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中微公司MOCVD项目签约南昌，专注GaAs基红黄光LED应用
 评论 ⋅  2024-09-09 21:00
半导体所等在砷化镓（GaAs）中产生自旋极化研究方面取得进展
 评论 ⋅  2024-07-22 11:42
三星宣布2025年推出首个GAA制程先进封装
 评论 ⋅  2023-07-06 15:45
GAA 晶体管继任者？复旦大学团队公布CFET新进展！
 评论 ⋅  2022-12-10 19:02
中科院物理所在集成有亚波长光栅的台面型InGaAs基短波红外偏振探测器取得进展
 评论 ⋅  2022-11-29 09:29
南京大学余林蔚教授课题组实现面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超细晶硅纳米线可靠生长集成
 评论 ⋅  2022-09-13 13:31
三星宣布3纳米芯片正式开始量产 采用新 GAA晶体管架构 提高30%性能
 评论 ⋅  2022-06-30 16:52
三星计划三年内打造 3 纳米 GAA（Gate-all-around）工艺
 评论 ⋅  2022-06-20 15:35
中国科大​InGaAs单光子探测芯片设计制造领域重要进展
 评论 ⋅  2022-05-30 10:27
InGaAs单光子探测芯片设计制造领域重要进展
 评论 ⋅  2022-05-25 09:42
应用材料推出CVD升级技术 以支持GAA晶体管结构
 评论 ⋅  2022-04-22 10:42
首次采用GAA技术 台积电正式启动2nm晶圆厂建设，将于2025年投产
 评论 ⋅  2022-04-21 11:19
三星上半年量产首代3纳米GAA技术制程，第二代制程研发中
 评论 ⋅  2022-02-10 10:09
【CASICON 2021】唐晶量子龚平：6 inch GaAs基VCSEL和射频外延技术
 评论 ⋅  2021-09-16 14:32
CASICON 2021前瞻：6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射频外延技术
西安唐晶量子科技有龚平6inchGaAs基VCSEL射频外延技术
 评论 ⋅  2021-09-12 10:15
北京航天微电芯片孵化产业园开工，将建GaN/GaAs射频芯片研制线
 评论 ⋅  2021-08-30 16:50
三星：3nm GAA技术已领先
 评论 ⋅  2021-08-27 11:19
力拼台积电，三星宣布3纳米GAA成功流片
 评论 ⋅  2021-06-30 13:22
台积电：3nm进度超前，2nm将转向GAA晶体管
台积电3nm2nmGAA晶体管
 评论 ⋅  2021-02-19 09:24
台积电2nm制程研发取得突破 将切入GAA技术
三星积电研发制程新竹技术
 评论 ⋅  2020-07-13 06:07
军民融合+进口替代正当时——世界领先的GaAs和GaN混合集成微波功率放大器量产
 评论 ⋅  2020-06-24 16:25
苏州英诺迅推出基于InGaP /GaAs HBT工艺面向Wi-Fi 6E的线性功率放大器芯片
 评论 ⋅  2020-06-12 15:50
台湾交通大学激光60周年系列专文：介绍GaAs及GaN VCSEL
台湾交通大学激光60周年GaAsGaNVCSEL
 评论 ⋅  2020-05-19 13:17
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