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无锡博通申请半桥GaN增强型开关器件及其制备方法专利，保证器件的高速开关
 评论 ⋅  2024-10-29 17:53
中国科大微电子学院在GaN HEMT开关瞬态建模方向取得新进展
 评论 ⋅  2024-10-29 17:45
捷捷微电取得降低开关损耗的分离栅MOSFET器件及其制造方法专利，降低了开关损耗
 评论 ⋅  2024-08-15 16:08
CASA立项GaN HEMT非钳位感性负载开关鲁棒性测试方法1项团体标准
 评论 ⋅  2024-08-08 16:23
CSPSD 2024成都前瞻 |中国科学院微电子研究所蒋其梦：氮化镓功率器件开关安全工作区的研究
 评论 ⋅  2024-04-16 15:24
日本开发在磁场下实现电阻开关效应的半导体器件
 评论 ⋅  2024-04-07 18:23
中国西电获得发明专利授权：“基于大容量电力电子开关施加故障电流装置及试验方法”
 评论 ⋅  2024-02-01 17:18
闻泰科技、重庆大学联合提案的SiC MOSFET开关动态测试标准提案立项
 评论 ⋅  2023-06-20 16:34
简述通过栅极驱动器提高开关电源功率密度
 评论 ⋅  2023-01-05 09:29
问卷 | SiC MOSFET开关测试标准预研问卷
 评论 ⋅  2022-10-24 18:09
标准 | 电子五所牵头的T/CASAS 005《用于硬开关电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-07-20 15:48
Wolfspeed：先进碳化硅技术赋能离线式开关电源的优势
 评论 ⋅  2022-05-20 09:40
意法半导体双通道高边开关为容性负载驱动设计带来更多灵活性
 评论 ⋅  2022-02-15 09:49
R&S联合FormFactor为得克萨斯大学奥斯汀分校研究5G和6G改进型射频开关提供支持
 评论 ⋅  2022-01-21 10:01
【CASICON 2021】西安交通大学李强：大面积hBN薄膜制备及 电阻开关特性研究
 评论 ⋅  2021-09-17 16:33
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在过压开关中的鲁棒性
 评论 ⋅  2021-09-16 11:56
【CASICON 2021】南京工业职业技术大学雷建明：GaN功率开关器件及其高频电源应用
 评论 ⋅  2021-09-14 09:42
CASICON 2021前瞻：南京大学陈敦军教授将出席南京功率与射频半导体应用峰会
CASICON2021南京大学陈敦军功率射频半导体氮化镓功率开关器件高频电源
 评论 ⋅  2021-09-04 15:32
南京集芯光电雷建明：氮化镓功率开关器件及其在超轻薄开关电源领域的应用研究
 评论 ⋅  2021-04-28 14:07
碳化硅如何能够提升开关电源设计？
 评论 ⋅  2021-03-26 13:06
如何减少SiC MOSFET的EMI和开关损耗
 评论 ⋅  2021-02-02 14:15
新闻发布 | 超低导通阻抗USB C受电接口保护开关，可提供140W的高功率
 评论 ⋅  2021-01-18 11:38
如何放缓开关期间的dV/dt
栅极电路缓冲电感波形寄生
 评论 ⋅  2020-09-03 00:59
C&K 开发超小型防水微动开关
开关系列设计行程使用寿命世界上
 评论 ⋅  2020-08-31 02:35
关于开关频率需考虑的因素
开关频率变化电流稳压器电感
 评论 ⋅  2020-08-28 02:29
减少开关损耗：儒卓力提供来自罗姆的节能SiC-MOSFET
提供封装评测产品分销商在线
 评论 ⋅  2020-08-26 03:13
意法半导体推出安应用型的快速启动智能功率开关(IPS)
半导体功率保护开路两款负载
 评论 ⋅  2020-08-21 07:34
直接通过汽车电池输入进行DC-DC转换：5 A、3.3 V和5 V电源符合严格的EMI辐射标准
开关频率降压稳压器效率电感
 评论 ⋅  2020-08-05 03:00
IGBT –电动汽车空调的一项关键技术
开关加热加热器产品系统半导体
 评论 ⋅  2020-08-04 06:00
GaN器件的直接驱动配置
开关拓扑晶体管器件损耗更佳
 评论 ⋅  2020-08-04 01:37
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