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【CASICON 2021】东南大学教授刘斯扬：SiC功率MOSFET器件可靠性研究进展
 评论 ⋅  2021-09-14 10:30
【CASICON 2021】Crosslight创始人李湛明：将GaN功率器件推向极限——材料和TCAD视角
 评论 ⋅  2021-09-14 10:02
【CASICON 2021】云南锗业公司首席科学家惠峰：VCSEL用六英寸超低位错密度砷化镓单晶片研制及应用
 评论 ⋅  2021-09-14 09:58
【CASICON 2021】湖南国芯半导体科技戴小平：SiC模块封装技术探讨
 评论 ⋅  2021-09-14 09:55
【CASICON 2021】中国电科首席科学家陈堂胜：低温键合金刚石GaN HEMT微波功率器件
 评论 ⋅  2021-09-14 09:51
【CASICON 2021】南京工业职业技术大学雷建明：GaN功率开关器件及其高频电源应用
 评论 ⋅  2021-09-14 09:42
CASICON 2021前瞻：6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射频外延技术
西安唐晶量子科技有龚平6inchGaAs基VCSEL射频外延技术
 评论 ⋅  2021-09-12 10:15
CASICON 2021前瞻：碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发进展
 评论 ⋅  2021-09-11 06:04
CASICON 2021前瞻：1kV宽禁带LLC变换器控制与应用
南京航空航天大学张之梁教授1kV宽禁带LLC变换器控制应用
 评论 ⋅  2021-09-11 05:45
CASICON 2021前瞻：碳化硅与金刚石单晶衬底技术与产业化研究
 评论 ⋅  2021-09-10 10:47
CASICON 2021前瞻：金刚石微波功率器件研究
 评论 ⋅  2021-09-10 10:46
CASICON 2021前瞻：碳化硅外延装备及技术进展
芜湖启迪半导体钮应喜南京功率射频半导体应用峰会，碳化硅外延装备
 评论 ⋅  2021-09-10 10:46
CASICON 2021前瞻：VCSEL用六英寸超低位错密度砷化镓单晶片研制及应用
 评论 ⋅  2021-09-10 10:37
CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
 评论 ⋅  2021-09-10 10:21
CASICON 2021前瞻：SiC功率MOSFET器件可靠性研究进展
 评论 ⋅  2021-09-10 09:45
CASICON 2021前瞻：低成本高性能氧化镓半导体功率电子器件
 评论 ⋅  2021-09-08 11:49
CASICON 2021前瞻：SiC模块封装技术探讨
 评论 ⋅  2021-09-08 11:38
CASICON 2021前瞻：将GaN功率器件推向极限——材料和TCAD视角
 评论 ⋅  2021-09-08 10:45
CASICON 2021前瞻：氧化镓基双极型异质结功率器件研究
 评论 ⋅  2021-09-07 17:34
CASICON 2021前瞻：南京大学陈敦军教授将出席南京功率与射频半导体应用峰会
CASICON2021南京大学陈敦军功率射频半导体氮化镓功率开关器件高频电源
 评论 ⋅  2021-09-04 15:32
CASICON 2021前瞻：复旦大学青年研究员樊嘉杰将出席南京功率与射频半导体应用峰会
复旦大学樊嘉杰CASICON2021SiC功率器件先进封装材料可靠性优化设计
 评论 ⋅  2021-09-04 15:15
CASICON 2021前瞻：南京大学电子科学与工程学院陈鹏教授将出席南京功率与射频半导体应用峰会
南京大学陈鹏教授GaN基肖特基功率器件研究新进展
 评论 ⋅  2021-09-04 12:34
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