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上海微系统所在碳化硅异质集成材料与光子器件领域取得进展
 评论 ⋅  2022-12-30 15:25
中国科大在低维光伏材料点缺陷性质研究中取得新进展
 评论 ⋅  2022-12-30 09:13
清华大学研究团队合作利用激光加工氮化硼实现大规模高性能量子光源
 评论 ⋅  2022-12-28 14:53
自力更生！坚决打赢半导体领域核心技术攻坚战
 评论 ⋅  2022-12-28 13:58
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断专利技术之台达电子篇
 评论 ⋅  2022-12-27 16:03
中国电科46所氮化铝单晶材料关键技术取得重大突破
 评论 ⋅  2022-12-26 17:57
浅谈碳化硅寿命中的挑战
 评论 ⋅  2022-12-22 15:09
银河微电：功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术的量产
 评论 ⋅  2022-12-21 15:07
中科潞安牵头大功率深紫外AlGaN基LED发光材料与器件产业化关键技术获得立项
 评论 ⋅  2022-12-21 13:47
硅基氮化镓Micro-LED，实现高速可见光通信信号探测
 评论 ⋅  2022-12-19 18:47
赛微电子：深耕MEMS工艺带来技术优势，MEMS晶圆价格持续上涨
 评论 ⋅  2022-12-16 17:35
西安交大提出“仿生门控”柔性传感新模式
 评论 ⋅  2022-12-16 17:30
合肥经开区发布《合肥经济技术开发区支持软件和集成电路产业发展若干政策》
 评论 ⋅  2022-12-16 11:39
中共中央、国务院：推动人工智能、先进通信、集成电路、新型显示、先进计算等技术创新应用
 评论 ⋅  2022-12-16 11:27
中共中央、国务院印发《扩大内需战略规划纲要（2022－2035年）》：推动人工智能、集成电路等技术创新和应用
 评论 ⋅  2022-12-15 11:39
重要发现！3C-SiC有望PK单晶金刚石，成为高导热材料的选择
 评论 ⋅  2022-12-14 20:16
简述低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术
 评论 ⋅  2022-12-14 15:17
长春半导体激光技术创新中心产线建设项目如期竣工
 评论 ⋅  2022-12-14 11:34
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件
 评论 ⋅  2022-12-14 10:27
东风汽车碳化硅功率模块将于2023年实现量产
 评论 ⋅  2022-12-13 15:17
武汉大学袁超研究员：热反射表征技术在宽禁带半导体材料和器件领域的应用进展
 评论 ⋅  2022-12-13 15:10
SiC工艺之质子注入缺陷抑制技术解决碳化硅层错难题
 评论 ⋅  2022-12-12 15:24
复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
 评论 ⋅  2022-12-12 13:23
复旦大学研究团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管
 评论 ⋅  2022-12-12 11:08
赛晶科技：以自研IGBT、SiC等器件技术推动发电领域的清洁替代
 评论 ⋅  2022-12-12 10:55
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2022-12-12 10:47
GAA 晶体管继任者？复旦大学团队公布CFET新进展！
 评论 ⋅  2022-12-10 19:02
简述电力电子中 IGBT 散热器选型应用
 评论 ⋅  2022-12-09 17:06
上海微系统所在硅基碳化硅异质集成XOI材料领域取得重要进展
 评论 ⋅  2022-12-09 16:54
CASA发布《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告
 评论 ⋅  2022-12-09 16:50
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