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湖南三安半导体申请功率器件专利，可提高钝化层在外围区域的附着力
 评论 ⋅  2024-11-12 16:26
昕感科技申请一种终端复合结构及高压 SIC 器件专利，提升终端效率并提高工艺容错率
 评论 ⋅  2024-11-12 16:14
联华电子申请半导体结构以及其形成方法专利，具有特定的结构和元件排列
 评论 ⋅  2024-11-06 14:22
南京南瑞半导体申请沟槽型SiC器件及其制备方法专利，可防止器件过早击穿烧毁
 评论 ⋅  2024-11-04 16:31
安徽长飞先进半导体申请半导体器件相关专利，使半导体器件获得更好的散热结构以及更低的电阻率
 评论 ⋅  2024-11-04 15:27
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件性能和可靠性
 评论 ⋅  2024-11-04 15:24
中微半导体设备申请双腔处理系统及气体供应方法专利
 评论 ⋅  2024-11-04 14:10
上海汉虹申请一种单晶炉碳化硅炉专用KF40电动蝶阀专利
 评论 ⋅  2024-11-04 11:50
重庆芯联微电子申请掩膜版图形及其优化方法专利，解决集成电路版图工艺缺陷
 评论 ⋅  2024-10-31 17:17
粤芯半导体申请光刻机对准方法专利，平衡晶圆中切割道与芯片的研磨速率
 评论 ⋅  2024-10-31 17:11
长鑫存储申请半导体结构及制备方法专利，提高集成电路的存储密度
 评论 ⋅  2024-10-31 13:57
扬杰电子申请新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法专利，方法制作工艺简单
 评论 ⋅  2024-10-29 18:01
合肥晶合集成电路申请一种半导体器件的制作方法专利，能够提高半导体器件的性能
 评论 ⋅  2024-10-29 18:00
无锡博通申请半桥GaN增强型开关器件及其制备方法专利，保证器件的高速开关
 评论 ⋅  2024-10-29 17:53
苏州敏芯微电子申请力传感器的封装结构及其制造方法专利，解决现有力传感器力传递灵敏度低的问题
 评论 ⋅  2024-10-28 17:54
苏州高视半导体申请基于晶圆检测系统的晶圆检测方法专利，降低晶圆缺陷的检测成本
 评论 ⋅  2024-10-28 17:43
中芯国际申请光刻机焦距监控相关专利，实现在线焦距监控且对产品晶圆图形影响小
 评论 ⋅  2024-10-28 16:37
上海华虹宏力申请接触孔自对准的MOSFET制造方法专利
 评论 ⋅  2024-10-24 10:03
广东气派科技申请 MOSFET 的封装结构专利，采用封装结构得到的 MOSFET 散热性能佳
 评论 ⋅  2024-10-24 10:02
杭州镓仁半导体申请氧化镓单晶衬底抛光片划片方法专利，减少切割道周边晶片解理、崩裂和微裂纹等缺陷的产生
 评论 ⋅  2024-10-21 10:26
江苏集芯申请大尺寸碳化硅晶体生长坩埚及生长装置专利，保证晶体中心位置和外侧边缘的生长速率相一致
 评论 ⋅  2024-10-21 10:06
格兰菲申请功率半导体器件结构及其制备方法专利，有利于终端区面积缩小
 评论 ⋅  2024-10-11 10:53
厦门三安集成电路申请射频功率放大器相关专利
 评论 ⋅  2024-09-27 20:50
忱芯科技申请碳化硅功率半导体器件的驱动板和测试方法专利
 评论 ⋅  2024-09-27 20:45
晶合集成申请一种半导体结构的制作方法及动态调整系统专利，提高半导体结构的良率
 评论 ⋅  2024-09-19 17:13
扬杰科技申请一种多导电沟道的平面栅 MOSFET 及制备方法专利，降低平面栅垂直导电 MOSFET 导通电阻
 评论 ⋅  2024-09-19 17:07
浙江奥首材料科技申请一种用于半导体化合物光刻胶的剥离液专利，减少剥离液中的腐蚀
 评论 ⋅  2024-09-19 17:01
芯导科技申请一种 T 型沟槽栅碳化硅 MOSFET 器件结构及其制备方法专利，提高了栅极可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 16:50
扬杰科技申请“一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法”专利，提高器件的高压 H3TRB 的可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 15:53
上海积塔半导体申请半导体结构相关专利，避免因相邻膜层刻蚀选择比过大形成底切结构
 评论 ⋅  2024-09-11 14:14
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