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简述碳化硅功率器件封装的三个关键技术
 评论 ⋅  2023-02-28 14:13
半导体产业快速发展带动下 PBN（热解氮化硼）市场需求空间广阔
 评论 ⋅  2023-02-28 14:01
赛道火热+现场火爆，聚焦碳化硅功率电子器件技术新风向
 评论 ⋅  2023-02-27 19:01
美国Bolb Inc.董事长兼首席技术官张剑平：透明紫外C波段发光二极管的光提取效率和性能
 评论 ⋅  2023-02-27 14:34
中国科大龙世兵课题组研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管
 评论 ⋅  2023-02-27 11:47
专家学者直击固态紫外材料与器件新进展，加速前沿技术赋能产业发展
 评论 ⋅  2023-02-24 17:10
2021年度湖南省科学技术奖公布 多个第三代半导体相关项目入选
 评论 ⋅  2023-02-24 16:57
简述GaN功率器件应用可靠性增长研究
 评论 ⋅  2023-02-24 15:10
中科院研发铜掺杂p型半导体材料，可印制1-20nm厚的二维薄膜材料
 评论 ⋅  2023-02-24 10:52
三星公布标准化 5G NTN 技术：可用于智能手机与卫星的直接通信
 评论 ⋅  2023-02-23 10:07
合肥工业大学5G智能网联汽车关键技术项目终期整车技术目标测试比选公告（二次）
 评论 ⋅  2023-02-22 16:32
南科大电子系化梦媛团队揭示与氮化镓晶格匹配的GaON纳米层的形成机理及应用
 评论 ⋅  2023-02-22 15:14
晶能光电再获央视报道Micro LED技术入局国家虚拟现实创新中心
 评论 ⋅  2023-02-20 20:01
北京大学在氧化物半导体器件方向取得系列重要进展
 评论 ⋅  2023-02-20 19:32
5G乘风破浪，聚焦射频电子材料与器件技术新进展
 评论 ⋅  2023-02-17 16:19
工信部金壮龙：聚焦新一代信息技术、新能源、新材料等领域构建新增长引擎
 评论 ⋅  2023-02-16 20:24
苏州园区“一区两中心”|强化技术支撑 第三代半导体加速爆发
 评论 ⋅  2023-02-16 16:21
深圳技术大学校长阮双琛呼吁：加快建设国际领先芯片加工平台
 评论 ⋅  2023-02-16 16:21
IFWS：氮化镓功率电子器件技术研究进展
 评论 ⋅  2023-02-15 17:58
IFWS：化合物半导体激光器技术前沿追踪
 评论 ⋅  2023-02-15 16:17
SSLCHINA：展望Mini/Micro LED及其他新型显示技术前景
 评论 ⋅  2023-02-15 15:46
IFWS：碳化硅功率电子器件技术进展追踪
 评论 ⋅  2023-02-15 11:33
SSLCHINA：LED芯片、封装与光通信技术与应用进展
 评论 ⋅  2023-02-14 16:19
IFWS：超宽禁带半导体材料与器件技术最新进展
 评论 ⋅  2023-02-14 11:53
SSLCHINA：光医疗与健康应用技术论坛召开
 评论 ⋅  2023-02-13 17:51
SSLCHINA：生物农业光照技术与产业应用峰会召开
 评论 ⋅  2023-02-13 16:15
SSLCHINA：Mini/Micro-LED技术产业应用新进展
 评论 ⋅  2023-02-13 14:24
IFWS：碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术前沿研究
 评论 ⋅  2023-02-12 17:57
现场火爆！IFWS：氮化物衬底材料生长与外延技术论坛召开
 评论 ⋅  2023-02-10 10:49
中国电子科技集团首席专家柏松：SiC功率MOSFET技术及应用进展
 评论 ⋅  2023-02-08 18:31
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