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从0到1，海宁立昂东芯6英寸微波射频芯片项目成功通线
 评论 ⋅  2024-12-24 16:28
浙江材孜科技取得碳化硅单晶生长装置专利，有利于生长空间的稳定性
 评论 ⋅  2024-12-24 16:04
纳维达斯半导体申请 GaN 半桥电路等专利，提升电路性能
 评论 ⋅  2024-12-24 15:54
总投资7.5亿元，星曜半导体5G射频滤波器芯片晶圆产线项目投产
 评论 ⋅  2024-12-24 15:10
总投资10亿元，民翔半导体存储项目一期投产！
 评论 ⋅  2024-12-24 15:08
华为申请碳化硅衬底制备方法专利，使碳化硅衬底内部应力分布均匀
 评论 ⋅  2024-12-23 16:54
郑州势垒取得用于金刚石生长的 MPCVD 装置专利，能有效隔离外界空气维持真空工作环境
 评论 ⋅  2024-12-23 15:15
广东中图半导体申请高一致性图形化衬底制备方法专利，解决图形化衬底均一性降低问题
 评论 ⋅  2024-12-23 15:14
万国半导体申请用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二极管专利，保护功率晶体管免受高电压 ESD 事件影响
 评论 ⋅  2024-12-23 15:02
Science：AI驱动闭环设计，加速高性能有机半导体材料发现
 评论 ⋅  2024-12-23 11:59
总投资3亿元！合肥新站高新区新增一半导体项目，明年开工建设
 评论 ⋅  2024-12-23 11:11
上海瑞华晟申请SiC/SiC复合材料制备方法专利，提升材料抗氧化性
 评论 ⋅  2024-12-20 16:05
南京集芯光电取得一种氮化镓生长加热炉专利，解决氮化镓采取和附着问题，提高产量
 评论 ⋅  2024-12-20 16:01
浙之芯申请一种氮化镓传感器及制备方法和装置专利，大大提高氮化镓传感器的制备效率
 评论 ⋅  2024-12-20 15:59
苏州立琻半导体申请p型AlGaN材料及其制备等专利，提高了p型AlGaN材料的空穴浓度
 评论 ⋅  2024-12-20 15:51
总投资1.2亿 湖州奕富半导体研磨装备国产化项目签约，
 评论 ⋅  2024-12-20 11:13
用AI链接芯世界，此芯科技2024生态大会完美收官
 评论 ⋅  2024-12-20 10:15
环球晶圆获芯片法案4.06亿美元补贴，将建设美国首座大批量300毫米硅晶圆工厂
 评论 ⋅  2024-12-20 09:32
上海积塔半导体申请检测晶圆位置的专利，能够确保后续晶圆环切等工艺顺利进行
 评论 ⋅  2024-12-19 17:36
浙江睿熙申请 VCSEL 集成晶圆及其制造方法专利，实现晶圆级别集成
 评论 ⋅  2024-12-19 17:32
森国科申请 MOSFET 结构相关专利，降低饱和电流
 评论 ⋅  2024-12-19 17:10
上海烨映微电子申请 GaN 晶体管与栅极驱动器合封专利，实现高频能力
 评论 ⋅  2024-12-19 16:26
杭州芯迈半导体技术申请一种功率开关器件专利，提高了器件的功率密度
 评论 ⋅  2024-12-19 15:58
成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率器件专利，提高器件的抗辐照能力
 评论 ⋅  2024-12-19 15:43
扬杰电子申请提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件专利，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性
 评论 ⋅  2024-12-19 14:49
上海积塔半导体申请碳化硅晶体管结构及其制备方法专利，有效降低器件VFSD
 评论 ⋅  2024-12-19 14:48
博世获16亿元补贴，将投138亿元发力8英寸SiC芯片！
 评论 ⋅  2024-12-19 13:49
华虹半导体申请集成半导体器件及其制备方法专利，提高芯片整体抗EMI能力
 评论 ⋅  2024-12-19 13:37
总投资3亿元，深矽微科技功率器件封装生产基地项目首批设备正式进场
 评论 ⋅  2024-12-19 11:56
总投资5亿！湖南一半导体封装测试项目，开工
 评论 ⋅  2024-12-19 11:53
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