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瀚天天成申请降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷专利，可提高碳化硅外延片质量
 评论 ⋅  2025-04-11 16:30
重庆芯联微电子申请掩膜版图形及其优化方法专利，解决集成电路版图工艺缺陷
 评论 ⋅  2024-10-31 17:17
苏州高视半导体申请基于晶圆检测系统的晶圆检测方法专利，降低晶圆缺陷的检测成本
 评论 ⋅  2024-10-28 17:43
杭州镓仁半导体申请氧化镓单晶衬底抛光片划片方法专利，减少切割道周边晶片解理、崩裂和微裂纹等缺陷的产生
 评论 ⋅  2024-10-21 10:26
瀚天天成“一种降低碳化硅外延片生长缺陷的方法及碳化硅衬底”专利获授权
 评论 ⋅  2024-08-29 16:08
普兴电子6英寸低密度缺陷碳化硅外延片产业化项目环评第二次公示
 评论 ⋅  2024-08-23 16:03
博视像元获1.3亿元A轮融资，产品应用于晶圆缺陷检测等领域
 评论 ⋅  2024-08-21 11:10
CASICON晶体大会前瞻|山东大学徐现刚：低缺陷碳化硅单晶进展及展望
 评论 ⋅  2024-06-06 15:36
CASICON晶体大会前瞻 |创锐光谱金盛烨：瞬态光谱技术及其在SiC晶圆缺陷检测中的应用
 评论 ⋅  2024-06-03 14:43
CASICON晶体大会前瞻 |广东工业大学张紫辉：界面缺陷效应对 GaN功率电子器件的影响研究
 评论 ⋅  2024-05-29 11:12
御微半导体首台掩模基板缺陷检测产品交付国内先进掩模厂
 评论 ⋅  2024-05-15 15:21
CSPSD 2024成都前瞻|大连理工大学王德君：SiC半导体表界面缺陷及MOS器件可靠性
 评论 ⋅  2024-04-18 13:47
高视半导体纳米级图形晶圆缺陷检测量产设备出口马来西亚头部客户
 评论 ⋅  2024-01-30 15:05
4H-SiC 中基面位错滑移带表征和外延传播
4HSiC晶体缺陷晶体生长
 评论 ⋅  2024-01-02 15:38
IFWS 2023│中国科学院半导体所闫果果：6英寸碳化硅外延生长及深能级缺陷研究
 评论 ⋅  2023-12-07 17:38
IFWS 2023│厦门大学徐翔宇：氧化镓缺陷研究，合金工程电子结构调制以及日盲光电探测器的开发
 评论 ⋅  2023-12-05 16:32
IFWS 2023│清软微视周继乐：化合物半导体衬底和外延缺陷无损检测技术
 评论 ⋅  2023-12-04 15:13
南开团队在缺陷调控构筑新光电材料方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-11-03 10:23
山东大学与南砂晶圆团队在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面取得重大突破
 评论 ⋅  2023-08-30 19:13
厦门大学徐翔宇：氧化镓缺陷、合金化电子结构调控及日盲光电探测器研究
 评论 ⋅  2023-08-03 10:55
西安电子科技大学孙汝军：氧化镓的电子态缺陷研究
 评论 ⋅  2023-08-01 14:23
CASICON西安站前瞻|西安电子科技大学孙汝军：氧化镓的电子态缺陷研究
 评论 ⋅  2023-07-13 15:20
华工科技2022年营收净利双增 SiC衬底外观缺陷检测设备实现国产替代应用
 评论 ⋅  2023-03-01 11:15
中国科大在低维光伏材料点缺陷性质研究中取得新进展
 评论 ⋅  2022-12-30 09:13
重大突破！科友半导体碳化硅跻身8吋行列，晶体无缺陷最大直径超过204毫米
 评论 ⋅  2022-12-30 08:27
SiC工艺之质子注入缺陷抑制技术解决碳化硅层错难题
 评论 ⋅  2022-12-12 15:24
晶圆切割常见缺陷问题分析
 评论 ⋅  2022-11-17 14:42
半导体材料的点空位缺陷工程用于环境修复以及可持续能源生产
 评论 ⋅  2022-05-10 11:30
北大朱瑞团队与于海峰团队合作ACS Energy Letters：钙钛矿半导体的多种缺陷管理实现高效稳定光伏器件
北大朱瑞于海峰ACSEnergyLetters钙钛矿半导体多种缺陷管理光伏器件
 评论 ⋅  2021-08-17 09:46
英诺激光：目前公司产品在芯片制造领域的应用为晶圆加工缺陷检测、碳化硅退火等制造工序
英诺激光芯片制造晶圆加工缺陷检测碳化硅退火等制造工序
 评论 ⋅  2021-07-26 10:54
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