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SCIENCE CHINA|
面向
超高像素密度TFT基Micro-LED全彩显示应用的激光巨量转移技术
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超高像素密度TFT基Micro-LED全彩显示应用的激光巨量转移技术
新微半导体推出850nm 10G VCSEL工艺平台,
面向
广泛的数通应用
信越化学
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GaN半导体开发出大型基板
上海微系统所成功开发
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二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
我国科学家开发出
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新型芯片的绝缘材料
CASA与CSA共同立项团体标准《
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光治疗的柔性LED光源拉伸度测试方法》
CASICON晶体大会前瞻|中国电科第十三研究所芦伟立:
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特种器件应用的SiC多层超厚外延进展及机遇
CASICON晶体大会前瞻|中国科学院半导体研究所杨晓光:
面向
硅光集成的III-V族量子点材料与激光器
CSPSD 2024成都前瞻|北京工业大学张亚民:
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氮化镓微波功率器件的异质界面温升表征方法
山东大学彭燕、徐现刚团队在
面向
大功率高效散热GaN器件用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石
SiC
GaN
衬底
西安电子科技大学游淑珍:
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1200V功率应用的异质衬底横向和垂直GaN器件发展趋势
IFWS 2023│博睿光电梁超:
面向
高功率器件的超高导热AIN陶瓷基板的研制及开发
IFWS&SSLCHINA2023│香港科技大学教授陈敬:
面向
功率、射频和数字应用的氮化镓器件技术
性能位居前列! 芯生代科技发布
面向
HEMT功率器件的 850V大功率氮化镓外延产品
中瓷电子:主驱用大功率MOSFET产品主要
面向
比亚迪
CASICON 2023深圳前瞻 |博睿光电副总经理梁超博士:
面向
高功率器件的超高导热AlN陶瓷基板的研制及开发
长电科技
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第三代半导体市场解决方案营收有望大幅增长
《北京市促进未来产业创新发展实施方案》发布
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六大领域打造未来产业策源高地
香港科技大学(广州)王蕴达:
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光电子异质集成的微转印技术
中镓半导体刘强:
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氮化镓同质外延功率/光电器件应用的氮化镓单晶衬底制备技术研发进展
中国电科46所霍晓青:
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氧化镓功率器件的大尺寸氧化镓单晶材料技术
西安华合德新材料李灏文:
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低成本碳化硅功率器件用大尺寸SiC 单晶技术
长电科技
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5G射频功放推出的高密度异构集成SiP解决方案即将在国内大规模量产
艾迈斯欧司朗与爱思强宣布,
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Micro LED应用的200mm晶圆AIXTRON G5+ C和G10-AsP系统已获艾迈斯欧司朗认证
南京大学余林蔚教授课题组实现
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GAA-FET的10 nm特征尺寸超细晶硅纳米线可靠生长集成
面向
可重构整流电路的互补型栅控PN结电路研究
东芝推出第3代SiC MOSFET
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更高效工业设备
沐曦与清华集成电路学院启动项目合作,
面向
基因测序和同态密码的可重构架构设计研究
意法半导体发布经济型抗辐射加固芯片,
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关注成本的“新太空”卫星应用
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