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苏州无热芯阳半导体申请新型衬底及其氧化物半导体场效应晶体管专利
 评论 ⋅  2025-03-31 10:48
12英寸碳化硅衬底实现激光剥离
 评论 ⋅  2025-03-28 15:14
西湖仪器：实现12英寸碳化硅衬底激光剥离
 评论 ⋅  2025-03-26 17:28
全球首发！天岳先进携全系列12英寸碳化硅衬底产品震撼登场SEMICON China 2025
 评论 ⋅  2025-03-25 22:40
【全球首发】8英寸氧化镓晶圆衬底震撼问世｜杭州镓仁邀您SEMICON见证半导体产业新突破
 评论 ⋅  2025-03-25 11:26
重磅发布｜九峰山实验室GaN系列成果首次发布！
九峰山实验室GaN研究成果8英寸氮化镓衬底
 评论 ⋅  2025-03-24 09:29
年产150万克拉金刚石芯片衬底项目签约
 评论 ⋅  2025-03-18 16:16
中信证券：建议关注SiC器件领军厂商以及衬底环节的本土龙头
 评论 ⋅  2025-03-18 11:34
三安光电：重庆8英寸碳化硅衬底目前周产能达500片/周
 评论 ⋅  2025-03-13 08:24
浙江大学任娜：基于P型碳化硅衬底材料的结势垒肖特基二极管|CASICON重庆站
 评论 ⋅  2025-03-06 15:55
哈密优普莱高品质金刚石毛坯及芯片衬底材料项目开工
 评论 ⋅  2025-03-05 09:12
江西兆驰半导体取得用于蓝宝石衬底的清洗装置专利，方便收集清洗后的废液
 评论 ⋅  2025-02-26 18:41
CASA立项《HEMT功率器件用硅衬底氮化镓外延片》1项团体标准
 评论 ⋅  2025-02-26 11:00
KAUST实现千伏级蓝宝石衬底AlN肖特基二极管
 评论 ⋅  2025-02-17 09:10
同光半导体年产20万片8英寸碳化硅单晶衬底项目启动
 评论 ⋅  2025-02-12 14:37
同光半导体年产20万片8英寸碳化硅单晶衬底项目启动
 评论 ⋅  2025-02-12 12:06
一批半导体项目签约衢州 涉及氧化镓、氮化铝单晶衬底等
 评论 ⋅  2025-02-07 16:51
北京航天赛德申请氮化镓衬底抛光液专利，极大提升氮化镓衬底表面特性
 评论 ⋅  2025-01-08 11:02
派恩杰“一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底”专利公布
 评论 ⋅  2024-12-31 16:08
碳化硅衬底龙头天岳先进拟港股上市
 评论 ⋅  2024-12-31 09:44
烁科晶体：全球首发12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅衬底
 评论 ⋅  2024-12-31 09:28
杭州镓仁半导体氧化镓衬底技术突破，助力客户实现2400V增强型晶体管
 评论 ⋅  2024-12-30 07:45
上海天岳申请一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底及SiC晶体专利，提高SiC衬底质量
 评论 ⋅  2024-12-26 16:43
派恩杰“一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底”专利公布
 评论 ⋅  2024-12-24 10:32
华为申请碳化硅衬底制备方法专利，使碳化硅衬底内部应力分布均匀
 评论 ⋅  2024-12-23 16:54
广东中图半导体申请高一致性图形化衬底制备方法专利，解决图形化衬底均一性降低问题
 评论 ⋅  2024-12-23 15:14
基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展
 评论 ⋅  2024-12-23 10:41
天岳先进携12英寸导电N型碳化硅衬底亮相SEMICON Japan 2024
天岳先进SEMICONJAPAN碳化硅SiC12英寸碳化硅衬底
 评论 ⋅  2024-12-17 10:48
天岳先进荣膺“中国SiC衬底影响力企业”首位及“8英寸SiC先锋”
 评论 ⋅  2024-12-16 11:05
新美光“衬底加热体组件及化学气相沉积设备”专利获授权
 评论 ⋅  2024-12-11 16:02
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