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苏州高视半导体申请基于晶圆检测系统的晶圆检测方法专利,
降低
晶圆缺陷的检测成本
扬杰科技申请一种多导电沟道的平面栅 MOSFET 及制备方法专利,
降低
平面栅垂直导电 MOSFET 导通电阻
瀚天天成“一种
降低
碳化硅外延片生长缺陷的方法及碳化硅衬底”专利获授权
捷捷微电取得
降低
开关损耗的分离栅MOSFET器件及其制造方法专利,
降低
了开关损耗
华羿微电申请高性能 MOSFET 功率器件外延设计结构专利,
降低
功率器件制造成本
极紫外光刻新技术问世 能大幅提高能源效率并
降低
半导体制造成本
扬杰科技申请
降低
栅极电容的 SiCMOSFET 及制备方法专利,
降低
SiCMOSFET 栅极电容
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利,
降低
导通电阻进而
降低
损耗
技术进展|突破性研究:GaN-on-Diamond键合界面热阻显著
降低
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利,
降低
导通电阻进而
降低
损耗
华为公司申请半导体器件及其制备方法专利,
降低
半导体器件的功率损耗
日本初创公司开发功率半导体生产新材料 成本
降低
75%
海信家电申请半导体装置专利,
降低
半导体装置的生产成本
北京大学申请碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法专利,能够
降低
器件的沟道电阻
日企新技术可将氮化镓成本
降低
9成 市场应用空间望打开
【CASICON 2023】湖南大学半导体学院(集成电路学院)李阳锋:原位AlGaN插入层
降低
InGaN LED漏电流
外媒:日本电装开发出新型功率半导体 可将能量损失
降低
20%
英飞凌CoolSiC™功率模块可将有轨电车的能耗
降低
10%
韩国推功率半导体支援计划 将生产和设备的成本
降低
50%-60%
英飞凌:SiC、GaN功率元件5年内成本将逐步
降低
IME 发布 4 层半导体层 3D 堆叠技术,可提升效能
降低
成本
华为公开激光器芯片相关专利,可
降低
激光器的频率啁啾,增大信号传输距离
华为
激光器芯片
专利
激光器
频率
啁啾
富满电子:12寸的工艺会更先进 成本可
降低
15%-20%
降低
对日本依赖!三星SDI已开始开发半导体光刻胶
日本东芝开发的功率半导体,最大可
降低
40.5%的功率损耗
汇顶科技发布2020年年度报告:归母净利润同比
降低
28.4%
英飞凌推出车用650 V CoolSiC 混合分立器件 可
降低
成本
东芝的新型光电继电器通过
降低
安装密度助力设备小型化
最大值
东芝
继电器
电流
电压
工作温度
小米集团2020年二季度净利润33.7亿元 同比
降低
7.2%
亿元
同比增长
第二季度
小米
智能手机
出货量
免费的ClockTuner软件将于下月为AMD锐龙CPU用户带来更高的能效收益
超频
功耗
模块
降低
性能
工具软件
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2
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