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南京大学科研团队在下一代光电芯片制造领域获重大突破!
工信部:加快车规级芯片等关键
技术
攻关和产业化
天岳先进:已自主研发出2-6英寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备
技术
技术
分享:基于氮化镓单晶衬底的增强型氮化镓HEMTs
简述晶圆级多层堆叠封装
技术
研究人员利用氮化镓开发新型电子设备
苏州纳米所器件部樊士钊等JAP:利用电子通道衬度成像方法分析氮化镓异质结中的穿透位错和失配位错
南京大学余林蔚教授课题组实现面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超细晶硅纳米线可靠生长集成
面向可重构整流电路的互补型栅控PN结电路研究
简述晶圆级多层堆叠
技术
高导热金刚石/铜复合材料的制备与界面调控研究进展
金刚石在GaN功率放大器热设计中的应用
一文读懂氧化镓半导体
WOLFSPEED:使用碳化硅进行双向车载充电机设计
湖南三安发布最新1200V碳化硅MOSFET系列,包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ
一种基于基板埋入
技术
的新型SiC功率模块封装及可靠性优化设计方法
哈尔滨工业大学科研团队通过选择性生长方法制备了准垂直金刚石肖特基二极管
自研基于 6 寸碳化硅晶圆的 6.5kV MOSFET功率模块测试分析
打破电动汽车“里程焦虑”,主驱能效如何升级?
二维金刚石的结构与性质若干进展
中科院合肥研究院安光所团队在高分辨率激光外差光谱
技术
研究方面取得新进展
高导热金刚石材料的制备及器件应用进展
2022化合物半导体器件与封装
技术
论坛将延期召开
郝跃院士团队研制出国际最高功率优值13.2 GW/cm2氧化镓二极管并首次在氧化镓中实现空穴超注入效应
一种基于基板埋入
技术
的SiC功率模块封装及可靠性优化设计
新型二维原子晶体材料Si₉C₁₅的构筑
我国科学家成功制备白光钙钛矿发光二极管
外媒:日企将大规模量产氧化镓器件
Wolfspeed:GaN HEMT 大信号模型
借第十七届全国MOCVD学术会议东风,太原市半导体产业
技术
项目对接会成功举办
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