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国外SiC的最新进展及技术
 评论 ⋅  2021-02-01 11:29
氮化镓和碳化硅功率半导体市场将在2029年突破50亿美元大关
碳化硅氮化镓第三代半导体功率半导体SiCGaN
 评论 ⋅  2021-02-01 10:47
积极布局第三代半导体产业，华微电子迈进发展快车道
第三代半导体产业华微电子SiCGaN
 评论 ⋅  2021-02-01 10:32
SiC器件概述及其热测试难点
 评论 ⋅  2021-02-01 10:20
SiC器件如何增加功率电路的安培容量
SiC器件功率电路安培容量CreeWolfspeedWolfPACK
 评论 ⋅  2021-01-25 08:24
SiC基GaN射频器件：国防航天航空之利器
 评论 ⋅  2021-01-21 17:02
罗姆将车用SiC产能扩大五倍，日厂争霸EV市场
 评论 ⋅  2021-01-20 14:56
多汽车厂商押注！SiC 成汽车领域新星
 评论 ⋅  2021-01-18 16:44
罗姆阿波罗筑后工厂的环保型新厂房竣工，为SiC功率元器件生产增能！
 评论 ⋅  2021-01-15 10:10
碳化硅战场再添巨头！被LG剥离前夕 硅芯片公司拟增加SiC PMIC业务
碳化硅LG硅芯片SiCPMIC
 评论 ⋅  2021-01-14 11:17
2021起或将全面采用GaN和SiC，化合物半导体起飞！
 评论 ⋅  2021-01-13 09:39
第三代半导体的蓝海市场，玩家几何？
第三代半导体SiCGaN器件电子电力
 评论 ⋅  2021-01-12 09:55
科锐推出新型Wolfspeed WolfPACK SiC功率模块
科锐SiC功率模块电动汽车快速充电太阳能
 评论 ⋅  2021-01-12 08:28
SiC市场规模的增加和SiC晶圆争夺的加剧
 评论 ⋅  2021-01-08 11:10
闻泰投资了这家SiC功率器件公司，Get SiC 入场券
 评论 ⋅  2021-01-06 14:30
比亚迪明年有自己的SiC产线，车规级IGBT已到5代
 评论 ⋅  2020-12-24 17:40
日本丰田汽车公司Kimimori HAMADA：超窄体（UNB）MOSFET和接地窄而深p（GND）MOSFET的4H-SiC MOSFET的新挑战性结构
 评论 ⋅  2020-12-23 15:28
澳大利亚格里菲斯大学Jisheng HAN：4H-SiC MOS器件中活性缺陷的量化表征
 评论 ⋅  2020-12-23 15:25
日本名古屋大学宇治原徹：CFD模拟预测系统在SiC生长中的应用
 评论 ⋅  2020-12-23 15:22
深圳第三代半导体研究院杨安丽：抑制4H-SiC功率器件双极型退化的“复合提高层”设计
 评论 ⋅  2020-12-17 17:49
华北电力大学李学宝：高压SiC器件中的封装绝缘问题研究
 评论 ⋅  2020-12-17 17:44
浙江大学任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性问题的研究
 评论 ⋅  2020-12-17 17:27
Cree与Tek将于12月23日联合直播，宽禁带半导体SiC器件发展及在OBC应用
 评论 ⋅  2020-12-16 14:40
Cree | Wolfspeed 功率产品市场与应用高级总监Guy Moxey：SiC技术在电动公共汽车市场应用
CreeWolfspeed功率产品GuyMoxeySiC技术电动公共汽车市场应用
 评论 ⋅  2020-12-14 13:59
广东芯聚能总裁周晓阳：SiC功率模块在新能源汽车中的应用及其挑战
 评论 ⋅  2020-12-11 16:44
中电化合物半导体唐军：SiC基GaN射频材料热阻研究进展
 评论 ⋅  2020-12-11 16:01
第三代半导体之SiC研究：美国一家独大
 评论 ⋅  2020-12-10 11:25
南砂晶圆彭燕：SiC单晶材料及产业化进展
 评论 ⋅  2020-12-09 16:05
河北半导体研究所周幸叶：紫外探测用高性能4H-SiC雪崩光电二极管及其阵列
 评论 ⋅  2020-12-08 16:06
深圳市禾望电气张孟杰:SiC器件在新能源变换器中的应用
 评论 ⋅  2020-12-04 16:31
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