首页 > 新闻资讯 > 搜索
复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
 评论 ⋅  2022-12-07 14:53
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断技术之松下篇
 评论 ⋅  2022-12-07 14:48
兰州理工大学集成电路封装与测试未来技术学院产学研协同育人平台建设项目公开招标公告
 评论 ⋅  2022-12-07 10:42
简述用于工业自动化的无刷直流电机
 评论 ⋅  2022-12-07 10:17
意法半导体与Soitec就碳化硅衬底制造技术达成合作
 评论 ⋅  2022-12-06 15:46
SiC MOSFET功率模块的各种参数电动汽车
 评论 ⋅  2022-12-05 15:58
简述光刻机制造设备
 评论 ⋅  2022-12-05 15:51
电动车直流充电基础设施如何实现快速充电？
 评论 ⋅  2022-12-05 14:25
联发科天玑 5G 芯片完成基于 R17 和 RedCap 的技术验证
 评论 ⋅  2022-12-05 09:18
喜报！博电科技荣获“北京市科学技术奖”技术发明奖二等奖
 评论 ⋅  2022-12-03 10:51
Yole：2027年激光晶圆设备和技术市场将突破11亿美元
 评论 ⋅  2022-12-01 13:47
宽禁带氧化镓半导体在压电与射频器件中的应用
 评论 ⋅  2022-12-01 11:25
GaN衬底研发获新突破！
 评论 ⋅  2022-12-01 10:25
简述微波射频电路杂波干扰问题技术分析及改进研究
 评论 ⋅  2022-11-30 14:42
MOCVD 加热片模拟仿真研究分析
 评论 ⋅  2022-11-29 13:59
华中大团队成功研发国内首款全自主计算光刻EDA软件
 评论 ⋅  2022-11-29 13:36
华中科技大学研究团队发表电动汽车电机驱动系统零转矩充电复用技术的研究成果
 评论 ⋅  2022-11-29 11:34
中科院物理所在集成有亚波长光栅的台面型InGaAs基短波红外偏振探测器取得进展
 评论 ⋅  2022-11-29 09:29
河工大张紫辉团队在GaN基Micro-LED方面获得新进展
 评论 ⋅  2022-11-28 17:13
浅述GaN功率器件的发展
 评论 ⋅  2022-11-28 15:40
简述SiC MOSFET短路保护时间
 评论 ⋅  2022-11-28 14:29
全球首次！全球首次实现室温下连续波深紫外激光输出
 评论 ⋅  2022-11-25 21:10
关于2022化合物半导体器件与封装技术论坛、Mini LED芯片及封测解决方案论坛延期举办的通知
 评论 ⋅  2022-11-25 16:09
基于垂直架构的新型二维半导体/铁电多值存储器取得进展
 评论 ⋅  2022-11-25 14:00
简述光电储能系统如何帮助电动车实现快充
 评论 ⋅  2022-11-25 10:14
简述国内半导体激光器产业该如何发展
 评论 ⋅  2022-11-25 10:00
山东华光获批建设山东省半导体激光技术创新中心
 评论 ⋅  2022-11-25 09:57
4英寸氧化镓单晶生长与性能分析
 评论 ⋅  2022-11-23 16:54
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用
 评论 ⋅  2022-11-23 15:18
简述功率MOSFET电流额定值和热设计
 评论 ⋅  2022-11-22 17:40
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部