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清华大学
申请
半导体装置的制备方法、半导体装置和电子设备专利
北京大学
申请
p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法专利,实现电流密度的增加
北京大学
申请
长波长InGaN基发光二极管专利,有利于提高发光多量子阱中的铟并入
华为公司
申请
半导体器件及其制备方法专利,降低半导体器件的功率损耗
晶合集成
申请
半导体器件专利,提升半导体器件的性能
长鑫存储
申请
晶圆级封装方法专利,提高晶圆封装的良率
比亚迪半导体
申请
终端结构及其制造方法以及功率器件专利,能够提高耐压值
北京大学
申请
大尺寸高热导率III族氮化物外延材料的制备方法专利,提高整个异质集成结构的热导率
海信家电
申请
半导体装置专利,降低半导体装置的生产成本
东微半导
申请
氮化镓器件及其制造方法专利,提供一种氮化镓器件
扬杰科技
申请
高封装功率密度的GaNHEMT器件及其制备方法专利
比亚迪半导体
申请
逆导型IGBT功率器件专利,有效抑制负阻效应,提高器件性能
芯导科技
申请
TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法专利,进一步缩小了接触孔沿沟道方向尺寸
晶合集成
申请
半导体结构及其制备方法专利
北京大学
申请
碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法专利,能够降低器件的沟道电阻
长电科技
申请
光电芯片互联封装结构及其制备方法专利
盛美上海
申请
预湿腔内外气压平衡控制装置及方法专利
华为公司
申请
功率器件专利,提高半导体器件的可靠性
拟募资6亿元!证监会:同意灿芯股份科创板IPO注册
申请
北京大学
申请
高动态稳定性GaN器件专利,提高GaN HEMT的动态稳定性
阳光电源
申请
功率半导体保护专利,能为功率半导体模块提供更快速及时的保护
阳光电源
功率半导体
保护专利
比亚迪半导体
申请
半导体器件终端结构、制备方法及半导体器件专利
北京大学
申请
半导体器件结构专利
卧龙电驱子公司龙能电力新三板挂牌
申请
获受理
卧龙电驱
龙能电力
新三板
挂牌
EPC
光伏电站
北京大学
申请
GaN与碳纳米管CMOS电路专利
通用电气
申请
超结功率半导体装置专利,减少切换损耗
通用电气,功率半导体,超结,专利
国家自然科学基金委发布“未来集成电路新理论与技术基础研究”专项项目
申请
指南
蔚来汽车为自研芯片
申请
“蔚来杨戬”商标,预计本月量产
至纯科技18亿元定增
申请
终止审核
锴威特、爱科赛博科创板IPO注册
申请
获证监会同意
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