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  • 【视频报告 2018】港

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    【视频报告 2018】港
    集成功率器件与智能控制单元、基于片上系统解决方案的智能功率芯片技术成为未来功率系统的最佳选择。然而，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成所需的功率模块和各种控制单元模块。
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    limit2021-04-29 12:06

  • 【视频报告 2018】AIX

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    【视频报告 2018】AIX
    一直以来，高功率密度电动汽车电力驱动系统是新一代大功率电动汽车发展的主要挑战，宽禁带功率器件的应用，将对新一代电动汽车的发展产生重要影响。德国亚琛工业大学教授，AIXTRON SE 全球副总裁Michael HEUKEN带来了宽禁带器件在汽车应用中的加速采用的报告，分享了目前的发展现状及AIXTRON的策略。
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    limit2021-04-29 12:05

  • 【视频报告 2018】加

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    【视频报告 2018】加
    与功率MOS场效应晶体管相比，驱动氮化镓功率晶体管存在诸多困难，这些困难包括阈值电压低、最大栅极电压和额定栅极电压之间的公差狭小、高转换速率带来的电流变化率和电压变化率问题。现有的氮化镓驱动集成电路需要外部电阻器设定上拉速度和下拉速度，这将导致印刷电路板空间和额外寄生效应的增加。现有的氮化镓驱动集成电路的其他缺陷诸如固定的输出电压、无精确定时控制能力等也限制了其应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了
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    limit2021-04-29 12:05

  • 【视频报告 2018】北

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    【视频报告 2018】北
    垂直氮化镓器件，尤其是硅衬底上，因其低成本衬底而引起了人们对大功率应用的广泛关注。但其性能仍低于氮化镓衬底上的垂直氮化镓器件。关键问题是在硅衬底上实现低位错密度和连续厚氮化镓层具有挑战性。会上，北京大学冯玉霞博士结合具体的研究实践，分享了Si衬底上GaN基外延材料生长及杂质缺陷研究的成果，首次提供了在C掺杂半绝缘氮化镓中取代C原子占据N位点的明确证据。
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    limit2021-04-29 12:05

  • 【视频报告 2018】电

    9770

    【视频报告 2018】电
    电子科技大学教授明鑫带来了功率GaN器件驱动技术的报告，分享了该技术领域的最新进展。
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    limit2021-04-29 12:04

  • 【视频报告 2018】中

    7760

    【视频报告 2018】中
    中科院半导体所张翔带来了关于石墨烯提升氮化铝核化以及高质量氮化铝薄膜外延层的报告，分享了该领域的研究动态以及研究成果。
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    limit2021-04-29 12:04

  • 【视频报告 2019】河

    12480

    【视频报告 2019】河
    河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种
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    limit2021-04-29 10:46

  • 【视频报告 2019】南

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    【视频报告 2019】南
    南京大学教授陆海报告中介绍了宽禁带半导体紫外光电探测器及其应用进展。介绍了基于III族氮化物半导体和SiC的高性能UV光电探测器的材料生长，设计和制造方面的最新工作。
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    limit2021-04-29 10:46

  • 【视频报告 2019】Ism

    7670

    【视频报告 2019】Ism
    视频简介：下一代半导体器件外延制备前期的衬底清理技术 In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA
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    limit2021-04-29 10:23

  • 【极智课堂】芯谋研究

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    【极智课堂】芯谋研究
    芯谋研究总监李国强 《功率半导体的市场分析》
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    limit2021-04-26 16:21

  • 【视频报告】英诺赛科

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    【视频报告】英诺赛科
    英诺赛科科技有限公司董事长骆薇薇分享了硅基氮化镓产业化发展的机遇与挑战。骆薇薇在美国宇航局（NASA）工作了15年，并创办了两
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    limit2021-04-26 15:05

  • 国际第三代半导体产业

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    国际第三代半导体产业
    论坛将邀请来自产业链领先企业的专家就各自领域的技术现状、应用趋势与挑战进行了精彩解析，并在论坛中进行《2020新基建风口下第
    116300
    limit2020-08-27 13:54

  • 三安集成陈东坡博士：

    14390

    三安集成陈东坡博士：
    化合物半导体是未来核心材料，市场逐步扩大，全球各大厂商都在布局化合物半导体产业链，在功率器件、射频器件，与终端消费电子领
    143900
    limit2020-03-31 12:35

  • 美国Aymont Technolog

    19190

    美国Aymont Technolog
    191900
    limit2020-03-19 11:29

  • 【视频报告 2019】天

    16030

    【视频报告 2019】天
    报告嘉宾：北京天科合达半导体股份有限公司副总经理兼技术总监刘春俊博士 报告主题：《大尺寸碳化硅单晶生长研究及产业进展》
    160300
    limit2020-03-19 10:27

  • 意大利ORCHESTRA总裁G

    56790

    意大利ORCHESTRA总裁G
    报告简介工业4.0：对于电子工业和产品的大好时机 INDUSTRY4.0 as A Major Opportunity for Electronics Processes and Products Guido COLOMBO意大利ORCHESTRA总裁 Guido COLOMBOPresidentCEO of ORCHESTRA, Italy
    567900
    limit2020-03-10 10:22

  • 【视频报告】厦门大学

    22610

    【视频报告】厦门大学
    报告简介单晶4H型碳化硅台阶生长机理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林伟厦门大学副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University
    226100
    limit2020-03-08 10:21

  • 【视频报告】北京大学

    13190

    【视频报告】北京大学
    北京大学刘放做了题为高质量h-BN薄层和针对III族氮化物外延的缓冲层应用的主题报告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE异位高温退火合成结晶h-BN，晶体h-BN作为Ⅲ族氮化物外延柔性缓冲层的应用的研究成果。
    131900
    limit2020-02-02 16:27

  • 西安卫光科技微晶微电

    12530

    西安卫光科技微晶微电
    西安卫光科技微晶微电子有限公司总工程师、博士冯 巍 《SiC功率MOSFET封装工艺》
    125300
    limit2020-02-02 16:22

  • 【视频】西安交通大学

    15350

    【视频】西安交通大学
    西安交通大学副教授李强做了题为射频溅射技术制备h-BN薄膜的制作与应用的主题报告，分享了溅射制备的hBN膜,包括工艺条件的选择，hBN的性质，以及hBN膜的应用，包括电阻开关行为等内容。 报告指出，所制备的hBN膜可以在大面积上获得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜组成的DBR可以在UVA波段实现高反射。首先在Ag / hBN / Al结构中观察到通过溅射制备的hBN膜的RS行为。掺铝氮化硼薄膜的RS窗口明显增加。
    153500
    limit2020-02-01 16:25

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