西安卫光科技微晶微电子有限公司总工程师、博士冯 巍 《SiC功率MOSFET封装工艺》

西安电子科技大学教授张金风做了题为金刚石超宽禁带半导体材料和器件新进展的主题报告。她介绍说，金刚石属于新兴的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，耐击穿，载流子迁移率高，热导率极高，抗辐照等优点。在热沉，大功率、高频器件，光学窗口，量子信息等领域具有极大应用潜力。报告中介绍了大尺寸金刚石单晶的制备方法最成功的是同质外延的克隆拼接生长方法和在Ir衬底上异质外延的生长方法。她表示，实现室温下高电离率的体掺

西安电子科技大学微电子学院院长张玉明：SiC MOSFET高阈值的实现及给应用带来的优势

英诺赛科科技有限公司董事长骆薇薇分享了硅基氮化镓产业化发展的机遇与挑战。骆薇薇在美国宇航局（NASA）工作了15年，并创办了两

杭州慧亿科技孟楠：UVC LED杀菌模组的优化设计与验证

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