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苏州创芯致尚取得一种SIC MOSFET芯片生产用切割
装置
专利,提高切割稳定性和精准度
江西兆驰半导体取得用于蓝宝石衬底的清洗
装置
专利,方便收集清洗后的废液
江苏芯旺电子科技取得MOSFET器件用制造加工
装置
专利,提高加工效率
格力电器获得发明专利授权:“IGBT模块保护
装置
、IGBT模块及变频器”
英飞凌科技申请功率半导体模块
装置
及其制作方法专利,实现材料固化形成固体层等操作
长园半导体设备取得芯片取料
装置
和芯片生产系统专利,有效提高产品从膜片上取料的成功率
比亚迪半导体“存储器测试方法、存储器测试
装置
、存储介质和电子设备”专利公布
北方华创“上电极
装置
及半导体工艺设备”专利公布
华海清科“晶圆干燥
装置
和晶圆干燥方法”专利公布
上海积塔半导体取得晶圆承载
装置
及应用其的半导体工艺设备专利,避免晶圆拿取时破碎
北方华创“一种晶圆位置检测
装置
及半导体设备”专利公布
无锡锟芯半导体取得一种IGBT的驱动
装置
专利,实现IGBT本体的快速装拆
浙江材孜科技取得碳化硅单晶生长
装置
专利,有利于生长空间的稳定性
郑州势垒取得用于金刚石生长的 MPCVD
装置
专利,能有效隔离外界空气维持真空工作环境
浙之芯申请一种氮化镓传感器及制备方法和
装置
专利,大大提高氮化镓传感器的制备效率
广州南砂晶圆半导体技术取得交流电阻加热器及SiC单晶生长
装置
专利,提高晶体生长速度且有助于4H‑SiC晶型稳定
深圳市联微半导体取得定位
装置
专利,能够具有较低的成本
北方华创“工艺配方的管理控制方法、
装置
及半导体设备”专利公布
山东粤海金半导体取得专用碳化硅衬底Wafer倒角
装置
专利,可实现自由设计倒角形状
汉斯半导体取得一种 IGBT 模块封装外壳抛光
装置
专利,抛光效率高
华海清科“驱动机构的保湿控制方法、晶圆清洗
装置
、存储介质”专利公布
江苏集芯申请大尺寸碳化硅晶体生长坩埚及生长
装置
专利,保证晶体中心位置和外侧边缘的生长速率相一致
武汉新芯取得清洗
装置
及半导体制造设备专利,去除晶圆边缘残留物避免影响后续工艺
芯源微获得发明专利授权:“晶圆搬运
装置
及晶圆搬运方法”
武汉凡谷取得用于两端面形状不同的杆类部件的正反向识别输送
装置
专利
福建泓光半导体材料取得一种光刻胶自动过滤
装置
专利,提高工作效率
北方华创“碳化硅晶体生长
装置
”专利公布
芯聚能 “功率模块的封装方法、
装置
和功率模块”专利获授权
莱特光电申请含氮化合物及有机电致发光器件和电子
装置
专利
广电计量申请SiCMOSFET体二极管双极退化试验方法及
装置
专利,提高了老化效率,加速了双极退化
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