基于WBG的电力电子能量转换系统在各种应用中的节能方面的革命性进展。简要介绍了瑞典材料、技术和设备研发领域的相关项目。
    98800
    limit2021-04-29 12:26

  • 【视频报告 2018】Ado

    12470

    【视频报告 2018】Ado
    瑞典Ascatron AB 首席技术官Adolf SCHÖNER介绍了《10千伏高压4H碳化硅PIN二极管的少子寿命调制》技术报告；
    124700
    limit2021-04-29 12:26

  • 【视频报告 2018】P.S

    24640

    【视频报告 2018】P.S
    高温、高功率宽带隙半导体要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶体生长过程。今天，SiC是通过气相或液相法生长的，它包括下列过程：反应物的生成、反应物到生长表面的传输、生长表面的吸附、成核和最终晶体生长。GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅衬底技术的最新进展》技术报告，报告中介绍了不同的SiC晶体生长过程以及SiC技术的最新进展。
    246400
    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2018】周

    25700

    【视频报告 2018】周
    美国伦斯勒理工学院的周达成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和稳健性》；
    257000
    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2018】香

    7850

    【视频报告 2018】香
    矩阵转换器被认为是一种最优异的交流-交流功率转换结构，因为其主要依赖于双向开关而几乎不需要其他被动组件。它不仅提升了能量转换效率，而且可以突破传统的通用逆变器所存在的开关切换速度，工作温度以及电压等级的限制。在此基础下，新型碳化硅（SiC）组件以及先进功率器件封装的应用将带来新一代矩阵转换器的重大发展与变革。香港应用科技研究院功率器件组总监袁述分享了《新一代碳化硅矩阵变换器》主题报告，报告中回顾矩阵转
    78500
    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2018】中

    6790

    【视频报告 2018】中
    中电科电子装备集团有限公司离子注入机技术总监张丛分享了《国产离子注入机发展及应用》主题报告。
    67900
    limit2021-04-29 12:24

  • 【视频报告 2018】南

    13570

    【视频报告 2018】南
    【极智报告】南京大学陈琳：6英寸GaN衬底生长用HVPE反应腔的三维数值模拟
    135700
    limit2021-04-29 12:23

  • 【视频报告 2018】西

    13170

    【视频报告 2018】西
    西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主题报告。他介绍说，在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件，其阈值电压达到0.6V，饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨导达到412mS/mm，电流截止频率达到61GHz，最大
    131700
    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】敖

    23130

    【视频报告 2018】敖
    日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平在《用于微波无线电能传输的氮化镓射频肖特基二极管》报告中介绍到：无线电能传输技术是非常有前景的新技术，可以用在各种各样的无线系统，比如无线充电、能量收割、无处不在的电源和建筑物内的电源供应等。在微波无线电能传输系统里，通常采用天线整流电路（rectenna）来完成RF到DC的能量转换。天线整流电路广泛地用到肖特基势垒二极管（SBD）。但是，目前市场上很难找到能在天
    231300
    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】苏

    8650

    【视频报告 2018】苏
    苏州能讯高能半导体有限公司李元分享了《以系统方法实现氮化镓射频功率器件的高可靠性：我们的成就及新进展》主题报告。氮化镓射频功率器件因其优良的性能而在基础工业领域（如5G通讯基站）具有广泛的应用前景。基础工业应用要求的超长连续工作寿命及可能的外部恶劣工作环境，对器件的可靠性提出了更高的要求。能讯高能半导体通过一个系统工程，从产品设计，工艺开发，器件生产，到最终筛选测试，每一个环节都按严格的程序进行，确
    86500
    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】中

    12680

    【视频报告 2018】中
    中科院半导体研究所所长助理、研究员张韵分享了《III族氮化物基射频HEMT、HBT与滤波器》报告，受限于铌酸锂声速较低(3400-4000 m/s)，商用铌酸锂基声表面波（SAW）滤波器工作频率通常低于3 GHz，难以满足通讯系统频率不断提升的需求，因此基于高声速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高频SAW滤波器成为研究热点。分别在铌酸锂衬底和AlN/蓝宝石衬底上制备出叉指宽度为2 靘的SAW滤波器，铌酸锂SAW滤波器的中心频率为426.7 MHz，而AlN基SAW 滤
    126800
    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】河

    8440

    【视频报告 2018】河
    河北半导体研究所高级工程师的李静强分享了《GaN 内匹配封装器件仿真技术研究》主题报告。
    84400
    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】台

    9650

    【视频报告 2018】台
    【极智报告】台湾长庚大学邱显钦教授：适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案
    96500
    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】四

    6780

    【视频报告 2018】四
    OMMIC公司董事长、巴黎高等电子研究所终身教授Marc Christian ROCCHI（四川益丰基础研发部部长王祁钰代讲）介绍了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工艺和产品》主题报告，报告中将首先从射频性能和可靠性的角度来综述GaN on Si工艺。检查各种10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高达35%，增益23 dB。从20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的宽带LNAs。用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器来演示这些工艺的性能
    67800
    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】日

    9660

    【视频报告 2018】日
    日本名城大学副教授Motoaki IWAYA 带来了关于基于AlGaN 激光的发展现状的报告。
    96600
    limit2021-04-29 12:06

  • 【视频报告 2018】港

    9010

    【视频报告 2018】港
    集成功率器件与智能控制单元、基于片上系统解决方案的智能功率芯片技术成为未来功率系统的最佳选择。然而，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成所需的功率模块和各种控制单元模块。
    90100
    limit2021-04-29 12:06

  • 【视频报告 2018】AIX

    13460

    【视频报告 2018】AIX
    一直以来，高功率密度电动汽车电力驱动系统是新一代大功率电动汽车发展的主要挑战，宽禁带功率器件的应用，将对新一代电动汽车的发展产生重要影响。德国亚琛工业大学教授，AIXTRON SE 全球副总裁Michael HEUKEN带来了宽禁带器件在汽车应用中的加速采用的报告，分享了目前的发展现状及AIXTRON的策略。
    134600
    limit2021-04-29 12:05

相关搜索

联系客服 投诉反馈  顶部