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武汉大学联合中科大iGaN实验室与工信部电子五所在GaN基HEMTs的沟道温度监测研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2025-02-14 14:46
安徽格恩半导体申请GaN基化合物半导体激光元件专利，提升光束质量因子
 评论 ⋅  2024-12-26 15:08
北京大学团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-25 10:09
北大集成电路学院研究团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-23 17:17
许福军、沈波团队成功实现垂直注入AlGaN基深紫外发光器件的晶圆级制备
 评论 ⋅  2024-11-12 18:43
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-06-03 16:44
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-04-30 16:27
国家重点研发计划“单片集成GaN基可调控Micro-LED发光器件研究”项目启动
 评论 ⋅  2024-04-18 17:29
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利，显著提升器件的光输出功率
 评论 ⋅  2024-04-08 19:10
北京大学申请长波长InGaN基发光二极管专利，有利于提高发光多量子阱中的铟并入
 评论 ⋅  2024-03-25 10:36
半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
 评论 ⋅  2024-03-07 09:47
厦门大学团队演示可同步辐射正交线偏振绿光的半极性InGaN基MCLED
 评论 ⋅  2024-01-24 17:32
南京大学庄喆：基于外延层残余应变调控的InGaN基红光LED器件
 评论 ⋅  2023-12-27 13:50
IFWS 2023│台湾成功大学李清庭：GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2023-12-08 16:40
科研新进展 | 厦门大学张保平教授课题组发表绿光GaN基VCSEL重要成果
 评论 ⋅  2023-11-09 17:12
西安交通大学李虞锋：SNOM对GaN基发光芯片的高空间分辨光学表征
 评论 ⋅  2023-08-02 09:51
CASICON西安前瞻| 中国科学院半导体所青年研究员梁锋：大功率GaN基蓝光激光器研究进展
 评论 ⋅  2023-07-23 19:21
CASICON西安站前瞻|AlGaN基深紫外LED局域化光电性能研究
 评论 ⋅  2023-07-14 18:44
CASICON 2023前瞻北京大学副教授许福军：AlGaN基深紫外发光材料和器件研究
 评论 ⋅  2023-07-13 11:11
南京大学在GaN基Micro LED研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2023-06-30 22:51
中科潞安牵头大功率深紫外AlGaN基LED发光材料与器件产业化关键技术获得立项
 评论 ⋅  2022-12-21 13:47
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件
 评论 ⋅  2022-12-14 10:27
河工大张紫辉团队在GaN基Micro-LED方面获得新进展
 评论 ⋅  2022-11-28 17:13
在纳米图案化蓝宝石衬底（NPSS）上实现AlGaN基高效多量子阱的生长
 评论 ⋅  2022-07-12 14:59
GaN基紫外半导体激光器
 评论 ⋅  2022-07-11 16:53
中科院半导体所赵德刚团队研制出室温连续功率2W的GaN基大功率紫外激光器
 评论 ⋅  2022-04-20 09:58
中科院半导体研究所张连：亚毫米波段GaN基HEMT与选区外延技术研究
 评论 ⋅  2021-12-14 14:47
中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心曾建平：宽频段高效率单片集成GaN基SBD倍频电路研究
 评论 ⋅  2021-12-14 14:42
北京大学物理学院杨学林：Si衬底上GaN基功率电子材料及器件研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:52
郑州大学Mussaab I. Niass：蓝宝石衬底上BGaN基深紫外边发射激光二极管的仿真研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:04
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