首页 > 新闻资讯 > 搜索
深圳平湖实验室在氧化镓理论研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2024-11-11 15:08
富加镓业氧化镓外延片完成MOSFET横向功率器件验证
 评论 ⋅  2024-10-30 20:06
镓仁半导体：铸造法成功生长超厚6英寸氧化镓单晶！
 评论 ⋅  2024-10-29 19:59
镓仁半导体成功制备VB法(非铱坩埚)2英寸氧化镓单晶
 评论 ⋅  2024-10-27 22:32
日本FOX公司计划2028年量产6英寸氧化镓晶圆
 评论 ⋅  2024-10-21 17:07
杭州镓仁半导体申请氧化镓单晶衬底抛光片划片方法专利，减少切割道周边晶片解理、崩裂和微裂纹等缺陷的产生
 评论 ⋅  2024-10-21 10:26
镓仁半导体推出氧化镓专用长晶设备
 评论 ⋅  2024-09-23 15:22
龙腾股份取得 SGT-MOSFET 半导体器件制备方法相关专利，避免出现第一氧化层过薄
 评论 ⋅  2024-09-19 17:07
富加镓业年产10000片6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工
 评论 ⋅  2024-09-14 15:51
镓仁半导体成功研制氧化镓超薄6英寸衬底
 评论 ⋅  2024-09-12 10:48
总投资8.97亿！雅克科技拟建设球形硅微粉、球形氧化铝项目
 评论 ⋅  2024-08-29 16:49
上海微系统所成功开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
 评论 ⋅  2024-08-08 11:10
新突破︱镓仁半导体晶圆级(010)氧化镓单晶衬底直径突破3英寸
 评论 ⋅  2024-07-16 10:54
CASICON晶体大会前瞻|金奎娟院士：光与低维氧化物相互作用研究
 评论 ⋅  2024-06-04 16:57
西安交大刘明教授团队在柔性自支撑反铁电氧化物单晶薄膜研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-06-04 13:40
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破
 评论 ⋅  2024-06-04 10:25
厦门大学团队在第四代半导体氧化镓材料外延和深紫外探测应用领域研究取得重要进展
 评论 ⋅  2024-04-18 16:08
CSPSD 2024成都前瞻|广东工业大学周贤达：非晶氧化物半导体功率器件：理论极限和初步实现
 评论 ⋅  2024-04-15 16:58
6英寸氧化镓单晶实现产业化
 评论 ⋅  2024-03-21 16:32
晶旭半导体获战略投资协议，计划实现年产75万片ε相氧化镓外延片（压电领域用）
 评论 ⋅  2024-02-05 15:35
第四代半导体迎来新进展 相关A股公司抢抓“新风口”
氧化镓外延片单晶Ga2O3金刚石氮化铝
 评论 ⋅  2024-01-09 10:42
山东大学徐明升：SiC的高温氧化研究
 评论 ⋅  2023-12-25 11:18
武汉大学袁超课题组在超宽禁带氧化镓热输运领域最新研究进展
 评论 ⋅  2023-12-21 18:02
IFWS 2023│台湾成功大学李清庭：GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2023-12-08 16:40
IFWS 2023│厦门大学徐翔宇：氧化镓缺陷研究，合金工程电子结构调制以及日盲光电探测器的开发
 评论 ⋅  2023-12-05 16:32
SSLCHINA2023│河北工业大学徐庶：量子点氧化物复合材料的制备及LED应用
 评论 ⋅  2023-11-27 21:48
宁波材料所研发氧化镓基日盲紫外光电探测器的低温制备技术
 评论 ⋅  2023-11-16 10:38
国际上首次！基于晶圆级高导热异质集成衬底实现已报道的最高截止频率氧化镓射频器件
 评论 ⋅  2023-11-08 19:39
一颗碳化硅芯片，可节省一吨二氧化碳当量！
 评论 ⋅  2023-11-03 17:14
镓和半导体展示多规格氧化镓单晶衬底并首次公开发布4英寸（100）面单晶衬底参数
 评论 ⋅  2023-10-24 16:35
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部