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  • 西安电子科技大学王鹏

    9500

    西安电子科技大学王鹏
    双阈值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于优化Ka波段高电场线性度的多指漏极板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鹏飞西安电子科技大学Wang PengfeiXidian University
    95000
    guansheng2023-05-22 15:22

  • 电子科技大学博士陈匡

    7950

    电子科技大学博士陈匡
    p-GaN Gate HEMT器件阈值稳定性及其机理Study of the Physics of Vth Instability of p-GaN Gate HEMT陈匡黎电子科技大学博士ZHOU QiProfessor of University of Electronic Science and Technology of China
    79500
    guansheng2023-05-22 15:02

  • 南方科技大学深港微电

    10480

    南方科技大学深港微电
    Si基GaN器件及系统研究与产业前景Research of GaN-on-Si devices and the related systems于洪宇南方科技大学深港微电子学院院长、教授YU HongyuDeanProfessor of School of Microelectronics at Southern University of Science and Technology
    104800
    guansheng2023-05-22 14:57

  • 一径科技副总裁邵嘉平

    11480

    一径科技副总裁邵嘉平
    车载 MEMS 激光雷达解决方案及量产落地之最新进展The latest progress for automotive grade MEMS LiDAR mass production and application solutions邵嘉平北京一径科技有限公司副总裁SHAO JiapingVice President of ZVISION Technologies Co., Ltd
    114800
    guansheng2023-05-22 14:26

  • 西安电子科技大学副教

    9200

    西安电子科技大学副教
    SiC等离子体波脉冲功率器件与应用研究Research on 4H-SiC Plasma Wave Pulsed Power Devices and its Applications孙乐嘉西安电子科技大学副教授SUN LejiaAssociate Professor of Xidian University
    92000
    guansheng2023-05-22 13:53

  • 仕佳光子科技有源产品

    8420

    仕佳光子科技有源产品
    激光雷达用的1550nm磷化铟半导体激光器1550 nm InP semiconductor laser for lidar黄永光河南仕佳光子科技股份有限公司有源产品技术总监,中科院半导体所研究员HUANG YongguangTechnical Director of Henan Shijia Photons Technology Co., Ltd., Professor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
    84200
    guansheng2023-05-22 10:43

  • 香港科技大学副教授黄

    8710

    香港科技大学副教授黄
    横向和纵向-Ga2O3功率MOSFET的十年进展A Decade of Advances in Lateral and Vertical -Ga2O3 Power MOSFETs黄文海香港科技大学副教授Man Hoi WONGAssociate Professor of The Hong Kong University of Science and Technology
    87100
    guansheng2023-05-19 14:45

  • 西安电子科技大学张金

    15860

    西安电子科技大学张金
    MPCVD法金刚石同质外延生长及MOS器件技术Homogeneous epitaxial diamond growth by MPCVD and its MOS device technology张金风西安电子科技大学教授ZHANG JinfengProfessor of Xidian University
    158600
    guansheng2023-05-19 14:40

  • 西安电子科技大学韩根

    9420

    西安电子科技大学韩根
    氧化镓异质结功率晶体管Gallium Oxide Heterogeneous and Heterojunction Power Transistors韩根全西安电子科技大学教授HAN GenquanProfessor of Xidian University
    94200
    guansheng2023-05-19 14:19

  • 沙特阿卜杜拉国王科技

    9870

    沙特阿卜杜拉国王科技
    面向柔性和垂直电子器件的外延氧化镓薄膜Epitaxial Ga2O3 thin film membrane for flexible and vertical electronics李晓航沙特阿卜杜拉国王科技大学副教授（陆义代讲）LI XiaohangAssociate Professor at King Abdullah University of ScienceTechnology
    98700
    guansheng2023-05-19 14:15

  • 西安电子科技大学周弘

    13210

    西安电子科技大学周弘
    氧化镓功率器件耐压和功率优值的研究Research on Voltage Withstandand Power Optimum Value of Ga2O3 Power Devices张进成西安电子科技大学副校长、教授（团队代讲）
    132100
    guansheng2023-05-19 14:08

  • 中国电子科技集团首席

    21480

    中国电子科技集团首席
    SiC功率MOSFET技术及应用进展柏松中国电子科技集团首席专家、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任BAI SongChief Scientist of China Electronics Technology Group Corporation, Director of National Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices
    214800
    guansheng2023-05-19 09:39

  • 上海科技大学信息学院

    11290

    上海科技大学信息学院
    基于氮化镓的CRM图腾柱PFC整流器的无传感器电流过零检测技术王浩宇上海科技大学信息学院长聘副教授、研究员WANG HaoyuAssociate Professor of ShanghaiTech University
    112900
    guansheng2023-05-19 09:09

  • 锦浪科技技术研究中心

    12920

    锦浪科技技术研究中心
    SiC功率器件在光伏逆变器中的应用进展Application progress of SiC power devices in photovoltaic inverters刘保颂锦浪科技技术研究中心总监LIU Baosong Technical director of Ginlong Technologies co.,ltd
    129200
    guansheng2023-05-19 09:07

  • 纳维科技总经理王建峰

    6640

    纳维科技总经理王建峰
    应用于垂直器件的高电导率GaN单晶衬底制HVPE Growth of Bulk GaN with High Conductivity for Vertical Devices王建峰苏州纳维科技有限公司总经理WANG JianfengGeneral Manager of Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd
    66400
    guansheng2023-05-18 16:16

  • 西安电子科技大学微电

    6720

    西安电子科技大学微电
    SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 张艺蒙西安电子科技大学微电子学院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University
    67200
    limit2022-05-01 17:18

  • 欣锐科技董事长吴壬华

    5780

    欣锐科技董事长吴壬华
    SiC器件在新能源汽车产业中的应用Application of SiC devices in the new energy automobile industry吴壬华深圳欣锐科技股份有限公司董事长WURenhuaChairofthe Board, SHINRY
    57800
    limit2022-05-01 09:54

  • 【视频报告 2018】西

    13170

    【视频报告 2018】西
    西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主题报告。他介绍说，在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件，其阈值电压达到0.6V，饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨导达到412mS/mm，电流截止频率达到61GHz，最大
    131700
    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】港

    9010

    【视频报告 2018】港
    集成功率器件与智能控制单元、基于片上系统解决方案的智能功率芯片技术成为未来功率系统的最佳选择。然而，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成所需的功率模块和各种控制单元模块。
    90100
    limit2021-04-29 12:06

  • 【视频报告 2018】电

    9770

    【视频报告 2018】电
    电子科技大学教授明鑫带来了功率GaN器件驱动技术的报告，分享了该技术领域的最新进展。
    97700
    limit2021-04-29 12:04

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