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联发科天玑 5G 芯片完成基于 R17 和 RedCap 的
技术
验证
喜报!博电科技荣获“北京市科学
技术
奖”
技术
发明奖二等奖
Yole:2027年激光晶圆设备和
技术
市场将突破11亿美元
宽禁带氧化镓半导体在压电与射频器件中的应用
GaN衬底研发获新突破!
简述微波射频电路杂波干扰问题
技术
分析及改进研究
MOCVD 加热片模拟仿真研究分析
华中大团队成功研发国内首款全自主计算光刻EDA软件
华中科技大学研究团队发表电动汽车电机驱动系统零转矩充电复用
技术
的研究成果
中科院物理所在集成有亚波长光栅的台面型InGaAs基短波红外偏振探测器取得进展
河工大张紫辉团队在GaN基Micro-LED方面获得新进展
浅述GaN功率器件的发展
简述SiC MOSFET短路保护时间
全球首次!全球首次实现室温下连续波深紫外激光输出
关于2022化合物半导体器件与封装
技术
论坛、Mini LED芯片及封测解决方案论坛延期举办的通知
基于垂直架构的新型二维半导体/铁电多值存储器取得进展
简述光电储能系统如何帮助电动车实现快充
简述国内半导体激光器产业该如何发展
山东华光获批建设山东省半导体激光
技术
创新中心
4英寸氧化镓单晶生长与性能分析
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用
简述功率MOSFET电流额定值和热设计
托托科技董事长吴阳博士将受邀出席2022化合物半导体器件与封装
技术
论坛并作报告
中国科大在纯红光钙钛矿电致发光二极管取得新进展
复旦大学牵头起草的《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价
技术
体系报告》征求意见
东南大学牵头起草的《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》
技术
报告已形成委员会草案
安徽省半导体产业共性
技术
研究中心成功获批
深圳先进连接牵头起草的T/CASAS 023—202X《宽禁带半导体封装用烧结银膏
技术
规范》征求意见
Nature Electronics 电力电子首篇综述 - 功率器件的多维结构
厦门大学&西北工业大学Adv. Sci.: 19.6%效率!高效稳定1D/3D钙钛矿光伏组件
第
28
页/共
69
页
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