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苏州无热芯阳半导体申请新型衬底及其氧化物半导体场效应晶体管专利
 评论 ⋅  2025-03-31 10:48
天科合达申请在坩埚内部放置石墨件来提升碳化硅粉料利用率的专利，能够明显提高原料利用率
 评论 ⋅  2025-03-26 19:09
山东晶镓申请一种紫外光催化辅助的氮化镓晶圆抛光方法专利，提高了氮化镓晶圆的抛光效率
 评论 ⋅  2025-03-21 15:31
江苏超芯星半导体申请一种 8 英寸碳化硅晶圆单面抛光方法专利，显著降低生产成本
 评论 ⋅  2025-03-20 16:55
安徽格恩半导体申请氮化镓基化合物半导体激光器专利，提升远场图像FFP质量、光束质量因子和激光相干性
 评论 ⋅  2025-03-20 11:03
上海光通信申请半导体结构相关专利，缩小半导体结构线宽提高器件密度
 评论 ⋅  2025-03-20 11:00
英飞凌科技申请功率半导体模块装置及其制作方法专利，实现材料固化形成固体层等操作
 评论 ⋅  2025-02-24 16:44
北方华创申请工艺腔室及半导体工艺设备专利，双重密封提高射频线圈处的密封性
 评论 ⋅  2025-02-24 10:30
长飞先进半导体申请功率器件及相关专利，降低功耗
 评论 ⋅  2025-02-24 10:29
提交申请，宁德时代赴港上市！
 评论 ⋅  2025-02-12 09:26
北京航天赛德申请氮化镓衬底抛光液专利，极大提升氮化镓衬底表面特性
 评论 ⋅  2025-01-08 11:02
成都士兰半导体申请半导体外延结构及其制备方法专利，降低外延自掺杂效应
 评论 ⋅  2024-12-27 15:49
深圳晶源申请光刻胶模型优化方法专利，能够解决模型中存在的过拟合现象和一致性不佳的技术问题
 评论 ⋅  2024-12-27 15:39
河北同光半导体申请具有 p/n 结结构的碳化硅单晶柔性膜专利，实现碳化硅薄膜高效剥离且无损伤
 评论 ⋅  2024-12-27 14:54
上海天岳申请一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底及SiC晶体专利，提高SiC衬底质量
 评论 ⋅  2024-12-26 16:43
安徽格恩半导体申请GaN基化合物半导体激光元件专利，提升光束质量因子
 评论 ⋅  2024-12-26 15:08
广州华瑞升阳申请宽禁带半导体器件专利，降低宽禁带半导体器件导通损耗和栅介质层击穿风险
 评论 ⋅  2024-12-26 09:56
奔驰车标制造商申请破产 欧洲汽车产业危机蔓延
 评论 ⋅  2024-12-26 08:43
纳维达斯半导体申请 GaN 半桥电路等专利，提升电路性能
 评论 ⋅  2024-12-24 15:54
天域半导体向港交所递交上市申请
 评论 ⋅  2024-12-24 08:33
华为申请碳化硅衬底制备方法专利，使碳化硅衬底内部应力分布均匀
 评论 ⋅  2024-12-23 16:54
广东中图半导体申请高一致性图形化衬底制备方法专利，解决图形化衬底均一性降低问题
 评论 ⋅  2024-12-23 15:14
万国半导体申请用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二极管专利，保护功率晶体管免受高电压 ESD 事件影响
 评论 ⋅  2024-12-23 15:02
上海瑞华晟申请SiC/SiC复合材料制备方法专利，提升材料抗氧化性
 评论 ⋅  2024-12-20 16:05
浙之芯申请一种氮化镓传感器及制备方法和装置专利，大大提高氮化镓传感器的制备效率
 评论 ⋅  2024-12-20 15:59
苏州立琻半导体申请p型AlGaN材料及其制备等专利，提高了p型AlGaN材料的空穴浓度
 评论 ⋅  2024-12-20 15:51
上海积塔半导体申请检测晶圆位置的专利，能够确保后续晶圆环切等工艺顺利进行
 评论 ⋅  2024-12-19 17:36
浙江睿熙申请 VCSEL 集成晶圆及其制造方法专利，实现晶圆级别集成
 评论 ⋅  2024-12-19 17:32
森国科申请 MOSFET 结构相关专利，降低饱和电流
 评论 ⋅  2024-12-19 17:10
上海烨映微电子申请 GaN 晶体管与栅极驱动器合封专利，实现高频能力
 评论 ⋅  2024-12-19 16:26
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