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江苏集芯申请大
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碳化硅晶体生长坩埚及生长装置专利,保证晶体中心位置和外侧边缘的生长速率相一致
国内首台超大
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钙钛矿高速激光刻蚀成套设备发布
星曜半导体:推出世界最小
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双工器芯片
CASICON晶体大会前瞻|北京中电科电子装备刘国敬:先进Grinding设备及工艺助力大
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SiC量产
南京大学成功研发出大
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碳化硅激光切片设备与技术
南京大学成功研发出大
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碳化硅激光切片设备与技术
宏微科技取得电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构专利,IGBT或MOSFET的芯片
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可大大减小
云和县大
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碳化硅单晶衬底产业化项目意向合作协议签约仪式举行
百识电子完成A+轮融资,加速耐高压、大
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第三代半导体外延布局
北京大学申请大
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高热导率III族氮化物外延材料的制备方法专利,提高整个异质集成结构的热导率
芯导科技申请TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法专利,进一步缩小了接触孔沿沟道方向
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北京大学教授于彤军:大
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AlN单晶生长研究
IFWS 2023│南砂晶圆/山东大学杨祥龙:大
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SiC单晶的研究进展
湖南大学物电院刘渊教授团队在小
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晶体管研究中取得新进展
SSLCHINA2023│北京工业大学郭伟玲:MicroLED的
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效应与高色彩转换效率
山东大学陶绪堂教授团队研发超高光产额、超快衰减、低成本大
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单晶闪烁体
中国电科46所霍晓青:面向氧化镓功率器件的大
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氧化镓单晶材料技术
西安华合德新材料李灏文:面向低成本碳化硅功率器件用大
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SiC 单晶技术
CASA正式发布《8英寸碳化硅衬底片基准标记及
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》等3项团体标准
盛鑫半导体:大
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硅外延材料产业化项目实现首批设备入场
【CASICON 2023】特思迪半导体孙占帅:先进抛光技术助力量产型大
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碳化硅制造
中科潞安闫建昌:高性能、大
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是深紫外LED产业技术发展趋势
标准/山东大学牵头起草的T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基准标记及
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》等3项团体标准征求意见
山东大学教授陈秀芳:大
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4H-SiC单晶扩径及衬底制备
OPT(奥普特)2D
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测量传感系统上市
华清电子材料实现了超大
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高导热氮化铝陶瓷加热底盘的突破
南京大学余林蔚教授课题组实现面向GAA-FET的10 nm特征
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超细晶硅纳米线可靠生长集成
中国科学院上海微系统与信息技术研究所团队首次采用GNR边缘接触制备出目前世界上最小
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相变存储单元器件
CASA立项《8英寸碳化硅晶片基准标记及
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》团体标准
浙江丽水中欣晶圆项目获11亿元融资,推动大
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半导体硅片国产化
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