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睿创微纳在微波功率放大器研究中取得重要进展
水凝胶半导体材料问世 可作为理想生物电子界面
TCL科技前三季度营收1230.28亿元 归母净利润15.25亿元
北方华创“工艺配方的管理控制方法、装置及半导体设备”专利公布
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光谷机器人生态创新中心启动,首批高校和企业入驻
盛美临港研发与制造中心首台量测设备KLA-Tencor Surfscan SP7入驻
IFWS2024:氮化镓射频电子器件与应用分会日程出炉
英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆,突破技术极限并提高能效
大众拟关闭德国至少三家工厂,裁员数万人
总投资10亿!力瑞信半导体项目竣工投产
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总投资8亿元 棘洪滩育豪半导体智能装备制造项目全面启航
扬杰电子申请新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法专利,方法制作工艺简单
合肥晶合集成电路申请一种半导体器件的制作方法专利,能够提高半导体器件的性能
无锡博通申请半桥GaN增强型开关器件及其制备方法专利,保证器件的高速开关
临沂:加快氮化镓新材料项目建设
中国科大微电子学院在GaN HEMT开关瞬态建模方向取得新进展
标准 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨等2项技术标准形成委员会草案
投资33亿美元 丰田与NTT合作开发AI自动驾驶技术
氮化镓射频电子器件与应用分会日程出炉 | IFWS2024 前瞻
突发!美国对华芯片和AI技术投资限制升级
邓美薇:封装技术成为美日对华半导体竞争的最前沿
山东粤海金半导体取得专用碳化硅衬底Wafer倒角装置专利,可实现自由设计倒角形状
汉斯半导体取得一种 IGBT 模块封装外壳抛光装置专利,抛光效率高
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