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西安交大提出“仿生门控”柔性传感新模式
 评论 ⋅  2022-12-16 17:30
合肥经开区发布《合肥经济技术开发区支持软件和集成电路产业发展若干政策》
 评论 ⋅  2022-12-16 11:39
中共中央、国务院：推动人工智能、先进通信、集成电路、新型显示、先进计算等技术创新应用
 评论 ⋅  2022-12-16 11:27
中共中央、国务院印发《扩大内需战略规划纲要（2022－2035年）》：推动人工智能、集成电路等技术创新和应用
 评论 ⋅  2022-12-15 11:39
重要发现！3C-SiC有望PK单晶金刚石，成为高导热材料的选择
 评论 ⋅  2022-12-14 20:16
简述低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术
 评论 ⋅  2022-12-14 15:17
长春半导体激光技术创新中心产线建设项目如期竣工
 评论 ⋅  2022-12-14 11:34
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件
 评论 ⋅  2022-12-14 10:27
东风汽车碳化硅功率模块将于2023年实现量产
 评论 ⋅  2022-12-13 15:17
武汉大学袁超研究员：热反射表征技术在宽禁带半导体材料和器件领域的应用进展
 评论 ⋅  2022-12-13 15:10
SiC工艺之质子注入缺陷抑制技术解决碳化硅层错难题
 评论 ⋅  2022-12-12 15:24
复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
 评论 ⋅  2022-12-12 13:23
复旦大学研究团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管
 评论 ⋅  2022-12-12 11:08
赛晶科技：以自研IGBT、SiC等器件技术推动发电领域的清洁替代
 评论 ⋅  2022-12-12 10:55
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2022-12-12 10:47
GAA 晶体管继任者？复旦大学团队公布CFET新进展！
 评论 ⋅  2022-12-10 19:02
简述电力电子中 IGBT 散热器选型应用
 评论 ⋅  2022-12-09 17:06
上海微系统所在硅基碳化硅异质集成XOI材料领域取得重要进展
 评论 ⋅  2022-12-09 16:54
CASA发布《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告
 评论 ⋅  2022-12-09 16:50
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！
 评论 ⋅  2022-12-09 16:14
CASA发布T/CASAS 022-2022 三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范
 评论 ⋅  2022-12-09 15:16
新型超宽禁带半导体材料厂商铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破
 评论 ⋅  2022-12-09 14:52
湖南大学半导体学院在二维半导体超薄介电层集成技术研究取得重要进展
 评论 ⋅  2022-12-09 12:07
补盲激光雷达，角分辨率越小越好吗？
 评论 ⋅  2022-12-09 10:46
武汉大学课题组在宽禁带半导体热表征领域发表综述文章
 评论 ⋅  2022-12-09 10:13
充足的激光雷达视场要多大？补盲激光雷达视场覆盖大揭秘！
 评论 ⋅  2022-12-09 10:08
简述第三代半导体材料和器件中的热科学和工程问题
 评论 ⋅  2022-12-08 11:51
第三方集成电路测试技术服务商利扬芯片 计划6.9亿元投建芯片测试工厂
 评论 ⋅  2022-12-08 11:09
如何优化隔离栅级驱动电路?
 评论 ⋅  2022-12-08 10:38
厦门大学宽禁带半导体研究组在半导体能谷调控方面取得重要进展
 评论 ⋅  2022-12-07 17:23
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