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碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势综述
 评论 ⋅  2022-10-10 15:59
金刚石在器件散热应用中的研究动态几则
 评论 ⋅  2022-10-10 15:52
IFWS 2022前瞻：氮化镓功率电子材料与器件技术新进展
 评论 ⋅  2022-10-10 15:25
中国科大在高性能金刚石量子器件制备上取得重要进展
 评论 ⋅  2022-10-09 11:50
保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏
 评论 ⋅  2022-10-09 11:44
深圳智芯微牵头T/CASAS 022《三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范》征求意见
 评论 ⋅  2022-10-08 15:13
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-10-08 15:10
台积电积极布局第三代半导体，二代硅基GaN技术平台年内完成
 评论 ⋅  2022-10-08 08:44
山东大学成功研制高质量4英寸氧化镓晶体
 评论 ⋅  2022-09-28 15:53
关于第十三届中国国际纳米技术产业博览会 延期举办的通知
 评论 ⋅  2022-09-28 09:38
国家第三代半导体技术创新中心正式迈入实际运行阶段
 评论 ⋅  2022-09-27 08:47
自举电路工作原理和自举电阻和电容的选取
 评论 ⋅  2022-09-26 17:25
合肥工业大学在可重定义微波无源器件研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2022-09-22 17:12
韩科研团队研发新一代半导体气敏传感器
 评论 ⋅  2022-09-22 10:40
深圳大学刘新科研究员团队研发出自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT
 评论 ⋅  2022-09-22 08:56
山东大学与南砂晶圆团队实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底制备
山东大学晶体材料4HSiC衬底8英寸
 评论 ⋅  2022-09-21 08:45
解析电子封装陶瓷基板
 评论 ⋅  2022-09-20 17:10
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-09-19 17:45
一文了解金刚石半导体
 评论 ⋅  2022-09-19 10:45
南京大学科研团队在下一代光电芯片制造领域获重大突破！
 评论 ⋅  2022-09-16 19:13
工信部：加快车规级芯片等关键技术攻关和产业化
 评论 ⋅  2022-09-16 14:35
天岳先进：已自主研发出2-6英寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技术
 评论 ⋅  2022-09-15 17:57
技术分享：基于氮化镓单晶衬底的增强型氮化镓HEMTs
 评论 ⋅  2022-09-15 17:03
简述晶圆级多层堆叠封装技术
 评论 ⋅  2022-09-14 15:46
研究人员利用氮化镓开发新型电子设备
 评论 ⋅  2022-09-14 15:10
苏州纳米所器件部樊士钊等JAP：利用电子通道衬度成像方法分析氮化镓异质结中的穿透位错和失配位错
 评论 ⋅  2022-09-14 13:59
南京大学余林蔚教授课题组实现面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超细晶硅纳米线可靠生长集成
 评论 ⋅  2022-09-13 13:31
面向可重构整流电路的互补型栅控PN结电路研究
 评论 ⋅  2022-09-13 10:24
简述晶圆级多层堆叠技术
 评论 ⋅  2022-09-08 10:16
高导热金刚石/铜复合材料的制备与界面调控研究进展
 评论 ⋅  2022-09-07 11:04
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