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西安交通大学研究团队超宽禁带半导体材料研究领域取得重要进展
 评论 ⋅  2022-10-13 11:41
国家第三代半导体技术创新中心（山西）迈入实际运行阶段
 评论 ⋅  2022-10-13 11:19
Wolfspeed联合创始人兼首席技术官John Palmour博士正式成为美国国家工程院院士
 评论 ⋅  2022-10-13 11:16
中山大学研究团队首次实现了基于ε-Ga2O3薄膜的SAW射频谐振器
 评论 ⋅  2022-10-12 18:05
SiC MOSFET特性分析及应用
 评论 ⋅  2022-10-12 17:55
电力电子中 IGBT 散热器选型应用
 评论 ⋅  2022-10-12 16:39
瀚天天成电子科技(厦门)有限公司招聘
 评论 ⋅  2022-10-12 15:51
国际首台基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模块的35kV/5MW电力电子变压器顺利通过全部型式试验
 评论 ⋅  2022-10-11 17:39
第三代半导体产业技术创新战略联盟吴玲理事长一行调研创盈光疗
 评论 ⋅  2022-10-11 10:18
基于原子层沉积技术的具有常温相变能力的钨掺杂二氧化钒兼容于8寸晶圆及PI薄膜
 评论 ⋅  2022-10-10 17:57
简述使用不同类型GaN FET 设计提高系统设计功率密度
 评论 ⋅  2022-10-10 17:51
碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势综述
 评论 ⋅  2022-10-10 15:59
金刚石在器件散热应用中的研究动态几则
 评论 ⋅  2022-10-10 15:52
IFWS 2022前瞻：氮化镓功率电子材料与器件技术新进展
 评论 ⋅  2022-10-10 15:25
中国科大在高性能金刚石量子器件制备上取得重要进展
 评论 ⋅  2022-10-09 11:50
保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏
 评论 ⋅  2022-10-09 11:44
深圳智芯微牵头T/CASAS 022《三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范》征求意见
 评论 ⋅  2022-10-08 15:13
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-10-08 15:10
台积电积极布局第三代半导体，二代硅基GaN技术平台年内完成
 评论 ⋅  2022-10-08 08:44
山东大学成功研制高质量4英寸氧化镓晶体
 评论 ⋅  2022-09-28 15:53
关于第十三届中国国际纳米技术产业博览会 延期举办的通知
 评论 ⋅  2022-09-28 09:38
国家第三代半导体技术创新中心正式迈入实际运行阶段
 评论 ⋅  2022-09-27 08:47
自举电路工作原理和自举电阻和电容的选取
 评论 ⋅  2022-09-26 17:25
合肥工业大学在可重定义微波无源器件研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2022-09-22 17:12
韩科研团队研发新一代半导体气敏传感器
 评论 ⋅  2022-09-22 10:40
深圳大学刘新科研究员团队研发出自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT
 评论 ⋅  2022-09-22 08:56
山东大学与南砂晶圆团队实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底制备
山东大学晶体材料4HSiC衬底8英寸
 评论 ⋅  2022-09-21 08:45
解析电子封装陶瓷基板
 评论 ⋅  2022-09-20 17:10
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-09-19 17:45
一文了解金刚石半导体
 评论 ⋅  2022-09-19 10:45
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