首页 > 新闻资讯 > 搜索
江南大学获批首个芯片关键技术千万级重点项目
 评论 ⋅  2024-01-11 15:30
东吴证券：关注半导体周期复苏、国产化和技术创新
 评论 ⋅  2024-01-11 14:27
北大团队研发超低动态电阻氮化镓高压器件，耐压能力大于6500V
北超低动态电阻氮化镓高压器件耐压6500V
 评论 ⋅  2024-01-11 11:17
赋能汽车半导体产业蓬勃发展︱2024广州国际新能源汽车功率半导体技术展5月与您相约广州保利世贸博览馆
 评论 ⋅  2024-01-11 10:09
工信部部长金壮龙：将推动人工智能等前沿技术研发，促进稀土高端应用
 评论 ⋅  2024-01-10 17:04
中国科学家提出基于信号关联的新量子传感范式
 评论 ⋅  2024-01-08 17:15
三安光电臧雅姝：固态紫外线光源现状和技术挑战
三安光电固态紫外线UVA/B/C光源NPSS超晶格光子提取效率
 评论 ⋅  2024-01-08 10:46
首个由石墨烯制成的功能半导体问世 电子迁移率是硅的10倍
 评论 ⋅  2024-01-05 15:47
石墨烯芯片制造领域，重要里程碑→
碳化硅超高迁移率半导体外延石墨烯
 评论 ⋅  2024-01-05 13:55
新进展！西安交通大学实现2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底量产
金刚石半导体MPCVD异质外延2英寸量产
 评论 ⋅  2024-01-05 11:40
上海光机所在高重频高功率超快激光器研究取得进展
 评论 ⋅  2024-01-05 09:50
点莘技术获数千万元Pre-A轮融资，聚焦MicroLED巨量转移量测设备
点莘技术Pre-A轮融资MicroLED
 评论 ⋅  2024-01-04 15:01
山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大功率高效散热GaN器件用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石SiCGaN衬底
 评论 ⋅  2024-01-04 09:28
厦门大学林楷强教授团队在二维半导体材料的激子研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-01-03 15:32
江苏：实现5G轻量化技术县城全覆盖
 评论 ⋅  2024-01-02 17:35
拓荆科技、盛美上海等1.8亿元成立半导体技术合伙企业
拓荆科技盛美上海半导体合伙企业
 评论 ⋅  2024-01-02 17:26
4H-SiC 中基面位错滑移带表征和外延传播
4HSiC晶体缺陷晶体生长
 评论 ⋅  2024-01-02 15:38
日本团队：金刚石MOSFET研制取得最新进展
钻石MOSFET
 评论 ⋅  2023-12-29 16:52
北京大学申请半导体器件结构专利
 评论 ⋅  2023-12-27 16:53
ULVAC牛山史三：GaN溅射技术进展
 评论 ⋅  2023-12-27 14:34
中国科学院长春光机所黎大兵研究团队喜获吉林省技术发明一等奖
氮化铝深紫外光电器件吉林省技术发明一等奖黎大兵孙晓娟蒋科吴亮徐春阳贲建伟
 评论 ⋅  2023-12-26 09:33
丽水千万元支持半导体产业向高端技术领域进军
丽水特色半导体万亩千亿人才规划
 评论 ⋅  2023-12-25 11:14
华为报案，海思芯片技术被窃取，涉案人张琨失联数月，小米紧急发声
尊湃通讯海思技术华为芯片小米
 评论 ⋅  2023-12-25 08:49
重磅！2023年度何梁何利基金奖揭晓
何梁何利基金杰出科技工作者2023年度何梁何利基金科学与技术奖
 评论 ⋅  2023-12-22 09:44
武汉大学袁超课题组在超宽禁带氧化镓热输运领域最新研究进展
 评论 ⋅  2023-12-21 18:02
金刚石基板上的GaN晶体管，散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学东北大学金刚石基板氮化镓晶体管
 评论 ⋅  2023-12-21 16:57
IFWS 2023│九峰山实验室袁俊：新型碳化硅沟槽器件技术研究进展
 评论 ⋅  2023-12-21 10:42
IFWS 2023│国瑞升苑亚斐：碳化硅衬底材料研磨抛光耗材和工艺技术
 评论 ⋅  2023-12-20 16:26
IFWS 2023│西安交通大学王来利：碳化硅功率半导体多芯片封装技术
 评论 ⋅  2023-12-19 11:35
基金委部署集成芯片前沿技术科学基础研究计划
国家自然科学基金委集成芯片前沿技术重大研究计划芯粒
 评论 ⋅  2023-12-18 10:55
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部