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前瞻|电子科技大学李俊宏:基于傅里叶乘法特性的高可靠性无半桥直流无刷电机驱动电路研究
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前瞻|海思科技包琦龙:ICT 场景下中低压 (<200V) GaN 器件应用挑战
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前瞻|氮矽科技刘勇:PGaN增强型GaN功率器件设计与仿真技术
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前瞻|湖南三安半导体刘成:应用于工业及汽车市场的GaN功率器件制造技术
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前瞻|南方科技大学叶怀宇:碳化硅先进封装及全铜化技术
27位演讲嘉宾公布!2024功率半导体器件与集成电路会议4月26-28日
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前瞻|电子科技大学张金平:IGBT的技术演进与未来发展趋势
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前瞻|大连理工大学王德君:SiC半导体表界面缺陷及MOS器件可靠性
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前瞻|广东工业大学张紫辉:GaN功率半导体器件仿真建模与制备研究
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前瞻|中国科学院上海微系统与信息技术研究所程新红:SiC MOSFET 过流保护技术分析与研发
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前瞻|电子科技大学章文通:硅基超结-功率半导体More silicon发展的主力器件
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前瞻|电子科技大学严颖怡:在功率变换器中电流检测的挑战
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信息工程大学罗小蓉:《氮化镓功率器件结构、驱动和电源应用
17位报告嘉宾公布!2024功率半导体器件与集成电路会议4月26-28日
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前瞻 |香港科技大学孙佳慧:肖特基型p-GaN栅GaN HEMT的栅极抗静电鲁棒性
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前瞻 |西交利物浦大学刘雯:用于功率转换系统的氮化镓单片集成
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前瞻 |松山湖材料实验室王方洲:低损耗高耐压Si基GaN双向阻断功率器件研究
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前瞻 |海威华芯林书勋:新型功率半导体器件在新基建中的应用
15位演讲嘉宾主题公布!2024功率半导体器件与集成电路会议4月26-28日
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前瞻 |东南大学魏家行:碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究
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前瞻 |中国科学院微电子研究所蒋其梦:氮化镓功率器件开关安全工作区的研究
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前瞻 |重庆大学蒋华平:碳化硅MOSFET动态阈值漂移
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前瞻 |南方科技大学化梦媛:Ga-O原子间势函数及其应用研究
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复锦邀您参加”2024功率半导体器件与集成电路会议“
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前瞻|广东工业大学周贤达:非晶氧化物半导体功率器件:理论极限和初步实现
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前瞻|北京工业大学张亚民:面向氮化镓微波功率器件的异质界面温升表征方法
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前瞻|云镓半导体邀您参加“2024功率半导体器件与集成电路会议”
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前瞻|北京大学魏进:如何使GaN功率器件如Si MOSFET一样简单易用?
首批报告嘉宾公布!2024功率半导体器件与集成电路会议4月26-28日
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前瞻|四川大学副教授黄铭敏:碳化硅功率器件的辐射效应及抗辐射技术
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