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芯联集成：公司SiC MOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局
 评论 ⋅  2025-03-18 11:22
芯粤能半导体成功开发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台
 评论 ⋅  2025-03-17 08:21
苏州创芯致尚取得一种SIC MOSFET芯片生产用切割装置专利，提高切割稳定性和精准度
 评论 ⋅  2025-03-07 17:31
江苏芯旺电子科技取得MOSFET器件用制造加工装置专利，提高加工效率
 评论 ⋅  2025-02-26 17:17
报告前瞻|湖南三安半导体许志维：SiC MOSFET器件技术之发展与挑战
 评论 ⋅  2025-02-19 15:03
Wolfspeed 推出全新第 4 代 MOSFET 技术平台
 评论 ⋅  2025-02-12 10:43
清纯半导体SiC MOSFET年度销售额首次突破亿元
 评论 ⋅  2024-12-31 12:15
万国半导体申请用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二极管专利，保护功率晶体管免受高电压 ESD 事件影响
 评论 ⋅  2024-12-23 15:02
基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展
 评论 ⋅  2024-12-23 10:41
森国科申请 MOSFET 结构相关专利，降低饱和电流
 评论 ⋅  2024-12-19 17:10
扬杰电子申请提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件专利，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性
 评论 ⋅  2024-12-19 14:49
吴伟东：SiC功率MOSFET老化检测智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2024-12-16 10:45
泰科天润“一种低导通电阻三栅纵向碳化硅MOSFET”专利获授权
 评论 ⋅  2024-12-12 13:55
泰科天润“一种低导通电阻三栅纵向碳化硅MOSFET”专利获授权
 评论 ⋅  2024-12-11 15:52
IFWS&SSLCHINA2024|CASA9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准发布
 评论 ⋅  2024-11-19 17:14
华虹半导体“低压超结MOSFET的工艺方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-11-04 17:50
富加镓业氧化镓外延片完成MOSFET横向功率器件验证
 评论 ⋅  2024-10-30 20:06
扬杰电子申请新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法专利，方法制作工艺简单
 评论 ⋅  2024-10-29 18:01
上海华虹宏力申请接触孔自对准的MOSFET制造方法专利
 评论 ⋅  2024-10-24 10:03
广东气派科技申请 MOSFET 的封装结构专利，采用封装结构得到的 MOSFET 散热性能佳
 评论 ⋅  2024-10-24 10:02
华虹宏力“一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-21 16:50
SiC MOSFET 阈值电压等9项技术标准形成委员会草案
 评论 ⋅  2024-10-15 16:35
ST官宣！推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术
 评论 ⋅  2024-09-25 17:12
扬杰科技申请一种多导电沟道的平面栅 MOSFET 及制备方法专利，降低平面栅垂直导电 MOSFET 导通电阻
 评论 ⋅  2024-09-19 17:07
龙腾股份取得 SGT-MOSFET 半导体器件制备方法相关专利，避免出现第一氧化层过薄
 评论 ⋅  2024-09-19 17:07
芯联集成：2023年及2024年上半年，公司SiC MOSFET产品出货量均位居国内第一
 评论 ⋅  2024-09-12 17:07
芯导科技申请一种 T 型沟槽栅碳化硅 MOSFET 器件结构及其制备方法专利，提高了栅极可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 16:50
华润微推出宽SOA系列MOSFET产品
 评论 ⋅  2024-09-10 13:52
萃锦半导体筹建碳化硅MOSFET项目 月产增至3000片
 评论 ⋅  2024-09-10 13:47
扬杰科技申请一种改善双极退化的碳化硅 MOSFET 器件及制备方法的专利
 评论 ⋅  2024-09-05 13:58
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